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애노드와 캐소드 사이에 하나 이상의 전하생성층을 포함하는 적층형 유기 발광 소자에 있어서,상기 애노드 상에 a개의 발광 단위층과 a-1 개의 전하생성층이 교번 배치되고, 상기 전하생성층은 상기 애노드 방향으로 구비되는 n-형 층 및 상기 캐소드 방향으로 구비되는 p-형 층을 포함하며,상기 n-형 층은 전자전달물질에 하기 화학식 1로 표현되는 금속 나이트라이드(nitride) 화합물을 도펀트로 사용하여 진공 증착되고, 상기 p-형 층은 호스트 물질을 단독으로 사용하거나 p-형 도펀트가 도핑된 것을 특징으로 하는 적층형 유기 발광 소자이되,상기 금속 나이트라이드 화합물은 Li3N인 적층형 유기 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 전자전달물질은 TPBI, TAZ, Balq3, 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, Bphen), 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), BCP 중 하나 이상인 적층형 유기 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 p-형 층은 p-형 도펀트로 도핑된 정공전달층(p-doped HTL), 금속 산화물질 또는 정공주입 유기물층 중 하나 이상인 적층형 유기 발광 소자
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제4항에 있어서,상기 p-형 도펀트는 Pc(Phthalocyanine), F4-TCNQ, FeCl3, V2O5, WO3, MoO3, ReO3, Fe3O4, MnO2, SnO2, CoO2, TiO2 에서 선택되는 하나 이상인 적층형 유기 발광 소자
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제4항에 있어서,상기 금속 산화물은 V2O5, WO3, MoO3, ReO3, Fe3O4, MnO2, SnO2, CoO2, TiO2 에서 선택되는 하나 이상인 적층형 유기 발광 소자
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제4항에 있어서,상기 정공주입 유기물층은 HAT-CN 또는 C60인 적층형 유기 발광 소자
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제1항 및 제3항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 전하생성층은 n-형 층과 p-형 층의 사이에 금속 박막층을 포함하는 적층형 유기 발광 소자
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제8항에 있어서,상기 금속 박막층은 Al, Ag 또는 Au 중 하나 이상으로 이루어지는 적층형 유기 발광 소자
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제1항, 및 제3항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 a는 2인 것을 특징으로 하는 적층형 유기 발광 소자
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