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외부에서 인가되는 스캔 신호에 의해 제어되며, 데이터 전류가 인가되는 제1 트랜지스터와; 상기 스캔 신호에 의해 제어되며, 노드 A에서 상기 제1 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되는 제2 트랜지스터와; 외부전원에 접속되고, 노드 B에서 상기 제2 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로에 자신의 게이트가 접속되어 데이터 전류를 기입하는 제3 트랜지스터와; 상기 외부전원과 상기 노드 B 사이에 접속되어 데이터 전압을 저장하는 커패시터와; 상기 노드 A에서 상기 제3 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되고, 상기 커패시터에 저장된 전압을 게이트에 인가받아 오-엘이디(O-LED) 소자를 구동하는 제4 트랜지스터를 포함함을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 오-엘이디(O-LED)의 화소 구조
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제 1 항에 있어서, 상기 제3 및 제4 트랜지스터의 채널폭(W)/채널길이(L)에 따라 해당 화소에 인가되는 전류의 크기를 조절함을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 오-엘이디(O-LED)의 화소 구조
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외부에서 인가되는 스캔 신호에 의해 제어되며, 데이터 전류가 인가되는 제1 및 제2 트랜지스터와; 외부전원에 접속되고, 상기 제2 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로에 자신의 게이트가 접속되어 데이터 전류를 기입하는 제3 트랜지스터와; 상기 외부전원과 상기 제2 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로 사이에 접속되어 데이터 전압을 저장하는 커패시터와; 상기 제3 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되고, 상기 커패시터에 저장된 전압을 게이트에 인가받아 오-엘이디(O-LED) 소자를 구동하는 제4 트랜지스터를 포함함을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 오-엘이디(O-LED)의 화소 구조
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외부에서 인가되는 스캔 신호에 의해 제어되며, 데이터 전류가 인가되는 제1 트랜지스터와; 상기 스캔 신호에 의해 제어되며, 노드 A에서 상기 제1 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되는 제2 트랜지스터와; 상기 노드 A에 자신의 게이트가 접속되고, 상기 접지전원과 노드 B 사이에 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되어 데이터 전류를 기입하는 제3 트랜지스터와; 상기 접지전원과 상기 노드 A 사이에 접속되어 데이터 전압을 저장하는 커패시터와; 상기 노드 B에서 상기 제3 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되고, 상기 노드 A에 자신의 게이트가 접속되어, 상기 커패시터에 저장된 전압을 게이트에 인가받아 오-엘이디(O-LED) 소자를 구동하는 제4 트랜지스터를 포함함을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 오-엘이디(O-LED)의 화소 구조
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5
외부에서 인가되는 스캔 신호에 의해 제어되며, 데이터 전류가 인가되는 제1 및 제2 트랜지스터와; 접지전원에 접속되고, 노드 A에서 상기 제2 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로에 자신의 게이트가 접속되어 데이터 전류를 기입하는 제3 트랜지스터와; 상기 접지전원과 상기 노드 A 사이에 접속되어 데이터 전압을 저장하는 커패시터와; 상기 제3 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되고, 상기 커패시터에 저장된 전압을 게이트에 인가받아 오-엘이디(O-LED) 소자를 구동하는 제4 트랜지스터를 포함함을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 오-엘이디(O-LED)의 화소 구조
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외부에서 인가되는 제1 스캔 신호에 의해 제어되며, 데이터 전류가 인가되는 제1 트랜지스터와; 외부에서 인가되는 제2 스캔 신호에 의해 제어되며, 노드 A에서 상기 제1 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되는 제2 트랜지스터와; 외부전원에 접속되고, 노드 B에서 상기 제2 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로에 자신의 게이트가 접속되어 데이터 전류를 기입하는 제3 트랜지스터와; 상기 외부전원과 상기 노드 B 사이에 접속되어 데이터 전압을 저장하는 커패시터와; 상기 노드 A에서 상기 제3 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되고, 상기 커패시터에 저장된 전압을 게이트에 인가받아 오-엘이디(O-LED) 소자를 구동하는 제4 트랜지스터를 포함함을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 오-엘이디(O-LED)의 화소 구조
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