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실리카 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 패턴 제조방법 및 이를 이용한 전계방출 음전극

  • 기술번호 : KST2015163469
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판에 탄소나노튜브를 이용하여 전계방출에 유리한 패턴을 제조하기 위한 탄소나노튜브 패턴의 제조방법 및 이를 이용한 전계방출 음전극에 관한 것으로, 세척된 실리콘 기판 상에 실리카 나노입자를 도포하는 제1단계와; 상기 실리카 나노입자를 도포한 실리콘 기판 상에 Al을 도포하여 Al버퍼층을 형성하고, 그 위에 Fe를 도포하여 Fe촉매층을 형성하는 제2단계와; 상기 제2단계 후 환원 열처리를 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 형성된 Al버퍼층으로 실리콘이 확산되도록 하여, 실리콘 기판 상의 Fe촉매층은 불활성화시키고, 실리카 나노입자 상의 Fe촉매층은 활성화시키는 제3단계와; 상기 제3단계 후 탄소나노튜브를 도포하여 Fe촉매층이 활성화된 실리카 나노입자 상에만 선택적으로 탄소나노튜브를 성장시켜 패턴화하는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리카 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 패턴 제조방법 및 이를 이용한 전계방출 음전극을 기술적 요지로 한다. 이에 따라 실리콘 기판 상의 실리카 나노입자 상에만 탄소나노튜브가 선택적으로 성장하게 되므로 sub-micrometer 수준의 탄소나노튜브를 수직으로 성장시키는 패턴의 제조가 가능하여 고전류형 전계방출 음전극(field emission cold cathode)에 활용할 수 있는 이점이 있다. 탄소나노튜브 전계방출 실리카 나노입자 Fe촉매 Al버퍼
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H05B 33/00 (2006.01)
CPC C01B 33/12(2013.01) C01B 33/12(2013.01) C01B 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090110159 (2009.11.16)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1104381-0000 (2012.01.03)
공개번호/일자 10-2011-0053576 (2011.05.24) 문서열기
공고번호/일자 (20120116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.16)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차승일 대한민국 경상남도 창원시
2 황규현 대한민국 경상남도 창원시
3 방 욱 대한민국 경상남도 창원시
4 주성재 대한민국 경상남도 창원시
5 강인호 대한민국 경상남도 진주시
6 정희진 대한민국 경상남도 창원시 가

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사유원 대구광역시 달서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0700702-87
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0364999-20
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0584770-30
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0745359-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
세척된 실리콘 기판 상에 실리카 나노입자를 도포하는 제1단계와; 상기 실리카 나노입자를 도포한 실리콘 기판 상에 Al을 도포하여 Al버퍼층을 형성하고, 그 위에 Fe를 도포하여 Fe촉매층을 형성하는 제2단계와; 상기 제2단계 후 환원 열처리를 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 형성된 Al버퍼층으로 실리콘이 확산되도록 하여, 실리콘 기판 상의 Fe촉매층은 불활성화시키고, 실리카 나노입자 상의 Fe촉매층은 활성화시키는 제3단계와; 상기 제3단계 후 탄소나노튜브를 도포하여 Fe촉매층이 활성화된 실리카 나노입자 상에만 선택적으로 탄소나노튜브를 성장시켜 패턴화하는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리카 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 패턴 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 실리카 나노입자 도포시에, 실리카 나노입자 고분자 복합재료를 도포하여 실리카 나노입자 간 간격을 제어하는 것을 특징으로 하는 실리카 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 패턴 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 환원 열처리는 500℃~800℃에서, 1분~15분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리카 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 패턴 제조방법
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