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자기냉동물질 증착 방법

  • 기술번호 : KST2015163630
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기냉동물질 증착 방법에 관한 것으로, 챔버내에서 동시증발법을 이용하여 자기냉동물질을 증발시켜 박막을 형성시키는 자기냉동물질 증발방법에 있어서, 증발시키기 위한 이종의 원료물질이 수용된 두 개 이상의 도가니 중 하나의 도가니를 가열하여 원료물질을 증발시키고 동시에 1개의 QCM 증착률 측정기에 설치된 다수개의 QCM(quartz crystal moniter) 가이드 중 상기 도가니에 대응되는 QCM(quartz crystal moniter) 가이드를 선택하여 QCM(quartz crystal moniter) 가이드로 증발되는 원료물질의 증발량을 QCM(quartz crystal moniter) 센서를 이용하여 증발율을 측정하여 기준 증발율이 되도록 도가니를 가열하고, 나머지 도가니에 대해서도 각각의 원료물질을 증발시켜 각각의 도가니에 대응되는 QCM(quartz crystal moniter) 가이드를 선택하여 QCM(quartz crystal moniter) 가이드로 증발되는 각각의 원료물질의 증발량을 QCM(quartz crystal moniter) 센서를 이용하여 증발율을 측정하여 원료물질 각각의 기준 증발율이 되도록 도가니를 가열하는 기준 증발율 형성단계와; 상기 기준증발율 형성단계에서와 동일한 방법으로 각각의 도가니에 대응되는 QCM(quartz crystal moniter) 가이드를 선택하여 각각의 도가니에서 증발되는 증발율을 QCM(quartz crystal moniter) 센서를 이용하여 순차적으로 측정하여 각각의 도가니에서 증발되는 원료물질의 증발율이 기준 증발율이 되도록 도가니의 가열설정온도를 미세조정시키는 기준 증발율 미세조정단계; 그리고, 상기 기준 증발율 미세조정단계에서 설정된 도가니의 가열설정온도가 되도록 도가니를 가열한 상태에서 각각의 도가니에서 증발된 원료물질을 기판에 증착하여 박막을 형성시키는 박막 형성단계;를 포함하여 구성되는 자기냉동물질 증착 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 다수의 자기냉동물질의 원료물질을 증발시켜 박막을 형성시키되, 원료물질의 증발율을 기준치가 되도록 미세조정하여 증발시킴에 의해 증착된 자기냉동물질 박막의 증착 조성비를 일정하게 유지시키는 이점이 있다.
Int. CL C23C 14/24 (2006.01) C23C 14/04 (2006.01)
CPC C23C 14/24(2013.01) C23C 14/24(2013.01) C23C 14/24(2013.01) C23C 14/24(2013.01) C23C 14/24(2013.01)
출원번호/일자 1020110120226 (2011.11.17)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1371681-0000 (2014.03.03)
공개번호/일자 10-2013-0054689 (2013.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20140310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.17)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호섭 대한민국 경상남도 김해시
2 오상수 대한민국 경상남도 김해시
3 백승규 대한민국 경상남도 창원시
4 하홍수 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0909849-27
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0912976-99
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0005498-79
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0456453-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0800839-73
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0800856-49
8 등록결정서
Decision to grant
2013.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0838726-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
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챔버내에서 동시증발법을 이용하여 자기냉동물질을 증발시켜 박막을 형성시키는 자기냉동물질 증발방법에 있어서, 증발시키기 위한 이종의 원료물질이 수용된 두 개 이상의 도가니 중 하나의 도가니를 가열하여 원료물질을 증발시키고 동시에 1개의 QCM 증착률 측정기에 설치된 다수개의 QCM(quartz crystal moniter) 가이드 중 상기 도가니에 대응되는 QCM(quartz crystal moniter) 가이드를 선택하여 QCM(quartz crystal moniter) 가이드로 증발되는 원료물질의 증발량을 QCM(quartz crystal moniter) 센서를 이용하여 증발율을 측정하여 기준 증발율이 되도록 도가니를 가열하고, 나머지 도가니에 대해서도 각각의 원료물질을 증발시켜 각각의 도가니에 대응되는 QCM(quartz crystal moniter) 가이드를 선택하여 QCM(quartz crystal moniter) 가이드로 증발되는 각각의 원료물질의 증발량을 QCM(quartz crystal moniter) 센서를 이용하여 증발율을 측정하여 원료물질 각각의 기준 증발율이 되도록 도가니를 가열하는 기준 증발율 형성단계와; 상기 기준증발율 형성단계에서와 동일한 방법으로 각각의 도가니에 대응되는 QCM(quartz crystal moniter) 가이드를 선택하여 각각의 도가니에서 증발되는 증발율을 QCM(quartz crystal moniter) 센서를 이용하여 순차적으로 측정하여 각각의 도가니에서 증발되는 원료물질의 증발율이 기준 증발율이 되도록 도가니의 가열설정온도를 미세조정시키는 기준 증발율 미세조정단계; 그리고, 상기 기준 증발율 미세조정단계에서 설정된 도가니의 가열설정온도가 되도록 도가니를 가열한 상태에서 각각의 도가니에서 증발된 원료물질을 기판에 증착하여 박막을 형성시키는 박막 형성단계;를 포함하여 구성되고, 이종의 원료물질이 기판에 도달하는 경로 상에 형성된 증착영역제어판에 의해 박막의 조성비가 기판의 위치에 따라 경사적으로 형성된 것을 특징으로 하는 자기냉동물질 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 챔버는 10-5 Torr이하가 됨을 특징으로 하는 자기냉동물질 증착방법
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삭제
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기준 증발율 미세조정단계는 2회 이상 진행됨을 특징으로 하는 자기냉동물질 증착 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.