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플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판

  • 기술번호 : KST2015169290
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기존의 플렉서블 기판의 낮은 공정 가능 온도, 높은 표면 거칠기, 높은 열팽창 계수, 나쁜 핸들링 특성의 문제에 따른 플렉서블 전자소자의 성능 및 수율 저하의 문제점을 해결하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 플렉서블 전자소자의 제조방법은, 모기판 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 기판을 모기판과 분리시키는 단계 및 상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G02F 1/13 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01)
출원번호/일자 1020100042223 (2010.05.06)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1063361-0000 (2011.09.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.06)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김기수 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 홍기현 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 이일환 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0290122-78
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0395636-18
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0158614-01
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.03.25 수리 (Accepted) 9-1-2011-0028107-57
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0246049-47
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0399137-64
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0399138-10
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0427196-96
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0599751-13
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.08.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0599752-69
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2011.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0463800-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
모기판 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계; 상기 플렉서블 기판을 모기판으로부터 분리시키는 단계; 및상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 플렉서블 기판이 형성되는 모기판 면의 표면거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0003c#Rms003c#100㎚, 0003c#Rp-v003c#1000㎚로 조절되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
2 2
모기판 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;일면에 접착층이 형성된 임시기판을 상기 접착층을 이용하여 상기 플렉서블 기판 상에 부착하는 단계;상기 플렉서블 기판을 상기 모기판으로부터 분리시키는 단계; 및 상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 플렉서블 기판과 모기판 사이에 박리층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 기판과 모기판 사이에 평탄화층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 박리층의 일면 또는 양면에 평탄화층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
6 6
제 2 항에 있어서, 상기 임시기판과 접착층의 사이에 분리층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
7 7
제 2 항에 있어서, 추가로 상기 임시기판을 플렉서블 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 모기판의 형상은 평판, 반원통형 또는 원통형인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
10 10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 모기판은 유리, 금속 또는 고분자 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
11 11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은, 2 이상의 다른 재료로 적층한 복합구조인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
12 12
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In
14 14
제 2 항에 있어서,상기 접착층은, 에폭시, 실리콘, 또는 아크릴 계열의 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 고분자 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
15 15
제 4 항에 있어서, 상기 평탄화층은 폴리이미드(Polyimide:PI) 또는 폴리이미드를 포함하는 공중합체, 폴리아크릴산(polyacrylic acid) 또는 폴리아크릴산을 포함하는 공중합체, 폴리스티렌(polystyrene) 또는 폴리스티렌을 포함하는 공중합체, 폴리설파이트(polysulfate) 또는 폴리설파이트를 포함하는 공중합체, 폴리아믹산(polyamic acid) 또는 폴리아믹산을 포함하는 공중합체, 폴리아민(polyamine) 또는 폴리아민을 포함하는 공중합체, 폴리비닐 알콜(Polyvinylalcohol; PVA), 폴리 알릴아민(Polyallyamine) 및 폴리아크릴산(polyacrylic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
16 16
제 5 항에 있어서,상기 평탄화층은 폴리이미드(Polyimide:PI) 또는 폴리이미드를 포함하는 공중합체, 폴리아크릴산(polyacrylic acid) 또는 폴리아크릴산을 포함하는 공중합체, 폴리스티렌(polystyrene) 또는 폴리스티렌을 포함하는 공중합체, 폴리설파이트(polysulfate) 또는 폴리설파이트를 포함하는 공중합체, 폴리아믹산(polyamic acid) 또는 폴리아믹산을 포함하는 공중합체, 폴리아민(polyamine) 또는 폴리아민을 포함하는 공중합체, 폴리비닐 알콜(Polyvinylalcohol; PVA), 폴리 알릴아민(Polyallyamine) 및 폴리아크릴산(polyacrylic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
17 17
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 주조법, 전자선 증착법, 열 증착법, 스퍼터 증착법, 화학기상 증착법 또는 전기 도금법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
18 18
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전자소자는, 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display: OLED), 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 전기영동장치(Electrophoretic display: EPD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma display panel: PDP), 박막 트랜지스터(thin-film transistor: TFT), 마이크로 프로세서(microprocessor) 및 램(Random access memory: RAM)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
19 19
제 2 항에 있어서,상기 접착층은 SiO2, MgO, ZrO2, Al2O3, Ni, Al 및 운모로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 물질을 포함하며 사용온도가 450℃ 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자소자의 제조방법
20 20
삭제
21 21
표면거칠기가 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0003c#Rms003c#100㎚, 0003c#Rp-v003c#1000㎚로 조절된 모기판 상에 플렉서블 기판을 형성하고 상기 모기판으로부터 분리한 후 상기 모기판으로부터 분리된 플렉서블 기판의 분리면을 전자소자 형성면으로 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판
22 22
삭제
23 23
제 21 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판
24 24
제 23 항에 있어서, 상기 금속은 인바(INVAR)합금 또는 스테인리스강인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판
25 25
제 21 항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은 1㎛ 내지 500㎛의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판
26 26
제 21 항에 있어서,상기 전자소자는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display: OLED), 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 전기영동장치(Electrophoretic display: EPD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma display panel: PDP), 박막 트랜지스터(thin-film transistor: TFT), 마이크로 프로세서(microprocessor) 및 램(Random access memory: RAM)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판
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1 지식 경제부 한국화학연구원 21세기 프로티어사업 대면적 Flexible Display를 위한 Laser Lift-off