맞춤기술찾기

이전대상기술

에이치브이피이법을 이용한 피형 반도체 제조방법

  • 기술번호 : KST2015167221
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 HVPE를 이용한 p형 반도체 제조방법에 관한 것으로, 특히, HVPE를 이용하여 반도체를 제조하는 장치에 p형 도펀트를 박막형태로 기판 상부에 도포하고, 그 기판을 상기 반도체 제조장치 내부에 장착한 후 하나의 주입관을 통해 Ⅲ-족 원소가 담긴 용기를 통과하는 염화수소 가스를 주입하고, 다른 주입관을 통해서 Ⅴ-족 원소를 포함하는 기체를 주입하여 상기 p형 도펀트가 도포된 기판 상부에 Ⅲ-Ⅴ족 반도체가 형성되면서 도포된 p형 도펀트들이 상기 형성된 반도체 내부로 확산에 의해 도핑(doping)되어 p형 반도체를 제조하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체 제조방법을 제공한다. p형 반도체, p형 도펀트(dopant)
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) H01L 21/22 (2011.01)
CPC H01L 21/02293(2013.01) H01L 21/02293(2013.01) H01L 21/02293(2013.01)
출원번호/일자 1020080035571 (2008.04.17)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0110012 (2009.10.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.17)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구
2 이상화 대한민국 서울 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0273491-08
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.13 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0424840-37
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0435096-21
4 보정요구서
Request for Amendment
2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0076845-39
5 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0076846-85
6 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0091923-00
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0083796-66
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0190809-59
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
HVPE법을 이용한 반도체 제조장치를 이용하여, 상기 반도체 제조장치에 장착할 기판에 p형 도펀트를 도포하는 단계와; 상기 p형 도펀트가 도포된 기판을 상기 반도체 제조장치의 기판홀더에 장착하는 단계와; 상기 반도체 제조장치의 Ⅲ-족 원소가 담긴 용기를 통과하는 주입관으로 할리드 가스를 주입하는 단계와; 상기 반도체 제조장치의 다른 주입관으로 Ⅴ-족 원소를 포함하는 기체를 주입하는 단계를 포함하여서, 상기 기판 상부에 성장하는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체에 p형 도펀트들이 확산에 의해 도핑되어서 p형 반도체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 p형 도펀트는 마그네슘인 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 할리드 가스를 주입하는 가스 주입관으로는 불활성 가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 불활성 가스는 질소(N2), 수소(H2) 그리고 아르곤(Ar) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는HVPE법을 이용한 p형 반도체 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 HVPE법을 이용한 반도체 제조장치는 Ⅲ-Ⅴ족 나노 구조체 제조장치 또는 수소화 기상 증착 장치 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 HVPE법을 이용한 p형 반도체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 국민대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노공정 기술 및 장비 개발 산학연 혁신 클러스터