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기판 표면 처리 방법

  • 기술번호 : KST2015160567
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 무전해 도금 전에 실시하는 기판 표면 처리 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 기판 표면 처리 방법은: 반도체 기판을 마련하는 단계와, 반도체 기판의 표면에 형성된 자연 산화막을 식각하여 세정하는 단계와, 세정된 반도체 기판을 환원제를 산화시키는 데 필요한 촉매와 기판의 표면을 활성화하는 활성화제와 상기 촉매의 금속 이온과 리간드를 형성하는 착화제로 이루어지는 활성화 용액에 침지시켜 상기 표면을 활성화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 무전해 도금을 실시하는 반도체 배선 공정의 전처리 공정으로서 기판 표면 처리를 실시함으로써, 기판 표면에 균일한 촉매층을 형성하여 낮은 면저항을 갖는 것과 동시에 표면이 고른 무전해 도금막을 형성할 수 있어서 반도체의 질적 향상을 도모 할 수 있다.무전해 도금, 확산 장벽층, 산화막, 면저항, RMS 거칠기
Int. CL H01L 21/288 (2006.01)
CPC H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01)
출원번호/일자 1020020000491 (2002.01.04)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0454633-0000 (2004.10.19)
공개번호/일자 10-2003-0059743 (2003.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20041105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.04)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재정 대한민국 서울특별시 서초구
2 차승환 대한민국 인천광역시남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 케이알이 주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2002-0002599-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0455499-49
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.20 수리 (Accepted) 9-1-2003-0058841-12
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0494613-71
6 의견서
Written Opinion		 2004.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0063418-11
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0063420-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2004-0020333-35
9 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-5090986-94
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0288561-44
11 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2004.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2004-5163246-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1

환원제의 산화에 의해 발생하는 전자를 이용해 금속 이온을 환원시켜 반도체 기판에 도금하는 무전해 도금을 실시하기 전의 기판 표면 처리 방법에 있어서,

반도체 기판을 마련하는 단계와;

상기 반도체 기판의 표면에 형성된 자연 산화막을 식각하여 세정하는 단계와;

세정된 상기 반도체 기판을, 상기 환원제를 산화시키는 데 필요한 촉매로서의 염화팔라듐과 상기 기판의 표면을 활성화하는 활성화제로서의 불산과 상기 촉매의 금속 이온과 리간드를 형성하는 착화제로서의 염산으로 이루어지는 활성화 용액에, 침지시켜 상기 표면을 활성화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 촉매의 금속 이온은 팔라듐, 은, 금, 구리, 또는 백금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리 방법

3 3

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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.