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금속-절연체 전이가 발생하는 소자 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015014755
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 금속-절연체 전이가 발생하는 소자 제조방법은 기판을 준비하는 단계, 기판을 금(Au)이온과 불화물(Fluoride)이 포함된 수용액에 담그는 단계 및 기판상에 금 나노구조물이 형성되는 단계를 포함하며, 수용액에 담그는 단계는 기판상에 형성되는 금 나노구조물의 표면적 비율이 45% ~ 87%가 되도록 담그는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/288 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01)
출원번호/일자 1020130132124 (2013.11.01)
출원인 부경대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1547892-0000 (2015.08.21)
공개번호/일자 10-2015-0050898 (2015.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20150828) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부경대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장재원 대한민국 부산광역시 남구
2 이승훈 대한민국 부산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김등용 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 *** *층-***(구로동,제이엔케이디지털타워)(동진국제특허법률사무소)
2 김홍석 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로 **길 ***, ***호(구로동,JnK 디지털타워)(동진국제특허법률사무소)
3 이강녕 대한민국 경기도 안양시 동안구 시민대로***번길 * (관양동) 대명 글로벌 비즈스퀘어 ***호(이도특허사무소)
4 문경진 대한민국 서울시 구로구 디지털로 **길 *, *층 에이스하이엔드타워 *차 ***호(대륙국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)디와이씨에스 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0996083-58
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0135399-57
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-1055882-85
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0055139-44
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0733855-24
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1264885-03
8 보정요구서
Request for Amendment		 2015.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0004001-43
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0092301-38
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0092300-93
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2015.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0012462-16
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0434119-04
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.07.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0722329-61
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0722328-15
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2015.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0547305-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5132722-09
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5161225-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2019-5277245-32
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2020-5172403-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판을 금(Au)이온과 불화물(Fluoride)이 포함된 수용액에 담그는 단계; 및상기 기판상에 금 나노구조물이 형성되는 단계를 포함하며,상기 수용액에 담그는 단계는 상기 기판상에 형성되는 금 나노구조물의 표면적 비율이 49
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 수용액은 0
4 4
제1항에 있어서,상기 금 나노구조물을 형성하는 단계 이후 상기 기판을 세척하는 단계를 포함하는 금속-절연체 전이가 발생하는 소자 제조방법
5 5
제1항의 방법으로 제조된 소자로서,기판; 및상기 기판상에 형성되는 금 나노구조물을 포함하며,상기 소자는 147K ~ 232K 사이에서 온도 상승에 따라 금속특성에서 절연체특성을 갖는 소자로 전이가 발생하며, 상기 금 나노구조물은 상기 기판 표면적 대비 49
6 6
제5항에 있어서,상기 기판 표면적 대비 상기 금 나노구조물의 유효 갭(gap)은 12
7 7
삭제
8 8
제5항에 있어서,상기 기판은 p타입 실리콘 기판이며, 두께가 655~695㎛이며, 비저항은 15~25ΩCm인 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이가 발생하는 소자
9 9
제5항, 제6항 또는 제8항 중 어느 한 항의 소자를 포함하는 온도센서
10 10
제5항, 제6항 또는 제8항 중 어느 한 항의 소자를 포함하는 스위칭 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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