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산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173955
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이 발명은 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이 발명에 따른 산화아연을 이용한 단파장 발광소자는, 베이스기판과; 상기 베이스기판의 상부에 증착된 n형 산화아연층과; 상기 n형 산화아연층의 상부에 위치하고 산화아연을 포함하며 밴드갭이 큰 장벽층과 밴드갭이 작은 우물층과 밴드갭이 큰 장벽층이 순차적으로 증착된 우물구조층과; 상기 우물구조층의 상부에 증착된 p형 산화아연층과; 상기 베이스기판 또는 n형 산화아연층에 형성된 제1금속전극과; 상기 p형 산화아연층에 형성된 제2금속전극을 포함한다. 단파장, 산화아연, 발광소자, 다이오드, 스퍼터
Int. CL H01L 33/28 (2014.01)
CPC H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01)
출원번호/일자 1020040111835 (2004.12.24)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0719915-0000 (2007.05.14)
공개번호/일자 10-2006-0073015 (2006.06.28) 문서열기
공고번호/일자 (20070518) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주 북구
2 임재홍 대한민국 광주 북구
3 황대규 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0611743-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0024951-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0228329-42
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0445645-08
6 의견서
Written Opinion		 2006.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0445647-99
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.10.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0587476-10
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0900886-90
9 의견서
Written Opinion		 2007.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0020251-56
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0020250-11
11 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0208920-93
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0563983-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
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단결정 베이스기판의 상부에 0
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제 13 항에 있어서, 상기 우물구조층 증착단계는 상기 우물구조층을 다중으로 형성한 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 베이스기판은 산화알루미늄(사파이어), 실리콘(Si), 비소화갈륨(GaAs), 탄화실리콘(SiC), 산화아연(ZnO) 중 1종의 원소 또는 2종 이상의 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 n형 산화아연층은 산화아연과 n형 도판트물질을 포함하며, 상기 n형 도판트물질은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 중 1종의 원소 또는 2종 이상의 원소들을 포함한 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 장벽층은 산화아연과 밴드갭을 크게 하는 도판트물질을 포함하며, 상기 밴드갭을 크게 하는 도판트물질은 리튬(Li), 나트륨(Na), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg) 중 1종의 원소 또는 2종 이상의 원소들을 포함한 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법
18 18
제 13 항에 있어서, 상기 우물층은 산화아연으로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법
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제 18 항에 있어서, 상기 우물층은 밴드갭을 작게 하는 도판트물질을 더 포함하며, 상기 밴드갭을 작게 하는 도판트물질은 칼슘(Ca), 스트론듐(Sr), 바리윰(Ba), 라디윰(Ra), 카드뮴(Cd), 수은(Hg) 중 1종의 원소 또는 2종 이상의 원소들을 포함한 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 p형 산화아연층은 산화아연과 p형 도판트물질을 포함하며, 상기 p형 도판트물질은 인(P), 질소(N), 레늄(Re), 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 세슘(Cs), 안티모니(Sb), 납(Pb), 비소(As), 구리(Cu) 중 1종의 원소 또는 2종 이상의 원소들을 포함한 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 p형 산화아연층은 산화아연과 p형 도판트물질을 포함하며, 상기 p형 도판트물질은 인(P), 질소(N), 안티모니(Sb), 비소(As) 중 1종의 원소 또는 2종 이상의 원소들과, 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈리윰(Tl) 중 1종의 원소 또는 2종 이상의 원소들을 같이 포함한 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 p형 산화아연층 활성화단계는, 질소, 산소, 대기 중 1종의 원소 또는 2종 이상의 원소를 포함한 분위기에서 300 ~ 1000℃의 온도로, 1 ~ 3분간 열처리하는 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법
23 22
제 13 항에 있어서, 상기 p형 산화아연층 활성화단계는, 질소, 산소, 대기 중 1종의 원소 또는 2종 이상의 원소를 포함한 분위기에서 300 ~ 1000℃의 온도로, 1 ~ 3분간 열처리하는 것을 특징으로 하는 산화아연을 이용한 단파장 발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.