1 |
1
유기 박막을 형성하는 장치에 있어서,유입된 기판의 온도를 제어할 수 있는 기판 홀더와, 상기 기판 홀더를 회전되도록 하는 회전수단과, 벽의 외부 또는 상기 벽의 내부에 부착되며, 벽의 내측 온도가 200℃ 이상 되도록 내측 벽을 가열하는 히터와, 외부에서 내측으로 가스가 주입될 수 있도록 형성된 가스 주입구를 포함하여, 기판에 유기 반도체를 증착시키는 유기반도체 증착 챔버; 및상기 유기반도체 증착 챔버 외부 벽에 부착되어 유기반도체를 승화시키는 유기물질 승화챔버;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 장치
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 유기물질 승화챔버 내부 벽의 온도가,200℃ 이상인 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 장치
|
4 |
4
제 3 항에 있어서, 상기 유기 반도체가,펜타센 등의 벤젠기가 부착된 유기물인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 장치
|
5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 유기반도체 증착 챔버에 유기 박막을 증착 후에 사용되는 파릴렌(parylene) 증착이 가능한 페릴렌 증착챔버가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 장치
|
6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 유기반도체 증착 챔버에 알루미늄 등의 음극 전극을 증착할 수 있는 음극전극 증착챔버가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 장치
|
7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 기판 홀더의 표면 온도가 상기 유기반도체 증착챔버의 내부 벽 온도 보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 장치
|
8 |
8
제 7 항에 있어서, 상기 기판 홀더 상에 놓여지는 기판 상에 유기 반도체가 증착될 때에 화소내의 일부에만 증착되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 장치
|
9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체가,펜타신인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 장치
|