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유기발광소자의 제조방법 및 이를 이용한 유기발광소자

  • 기술번호 : KST2015167281
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 유기발광소자의 제조방법은 제1전극, 제1전극 상에 구비된 유기발광층, 상기 유기발광층 상에 구비된 제2전극 및 상기 제2전극 상에 구비된 투명기재를 포함하는 유기발광소자의 제조방법으로서, 상기 투명기재 상에 금속층을 형성시키는 제1단계, 진공오븐에서 복사열로 상기 금속층을 디웨팅(dewetting) 처리하여 상기 금속층에 제1다공영역을 형성하는 제2단계, 상기 제1다공영역을 습식식각 처리하여 상기 투명기재 상에 제2다공영역을 형성하는 제3단계 및 상기 금속층을 제거하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5268(2013.01)
출원번호/일자 1020140038435 (2014.04.01)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2145636-0000 (2020.08.11)
공개번호/일자 10-2015-0114179 (2015.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20200818) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.03.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서민철 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0311478-92
2 증명서류 제출기한 안내문 공지예외적용주장
Claim of Exclusion from Being Publically Known of Notification of Submission Date of Certificate
2014.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0059290-53
3 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2014.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0390662-72
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0296200-03
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0422049-72
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.09.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0145875-18
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0941660-80
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0200719-27
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0200718-82
13 등록결정서
Decision to grant
2020.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0508726-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1전극, 제1전극 상에 구비된 유기발광층, 상기 유기발광층 상에 구비된 제2전극 및 상기 제2전극 상에 구비된 투명기재를 포함하는 유기발광소자의 제조방법으로서,상기 투명기재 상에 금속층을 형성시키는 제1단계;진공오븐에서 복사열로 상기 금속층을 디웨팅(dewetting) 처리하여 상기 금속층에 제1다공영역을 형성하는 제2단계;상기 제1다공영역을 습식식각 처리하여 상기 투명기재 상에 제2다공영역을 형성하는 제3단계; 및상기 금속층을 제거하는 제4단계를 포함하고,상기 제3단계는 식각용액의 농도 및 식각 시간을 조절하여 상기 제2다공영역의 크기나 밀도를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제2단계는 디웨팅(dewetting) 처리 온도 및 시간을 조절하여 상기 제1다공영역의 크기나 밀도를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 제2단계에서 디웨팅(dewetting) 처리 온도는 80℃ 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 투명기재는 기판, 봉지층(encapsulation layer) 및 캐핑층(capping layer) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
6 6
제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 따라 제조되는 유기발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 전자정보디바이스산업원천기술개발 에너지 절감을 위한 외광효율이 최대 100% 향상된 OLED용 광추출 기초 원천기술 개발