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(가) 각각의 실리콘 웨이퍼 상에 절연막을 형성한 제1기판과 제2기판을 절연막이 서로 접촉되도록 접합하고, 상기 제1기판을 일정 두께까지 연마하는 단계; (나) 상기 제1기판에 포토마스크(Photomask)를 이용한 Photo-lithography 공정과 건식 식각 공정을 적용하여 상기 절연막이 드러날 때까지 식각된 실리콘 그리드 패턴을 형성하는 단계;(다) 상기 제1기판과 상기 제2기판의 전면에 절연막을 형성하는 단계;(라) 상기 제2기판에 포토마스크(Photomask)를 이용한 Photo-lithography 공정과 식각 공정을 적용하여 상기 그리드 패턴에 대응되는 위치의 상기 (다) 단계의 절연막을 제거하고, 상기 제2기판에 습식 식각 공정을 더 적용하여 상기 그리드 패턴에 대응되는 위치에 실리콘 개구부를 형성하는 단계;(마) 상기 제1기판과 상기 제2기판에 남아있는 절연막들을 전체적으로 제거하고, 상기 제1기판과 상기 2기판에 다시 절연막을 형성하는 단계; 및(바) 상기 제1기판에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 절연막은, 실리콘 산화막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,(나) 단계에서 상기 건식 식각 공정은, SF6 와 C4F8 반응가스를 이용한 DRIE(Deep Reactive Ion etching) 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,(라) 단계에서 상기 습식 식각 공정은, TMAH 25%와 80°C에서 진행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로 그리드 구조물 제조 방법은,(바) 단계 후에, 상기 제2기판에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로 그리드 구조물 제조 방법은,상기 (가) 내지 (바) 단계를 통하여 제조된 제1마이크로 그리드 구조물과 제2마이크로 그리드 구조물을 상기 금속층이 접촉되도록 접합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 마이크로 그리드 구조물 제조 방법은,상기 제1마이크로 그리드 구조물 쪽이나 상기 제2마이크로 그리드 구조물 중 어느 한쪽이나 양쪽에 금속층을 더 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 그리드 구조물 제조 방법
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