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2-6족 화합물 반도체 코어/2-6'족 화합물 반도체 쉘구조의 양자점 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173741
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 II-VI족 화합물 반도체 코어/II-VI'족 화합물 반도체 쉘 구조의 양자점(quantum dot) 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 유기용매 중에서 II족 및 VI족 원소-함유 지방족 유기금속화합물을 반응시켜 II-VI족 화합물 반도체 코어를 제조한 후, 상기 반응액에 상기 VI족 원소보다 밴드갭이 큰 VI'족 원소계 화합물 및 II족 원소-함유 지방족 유기금속화합물을 첨가하여 상기 II-VI족 화합물 반도체 코어 주위에 II-VI'족 화합물 반도체 쉘을 형성하는 본 발명에 따른 습식 화학법에 의하면, 전 가시광 영역 및 청색에서 자외선 영역까지의 색을 발광할 수 있고 높은 발광효율을 가지는 코어/쉘 구조의 양자점을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 33/28 (2014.01)
CPC H01L 33/0083(2013.01) H01L 33/0083(2013.01) H01L 33/0083(2013.01)
출원번호/일자 1020000013532 (2000.03.17)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0376403-0000 (2003.03.05)
공개번호/일자 10-2000-0036482 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20030315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.03.17)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성훈 대한민국 광주광역시 북구
2 송근규 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 위정호 대한민국 경기도 성남시 중원구 양현로 ***, ***호 (여수동, 시티오피스타워)(J특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2000-0051578-33
2 조기출원공개 신청서
Request for Laying Open of Early Application
2000.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-0084118-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2001.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2001.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2001-0019746-55
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2001.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0361836-37
6 의견서
Written Opinion
2002.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-0052740-82
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2002.02.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0052741-27
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2002.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0250890-57
9 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2002.09.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2002-0012260-36
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2002.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0364284-94
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2002.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2002-0406786-29
12 의견서
Written Opinion
2002.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2002-0428879-82
13 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2002.12.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0428880-28
14 등록결정서
Decision to grant
2003.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0048434-57
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
17 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0566950-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

유기용매 중에서 아연-함유 지방족 유기금속화합물 및 VI족 원소-함유 지방족 유기금속화합물을 반응시켜 아연-VI족 화합물 반도체 코어를 제조하는 제1단계 및, 상기 반응액에 제2의 VI족 원소계 화합물(VI'족 화합물) 및 아연-함유 지방족 유기금속화합물을 첨가하여 상기 아연-VI족 화합물 반도체 코어 주위에 아연-VI'족 화합물 반도체 쉘을 형성하는 제2단계를 포함하며, 코어를 형성하는 아연-VI족 화합물의 밴드갭보다 쉘을 형성하는 아연-VI'족 화합물의 밴드갭이 더 큰 것을 특징으로 하는, 코어/쉘 구조의 양자점 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

제1단계를, 반응원료를 250 내지 350℃의 온도에 첨가한 후 100 내지 200℃의 온도에서 10분 내지 24시간동안 반응시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

제2단계를, 반응원료를 100 내지 200℃의 온도에서 0

4 4

제 1 항에 있어서,

VI족 원소-함유 지방족 유기금속화합물 및 VI'족 원소계 화합물 각각이 셀레니움-함유 지방족 유기금속화합물 및 설파이드계 화합물임을 특징으로 하는 방법

5 5

제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,

아연-함유 지방족 유기금속화합물, 셀레니움-함유 지방족 유기금속화합물 및 설파이드계 화합물이 각각 디에틸아연(Et2Zn), 트리옥틸포스핀셀레니움(TOPSe) 및 헥사메틸디실라싸이엔 ((TMS)2S)임을 특징으로 하는 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

유기용매가 헥사데실아민(HDA)인 것을 특징으로 하는 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

제1단계 및/또는 제2단계 후에, 아연-VI족 화합물 반도체 코어 또는 아연-VI족 화합물 반도체 코어/아연-VI'족 화합물 반도체 쉘 구조의 양자점을 부탄올과 혼합하여 교반시키면서 메탄올을 적하시켜 침전물을 생성 및 분리시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법

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제 1 항에 따라 제조된 아연-VI족 화합물 반도체 코어/아연-VI'족 화합물 반도체 쉘 구조의 양자점

9 9

제 8 항에 있어서,

셀렌화아연 코어/황화아연 쉘 구조임을 특징으로 하는 양자점

10 10

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