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에이치브이피이법을 이용하여 제조된 피-형 반도체 및 그제조방법

기술번호 : KST2015167204
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 HVPE법을 이용하여 제조된 p형 반도체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 질화갈륨 기판을 제조하기 위한 장치를 이용하여 금속 Ⅲ-족 원소가 담기는 용기에 불순물로 첨가될 p형 도펀트(dopant)를 함께 담고 제1가스 주입관을 통해 불활성(inert) 가스만을 공급하고, 제2가스 주입관을 통해 V-족 원소를 포함하는 기체를 공급함으로써 모기판 상부에 p형 반도체가 형성되도록 하는 p형 반도체의 제조방법 및 그 방법으로 제조된 p형 반도체를 제공한다.p형 반도체
Int. CL	H01L 21/20 (2011.01) H01L 21/205 (2011.01)
CPC	H01L 21/02293(2013.01) H01L 21/02293(2013.01) H01L 21/02293(2013.01) H01L 21/02293(2013.01)
출원번호/일자	1020060045288 (2006.05.19)
출원인	경희대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0710007-0000 (2007.04.16)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20070423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.05.19)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	경희대학교 산학협력단	대한민국	경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김진교	대한민국	서울 중구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	오세중	대한민국	서울시 강남구 테헤란로 *, ** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	경희대학교 산학협력단	대한민국	경기도 용인시 기흥구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.05.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0351547-05
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.01.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.02.09	수리 (Accepted)	9-1-2007-0008217-85
4	등록결정서 Decision to grant	2007.02.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0099417-14
5	출원인변경신고서 Applicant change Notification	2007.04.05	수리 (Accepted)	1-1-2007-0264277-98
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2007.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2007-5065076-36
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2007.09.07	수리 (Accepted)	4-1-2007-5139506-36
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.02.05	수리 (Accepted)	4-1-2008-5020006-08
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.09	수리 (Accepted)	4-1-2015-5029677-09
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.19	수리 (Accepted)	4-1-2019-5164254-26

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 질화갈륨 후막 제조장치를 이용하여, 하나의 용기에 Ⅲ-족 원소와 p형 도펀트를 담는 단계와; 상기 용기를 통과하는 가스 주입관을 통해 불활성 가스를 주입하는 단계와;다른 가스 주입관으로 V-족 원소를 포함하는 기체를 투입하여 모기판 상부에 P형 반도체를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 모기판은 사파이어 기판, SiC 기판, Si 기판, GaAs 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체의 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 Ⅲ-족 원소는 Ga, In, Al 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체의 제조방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 p형 도펀트는 Mg, Zn, Cd, Be 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체의 제조방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 V-족 원소를 포함하는 기체는 NH3 또는 N2H4인 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체의 제조방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 불활성 가스는 N2, H2, 아르곤 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체의 제조방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 모기판의 온도는 350℃ 이상으로 유지되는 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체의 제조방법
8	8 제 1 항의 방법을 이용하여 제조된 p형 반도체는 Ⅲ-V족 반도체인 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용하여 제조된 p형 반도체
9	9 제 8 항에 있어서,상기 Ⅲ-V족 반도체는 그 구조가 박막, 나노로드, 나노튜브 또는 포러스 재료 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용하여 제조된 p형 반도체
10	10 제 1 항 또는 제 3 항의 방법을 이용하여 제조된 p형 반도체는 p형 질화갈륨 반도체인 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용하여 제조된 p형 반도체

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특허 등록번호	10-0710007-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20060519 출원 번호 : 1020060045288 공고 연월일 : 20070423 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070221 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 21/20 발명의 명칭 : 에이치브이피이법을 이용하여 제조된 피-형 반도체 및 그제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20130417

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	310,500 원	2007년 04월 17일	납입
제 4 년분	금 액	260,000 원	2010년 03월 10일	납입
제 5 년분	금 액	260,000 원	2011년 04월 18일	납입
제 6 년분	금 액	260,000 원	2012년 04월 17일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.05.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0351547-05
2	선행기술조사의뢰서	2007.01.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.02.09	수리 (Accepted)	9-1-2007-0008217-85
4	등록결정서	2007.02.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0099417-14
5	출원인변경신고서	2007.04.05	수리 (Accepted)	1-1-2007-0264277-98
6	출원인정보변경(경정)신고서	2007.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2007-5065076-36
7	출원인정보변경(경정)신고서	2007.09.07	수리 (Accepted)	4-1-2007-5139506-36
8	출원인정보변경(경정)신고서	2008.02.05	수리 (Accepted)	4-1-2008-5020006-08
9	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.09	수리 (Accepted)	4-1-2015-5029677-09
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.19	수리 (Accepted)	4-1-2019-5164254-26

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