| 1 |
1
기판,상기 기판 위에 위치하는 제1 전극층,상기 제1 전극층 위에 위치하는 정공수집층,상기 정공수집층 위에 위치하는 유기 광흡수층, 및 상기 유기 광흡수층 위에 위치하는 제2 전극층을 포함하고, 상기 유기 광흡수층은 개질된 실리콘 나노입자-옥탄산(Si nanoparticle-octanoic acid, SiNP-OA)이고, 상기 개질된 실리콘 나노입자의 양은 0 보다 크고 상기 유기 광흡수층의 10wt% 이하인 유기태양전지
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 개질된 실리콘 나노입자의 양은 0 보다 크고 상기 유기 광흡수층의 2wt% 이하인 유기태양전지
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 유기 광흡수층은 도너 및 억셉터를 더 포함하고, 상기 도너는 폴리 3-헥실티오펜(Poly(3-hexylthiophene), P3HT), MEH-PPV, MDMO-PPV, APFO-Green1, CuPc 및 ZnPc 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질인 유기태양전지
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 억셉터는 (Phenyl-C61-butyric-Acid-Methyl-Ester, PC61BM), 페릴렌(perylene), PTCBI 및 C60 으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질인 유기태양전지
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 유기광흡수층의 두께는 0 보다 크고 170nm 이하인 유기태양전지
|
| 7 |
7
기판을 제공하는 단계,상기 기판 위에 제1 전극층을 제공하는 단계,상기 제1 전극층 위에 정공수집층을 제공하는 단계,상기 정공수집층 위에 개질된 실리콘 나노입자를 포함하는 유기 광흡수층을 제공하는 단계, 및상기 유기 광흡수층 위에 제2 전극층을 제공하는 단계를 포함하고,상기 유기 광흡수층을 제공하는 단계에서, 상기 유기 광흡수층은 스핀 코팅하여 제공되고, 상기 개질된 실리콘 나노입자는 실리콘 나노입자-옥탄산인 유기태양전지의 제조 방법
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 개질된 실리콘 나노입자는,실리콘 나노입자를 분산 교반하는 단계,N,N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide (DMF)), 4-디메틸아미노피리딘(4-(dimethylamino) pyridine (DMAP)), N,N-디시클로-헥실카르보디이미드(N,N-dicyclo-hexylcarbodiimide (DCC)) 및 옥탄산(octanoic acid)의 혼합 용액에 상기 실리콘 나노입자를 넣어 교반해 혼합물을 제공하는 단계,상기 혼합물을 1차 원심분리하여 침전물을 제공하는 단계,상기 침전물을 메탄올 및 테트라하이트로퓨란(tetrahydrofuran (THF))에 넣고 분산시켜 고형물을 제공하는 단계, 및상기 고형물을 클로로벤젠(chlorobenzene, CB)에 용해시켜서 고형물 용해액을 제공하는 단계,상기 고형물 용해액을 2차 원심분리 및 건조하여 개질된 실리콘 나노입자를 얻는 단계를 포함하는 유기태양전지의 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 개질된 실리콘 나노입자를 얻는 단계에서, 상기 2차 원심분리에 의해 상기 고형물 용해액에 포함된 비반응성 실리콘 나노입자를 제거하는 유기태양전지의 제조 방법
|
