1 |
1
모체 기판 상에 박리층을 형성하는 단계;상기 박리층 상에 금속막을 형성하는 단계;상기 금속막 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 반도체 소자층을 형성하는 단계;상기 반도체 소자층에 플렉서블 기판을 접합시키는 단계; 및상기 박리층의 상하 계면 중 적어도 일면을 분리하여 상기 모체 기판을 제거하는 단계; 를 포함하는 플렉서블 소자의 제조 방법
|
2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 박리층은 MgO, MnO, Mn3O4, MoOy, SnO2, SeOx, SiOx, GaOx, InO, TixOy, VxOy, ZrOy, WOy, Al2O3, SrO, TexOy, TeO2, ZnO, ITO, IZO, SiN, TiN, TaN, AlN, BN, MO2N, VN, ZrN, NbN, CrN, Ga 중 적어도 하나로 형성하는 플렉서블 소자의 제조 방법
|
3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 박리층은 적어도 1nm 이상의 두께로 형성하는 플렉서블 소자의 제조 방법
|
4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 금속막은 Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In
|
5 |
5
청구항 4에 있어서,상기 금속막은 적어도 1nm 이상의 두께로 형성하는 플렉서블 소자의 제조 방법
|
6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 절연층은 산화 실리콘(SiO2), 질화 실리콘(SiNx), 포토레지스트, 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하는 절연체로 형성하는 플렉서블 소자의 제조 방법
|
7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 반도체 소자층은 유기 발광 다이오드, 유기 전계 트랜지스터 중 적어도 하나를 포함하는 플렉서블 소자의 제조 방법
|
8 |
8
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,상기 모체 기판은 유리 기판을 사용하는 플렉서블 소자의 제조 방법
|
9 |
9
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 플라스틱 기판을 사용하는 플렉서블 소자의 제조 방법
|
10 |
10
반도체 소자층의 발광 소자가 단위 화소로 기능하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 모체 기판 상에 박리층을 형성하는 단계;상기 박리층 상에 금속막을 형성하는 단계;상기 금속막 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 발광 소자를 포함하는 반도체 소자층을 형성하는 단계;상기 반도체 소자층 상에 플렉서블 기판을 접합시키는 단계; 및상기 박리층의 상하 계면 중 적어도 일면을 분리하여 상기 모체 기판을 제거하는 단계; 를 포함하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
|
11 |
11
청구항 10에 있어서,상기 박리층은 MgO, MnO, Mn3O4, MoOy, SnO2, SeOx, SiOx, GaOx, InO, TixOy, VxOy, ZrOy, WOy, Al2O3, SrO, TexOy, TeO2, ZnO, ITO, IZO, SiN, TiN, TaN, AlN, BN, MO2N, VN, ZrN, NbN, CrN, Ga 중 적어도 하나로 형성하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
|
12 |
12
청구항 10에 있어서,상기 금속막은 Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In
|
13 |
13
청구항 10에 있어서,상기 절연층은 산화 실리콘(SiO2), 질화 실리콘(SiNx), 포토레지스트, 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하는 절연체로 형성하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
|
14 |
14
청구항 10에 있어서,상기 반도체 소자층은 유기 발광 다이오드, 유기 전계 트랜지스터 중 적어도 하나를 포함하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
|
15 |
15
청구항 10 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,상기 모체 기판은 유리 기판을 사용하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
|
16 |
16
청구항 10 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 플라스틱 기판을 사용하는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
|