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제1 기판,상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판 그리고상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 게재되어 있는 액정층을 포함하고,상기 액정층은 액정 분자 및 사슬 모양의 소수성기와 친수성기를 포함하는 나노 입자를 포함하는 액정 표시 장치
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제1항에서,상기 나노 입자는 사슬 모양의 탄화 수소를 포함하고, 상기 사슬 모양의 탄화 수소는 2개의 말단부를 가지며, 상기 2개의 말단부 중 하나에 상기 친수성기가 위치하는 액정 표시 장치
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제2항에서,상기 제1 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터 그리고상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 전계 생성 전극을 더 포함하고,상기 전계 생성 전극과 상기 나노 입자의 친수성기가 인접하는 액정 표시 장치
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제3항에서,상기 사슬 모양의 탄화 수소는 상기 전계 생성 전극에 수직한 방향으로 뻗어 있는 액정 표시 장치
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제4항에서,상기 액정 분자는 상기 2개의 말단부 중 상기 친수성기가 위치하는 말단부의 반대편에 위치하는 말단부에 인접하고, 상기 전계 생성 전극에 전계가 가해지지 않은 상태에서 상기 액정 분자는 수직 배향되어 있는 액정 표시 장치
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제1항에서,상기 나노 입자는 HTAB(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Bromide) 또는 CTAB(Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide)를 포함하는 액정 표시 장치
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제6항에서,상기 나노 입자는 상기 액정층에 0
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제1항에서,상기 제1 기판 위에 위치하는 전계 생성 전극 그리고상기 전계 생성 전극과 상기 액정층 사이에 위치하는 배향막을 더 포함하는 액정 표시 장치
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제8항에서,상기 전계 생성 전극은 복수의 미세 가지부를 포함하는 액정 표시 장치
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제9항에서,상기 배향막은 사슬 모양의 소수성기와 친수성기를 포함하는 나노 입자를 포함하는 액정 표시 장치
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제10항에서,상기 액정층 및 상기 배향막 중 적어도 하나는 배향 중합체를 더 포함하는 액정 표시 장치
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제11항에서,상기 액정층과 상기 배향막에 포함된 나노 입자는 사슬 모양의 탄화 수소를 포함하고, 상기 사슬 모양의 탄화 수소는 2개의 말단부를 가지며, 상기 2개의 말단부 중 하나에 상기 친수성기가 위치하는 액정 표시 장치
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제12항에서,상기 제1 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터 그리고상기 박막 트랜지스터 에 연결되어 있는 전계 생성 전극을 더 포함하고,상기 전계 생성 전극과 상기 나노 입자의 친수성기가 인접하는 액정 표시 장치
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제13항에서,상기 사슬 모양의 탄화 수소는 상기 전계 생성 전극에 수직한 방향으로 뻗어 있는 액정 표시 장치
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제14항에서,상기 액정 분자는 상기 2개의 말단부 중 상기 친수성기가 위치하는 말단부의 반대편에 위치하는 말단부 주위에 인접하고, 상기 전계 생성 전극에 전계가 가해지지 않은 상태에서 상기 액정 분자는 수직 배향되어 있는 액정 표시 장치
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제8항에서,상기 나노 입자는 HTAB(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Bromide) 또는 CTAB(Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide)를 포함하는 액정 표시 장치
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제16항에서,상기 나노 입자는 상기 액정층에 0
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제1 기판,상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판 그리고상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 게재되어 있는 액정층을 포함하고,상기 액정층은 액정 분자 및 하기 화학식 (1)로 표현되는 나노 입자를 포함하는 액정 표시 장치:화학식 (1)
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제18항에서,상기 제1 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터 그리고상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 전계 생성 전극을 더 포함하고,상기 전계 생성 전극과 상기 나노 입자의 친수성기가 인접하는 액정 표시 장치
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제3항에서,상기 나노 입자에서 사슬 모양의 탄화 수소는 상기 전계 생성 전극에 수직한 방향으로 뻗어 있고,상기 액정 분자는 상기 사슬 모양의 탄화 수소 가장자리에 인접하며,상기 전계 생성 전극에 전계가 가해지지 않은 상태에서 상기 액정 분자는 수직 배향되어 있는 액정 표시 장치
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