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3단자 시냅스 소자 및 그 동작방법

  • 기술번호 : KST2015169854
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3단자 시냅스 소자 및 그 동작방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 3단자 시냅스 소자는 기판 상에 형성된 드레인층과, 상기 드레인층 상에 구비된 게이트층과, 상기 기판 상에 수직으로 적층되고, 상기 드레인층 및 게이트층과 대향하는 소스층과, 상기 드레인층 및 상기 게이트층과 상기 소스층 사이에 구비되고, 서로 다른 이온 이동도를 갖는 제1 및 제2 수직 절연층을 포함한다. 상기 제1 및 제2 수직 절연층은 상기 드레인층 및 상기 게이트층의 측면을 덮을 수 있다. 상기 제2 수직 절연층의 이온 이동도는 상기 제1 수직 절연층의 이온 이동도보다 클 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020130128019 (2013.10.25)
출원인 삼성전자주식회사, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2051041-0000 (2019.11.25)
공개번호/일자 10-2015-0047930 (2015.05.06) 문서열기
공고번호/일자 (20191129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.10.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영배 대한민국 서울 서초구
2 황현상 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0969893-91
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-1028379-81
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2019-0031769-19
6 등록결정서
Decision to grant		 2019.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0764778-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판기판 상에 형성된 드레인층상기 드레인층 상에 구비된 게이트층상기 기판 상에 수직으로 적층되고, 상기 드레인층 및 게이트층과 대향하는 소스층 및상기 드레인층 및 상기 게이트층과 상기 소스층 사이에 구비되고, 서로 다른 이온 이동도를 갖는 제1 및 제2 수직 절연층을 포함하는 3단자 시냅스 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 수직 절연층은 상기 드레인층 및 상기 게이트층의 측면을 덮는 3단자 시냅스 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제2 수직 절연층의 이온 이동도는 상기 제1 수직 절연층의 이온 이동도보다 큰 3단자 시냅스 소자
4 4
드레인층, 소스층 및 게이트층을 포함하는 3단자 시냅스 소자의 동작방법에 있어서,상기 게이트층은 상기 드레인층 상에 구비되고,상기 소스층은 상기 드레인층 및 게이트층과 대향하며,상기 드레인층 및 상기 게이트층과 상기 소스층 사이에 서로 다른 이온 이동도를 갖는 제1 및 제2 수직 절연층이 구비되어 있으며,상기 드레인층과 상기 소스층 사이에 전위차를 형성하여 상기 제1 및 제2 수직 절연층의 저항을 변화시키는 3단자 시냅스 소자의 동작방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제1 및 제2 수직 절연층에 금속이온을 포함하는 필라멘트를 형성하는 3단자 시냅스 소자의 동작방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 게이트층에 전압을 인가하여 상기 필라멘트의 굵기를 변화시키는 3단자 시냅스 소자의 동작방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 게이트층에 음의 전압펄스를 1회 이상 인가하여 상기 필라멘트의 굵기를 점차 가늘게 변화시키는 3단자 시냅스 소자의 동작방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 제1 수직 절연층에서 상기 필라멘트를 제거하는 3단자 시냅스 소자의 동작방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제1 수직 절연층에서 상기 필라멘트를 제거한 후, 상기 게이트층에 양의 전압펄스를 인가하여 상기 제1 수직 절연층에 필라멘트를 형성하는 3단자 시냅스 소자의 동작방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 게이트층에 인가되는 양의 전압펄스 수를 증가시켜 상기 제1 수직 절연층에 형성된 필라멘트의 굵기를 증가시키는 3단자 시냅스 소자의 동작방법
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2 US9224946 US 미국 DOCDBFAMILY
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