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양단의 직경이 다른 비대칭 나노선 채널;상기 나노선 채널의 직경이 큰 영역에 인접하는 소스 영역;상기 나노선 채널의 직경이 작은 영역에 인접하는 드레인 영역;상기 나노선 채널을 둘러싸는 게이트 전극; 및상기 나노선 채널과 상기 게이트 전극 사이에 위치하는 게이트 절연막을 포함하는 나노선 전계효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 비대칭 나노선 채널의 직경은 소스 영역으로부터 드레인 영역으로 갈수록 감소하는 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 소스 영역에 인접하도록 배치되는 기판을 더 포함하는 나노선 전계효과 트랜지스터
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제3항에 있어서,상기 나노선 채널은 상기 기판의 수직 방향으로 형성되는 나노선 전계효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 비대칭 나노선 채널은 실리콘으로 이루어진 나노선 전계효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 비대칭 나노선 채널의 직경은 5nm ∼ 1μm인 나노선 전계효과 트랜지스터
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7
제1항에 있어서,상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 동일한 불순물이 주입되되, 상기 주입되는 불순물의 농도가 서로 다른 나노선 전계효과 트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 드레인 영역에 주입되는 불순물 농도가 상기 소스 영역에 주입되는 불순물 농도에 비해 높은 나노선 전계효과 트랜지스터
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9
제7항에 있어서,상기 불순물은 붕소(B), 이불화붕소(BF2), 인(P), 비소(As) 또는 안티몬(Sb)인 나노선 전계효과 트랜지스터
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양단의 직경이 서로 다른 비대칭 나노선을 형성하는 단계;상기 나노선의 일단에 불순물을 주입하여, 소스 영역 및 드레인 영역 중에서 어느 하나를 정의하는 단계;상기 나노선의 일부를 둘러싸도록 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막을 둘러싸도록 게이트 전극을 형성하는 단계 및상기 나노선의 타단에 불순물을 주입하여 소스 영역 및 드레인 영역 중에서 나머지 하나를 정의하는 단계를 포함하는 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 비대칭 나노선은 탑-다운 방식 또는 바텀-업 방식으로 형성되는 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 나노선의 일단에 주입되는 불순물의 농도와, 상기 나노선의 타단에 주입되는 불순물의 농도를 서로 다르게 하는 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 주입되는 불순물의 농도는 1017cm-3 ∼ 1021cm-3인 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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