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기판 상에 제1 금속을 함유하는 칼코겐화물 박막을 형성하는 제1 단계;상기 제1 금속의 칼코겐화물 박막 상에 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 전구체 용액을 도포하여 예비 박막을 형성하는 제2 단계; 및 상기 예비 박막을 열처리하여 하기 화학식 3 또는 화학식 4의 조성을 갖는 페로브스카이트 박막으로 변환시키는 제3 단계;를 포함하고,상기 제3 단계동안 상기 칼코겐화물 박막으로부터 상기 제1 금속이 상기 예비박막의 상부 표면까지 확산되어 상기 페로브스카이트 박막이 형성되는 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 박막의 제조방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4]상기 화학식 1 내지 4에서, A는 +1가의 유기 양이온 또는 +1가의 금속 양이온을 나타내고, M1은 +2가의 상기 제1 금속의 양이온을 나타내고, M2는 상기 제1 금속과 다른 +2가의 제2 금속의 양이온을 나타내고, X는 할로겐 음이온을 나타내며, x는 0 초과 1 이하의 실수이다
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제1항에 있어서,상기 제3 단계 이후 상기 제1 금속의 칼코겐화물 박막의 적어도 일부가 잔류하여 상기 페로브스카이트 박막과 상기 잔류하는 제1 금속의 칼코겐화물 박막의 헤테로 접합이 형성되는 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 A는 탄소수 1 내지 6의 알킬암모늄 양이온, 포름아미디늄 양이온 및 Cs1+으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 M1 및 M2는 구리 이온(Cu2+), 니켈 이온(Ni2+), 코발트 이온(Co2+), 철 이온(Fe2+), 망간 이온(Mn2+), 크롬 이온(Cr2+), 팔라듐 이온(Pd2+), 카드뮴 이온(Cd2+), 이테르븀 이온(Yb2+), 납 이온(Pb2+) 및 게르마늄 이온(Ge2+)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하며,상기 X는 불소 이온(F-), 염소 이온(Cl-), 브롬 이온(Br-) 및 요오드 이온(I-)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 금속의 칼코겐화물 박막은 상기 제1 금속의 황화물(S), 셀레늄화물(Se), 텔러륨화물(Te) 및 폴로늄화물(Po)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 금속의 칼코겐화물 박막은 증착의 방법으로 상기 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 예비 박막은 상기 화학식 2의 전구체 용액을 도포하여 형성되고,상기 페로브스카이트 박막은 x는 0 초과 1 이하의 상기 화학식 3의 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 박막의 제조방법
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서로 대향하는 캐소드 전극과 애노드 전극;상기 애노드 전극과 상기 캐소드 전극 사이에 배치되고, 광에너지를 이용하여 전자와 정공을 생성하며, 하기 화학식 3 또는 4의 페로브스카이트 물질로 형성된 광활성층;상기 애노드 전극과 상기 광활성층 사이에 배치되고, 상기 광활성층과 헤테로 접합을 형성할 수 있으며, 제1 금속의 칼코겐화물로 형성된 제1 금속의 칼코겐화물층; 및상기 캐소드 전극과 상기 광활성층 사이에 배치되고, 상기 광활성층에서 생성된 정공과 전자 중 정공의 이동은 차단하고 전자를 상기 캐소드 전극으로 전달하는 전자수송층;을 포함하고,상기 광활성층의 내부 및 상기 전자수송층과 인접한 상기 광활성층의 제1면에는 상기 제1 금속의 칼코겐화물층으로부터 확산된 상기 제1 금속 원소가 도핑된 것을 특징으로 하는, 광전 소자:[화학식 3][화학식 4]상기 화학식 3 및 4에서, A는 +1가의 유기 양이온 또는 +1가의 금속 양이온을 나타내고, M1은 +2가의 상기 제1 금속의 양이온을 나타내고, M2는 상기 제1 금속과 다른 +2가의 제2 금속의 양이온을 나타내고, X는 할로겐 음이온을 나타내며, x는 0 초과 1 이하 실수이다
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제8항에 있어서,상기 A는 탄소수 1 내지 6의 알킬암모늄 양이온, 포름아미디늄 양이온 및 Cs1+으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 M1 및 M2는 구리 이온(Cu2+), 니켈 이온(Ni2+), 코발트 이온(Co2+), 철 이온(Fe2+), 망간 이온(Mn2+), 크롬 이온(Cr2+), 팔라듐 이온(Pd2+), 카드뮴 이온(Cd2+), 이테르븀 이온(Yb2+), 납 이온(Pb2+) 및 게르마늄 이온(Ge2+)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하며,상기 X는 불소 이온(F-), 염소 이온(Cl-), 브롬 이온(Br-) 및 요오드 이온(I-)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 소자
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제8항에 있어서,상기 제1 금속의 칼코겐화물층은 상기 제1 금속의 황화물(S), 셀레늄화물(Se), 텔러륨화물(Te), 폴로늄화물(Po)로 이루어진 그룹에선 선택된 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는, 광전 소자
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제8항에 있어서,상기 애노드 전극과 상기 제1 금속의 칼코겐화물층 사이에 배치되고, 상기 광활성층에서 생성된 정공과 전자 중 전자의 이동은 차단하고 정공을 상기 애노드 전극으로 전달하는 정공수송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 소자
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