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유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법(Organic Light-Emitting Field-effect Transistors and Manufacturing Method Thereof)

  • 기술번호 : KST2016008461
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 게이트 전극; 유기막; 및 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 유기발광 트랜지스터에 관한 것으로, 상기 유기막은 전자 수송층은 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드 화합물을, 상기 홀 수송층은 구리 프탈로시아닌 화합물을 포함하는 것을 특징으로 함으로써, 공기 중에서도 전계이동도 및 정공과 전자의 이동도 균형이 우수할 뿐만 아니라, 안정성이 더욱 향상되었다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020140131193 (2014.09.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0038353 (2016.04.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종호 대한민국 서울특별시 성북구
2 오정도 대한민국 서울특별시 성북구
3 김대규 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0933983-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0045439-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0569238-95
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0976925-32
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-1085662-09
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-1203785-41
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0023500-91
9 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2017.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0005823-04
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0132969-13
11 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 2017.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0106193-82
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0232725-03
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0232751-80
14 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0508800-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판의 하부에 형성된 게이트 전극;상기 기판의 상부에 형성된 유기막; 및상기 유기막의 상부에 형성된 소스전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 유기막은 하부로부터 순차적으로 적층된 전자 수송층 및 홀 수송층을 포함하며,상기 전자 수송층은 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드 화합물을, 상기 홀 수송층은 구리 프탈로시아닌 화합물을 포함하며,상기 전자 수송층의 두께는 100 ~ 120 Å, 홀 수송층의 두께는 270 ~ 290 Å이며,상기 기판은 n 형 실리콘기판 또는 플라스틱 기판이며,상기 기판과 유기막 사이에 절연층이 구비되되, 상기 절연층은 이산화실리콘을 포함하는 제1 절연층과 PMMA를 포함하는 제2 절연층이 순서대로 적층되어 형성된 것이며,상기 제1 절연층의 두께는 2000 Å, 상기 제2 절연층의 두께는 200 내지 400 Å이며,상기 소스전극은 일단으로부터 빗살 형상으로 소정의 간격을 두고 연장되어 형성된 복수 개의 제1 가지를 포함하되, 상기 드레인 전극은 빗살 형상으로 소정의 간격을 두고 상기 소스 전극의 일단을 향하여 연장되고, 상기 제1 가지와 엇갈리게 배치되는 제2 가지를 포함하며,상기 소스 전극과 드레인 전극의 너비(d)는 14
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ⅰ) 기판의 하부에 게이트 전극을 형성하는 단계;ⅱ) 상기 게이트 전극이 형성된 기판의 상부에 200 내지 400 Å 두께의 PMMA를 포함하는 절연층을 형성하는 단계;ⅲ) 제1 노즐을 구비한 제1 도가니 및 제2 노즐을 구비한 제2 도가니를 포함하는 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 상기 기판을 삽입하는 단계;ⅳ) N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드(N,N'-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide) 화합물을 상기 제1 도가니 내부에 넣고 전압 인가 방식에 의하여 가열함으로써 증기화하고, 상기 증기화된 화합물을 상기 제1 노즐을 통하여 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 공급함으로써 상기 기판 상에 전자 수송층을 증착하는 단계;ⅴ) 구리 프탈로시아닌 화합물을 상기 제2 도가니 내부에 넣고 전압 인가 방식에 의하여 가열함으로써 증기화하고, 상기 증기화된 화합물을 제 2 노즐을 통하여 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 공급함으로써 상기 전자 수송층의 상부에 홀 수송층을 증착하는 단계; 및ⅵ) 상기 홀 수송층의 상부에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 기판은 n형 실리콘기판; 또는 플라스틱 기판이며,상기 ⅰ) 단계 이후 상기 실리콘 기판의 표면을 열산화법으로 2000 Å 두께의 이산화실리콘(SiO2)로 이루어진 제1 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 제1 도가니의 온도는 250 ~ 290 ℃이고, 제2 도가니의 온도는 280~300 ℃이며,상기 전자 수송층의 두께는 100~120 Å, 상기 홀 수송층의 두께는 270~290 Å이며,상기 전자 수송층의 증착속도는 1
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 고려대학교 산학협력단 （이공）중점연구소지원 ［2단계1차년도］π－전자 제어를 통한 신기능성 분자체연구
2 산업통상자원부 고려대학교 산학협력단 사업화연계기술개발사업（R＆BD） [RCMS]＇13년도 사업화연계기술개발（R＆BD）사업 － 기관연계형
3 미래창조과학부 고려대학교 산학협력단 （이공）중견연구자지원사업 ［1차년도］방향족 과도화학종의 반응성과 응용성에 관한 연구