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저온성장 화합물반도체를 이용한 ＨＥＭＴ 구조의 ＭＳＭ광검출기 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173827
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고속 광통신용 수신기 또는 마이크로웨이브/밀리미터웨이브-광통신용 광전 변환기에 널리 응용될 수 있는 저온성장 화합물반도체를 이용한 HEMT 구조의 MSM 광검출기 제조방법에 관한 것이다.일반적으로 금속-반도체-금속형 광검출기의 광신호 응답 특성은 빛에 의해 생성된 같은 수의 전자 및 정공에 의한 전류로 이루어져 있다. 이들 중 정공에 의한 전류는 낮은 정공 이동도(또는 속도)때문에 광검출기의 속도 특성의 제한 요인으로 작용하고 있다. 이러한 한계성을 극복하기 위한 한 가지 방안은 빛에 의해 발생된 정공에 의한 전류의 크기를 감소시켜서 광검출기의 임펄스 응답 전류의 폭을 감소시키는 것이다. 본 발명에서는 변형된 HEMT 구조가 형성하는 에너지 밴드 구조와 낮은 온도에서 성장된 화합물반도체층을 활용하여 금속-반도체-금속형 광검출기의 광흡수층에서 발생되는 정공이 금속 전극에 도달할 수 있는 확율을 크게 감소시켜서 정공에 의한 광전류의 크기를 축소시킴으로써 광검출기의 속도 특성을 향상시킨다.MSM 구조 광검출기, HEMT 구조, 저온 성장 화합물반도체, 광응답 전류 신호
Int. CL H01L 31/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010084876 (2001.12.26)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0436019-0000 (2004.06.03)
공개번호/일자 10-2003-0054665 (2003.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20040612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.26)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송종인 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-0345553-00
2 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2002-5066806-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0040864-07
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
6 등록결정서
Decision to grant		 2004.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0115274-33
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1

GaAs계 델타 도핑된 HEMT 구조를 이용한 금속-반도체-금속(MSM)형 광검출기의 제조방법에 있어서,

GaAs 반절연기판 위에 성장되는 도핑되어 있지 않은 AlxGa1-xAs(0<x<0

2 2

청구항 1에 있어서, 상기 AlxGa1-xAs 제 2장벽층은 고농도 n형으로 델타 도핑되고, 상기 AlxGa1-xAs 제 3장벽층은 n형으로 균일 도핑되는 혼합된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 HEMT 구조의 MSM 광검출기 제조방법

3 3

청구항 1에 있어서, 상기 AlxGa1-xAs 제 2장벽층과 상기 AlxGa1-xAs 제 3장벽층이 균일하게 n형으로 도핑된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 HEMT 구조의 MSM 광검출기 제조방법

4 4

청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 AlxGa1-xAs 제 1,2,3장벽층들 대신에 InxGa1-xP(x~0

5 5

InP계 델타 도핑된 HEMT 구조를 이용한 금속-반도체-금속(MSM)형 광검출기의 제조방법에 있어서,

InP 반절연기판 위에 성장되는 도핑되어 있지 않은 InP 버퍼층을 형성하는 단계와;

상기 InP 버퍼층 위에 저온 성장되는 도핑되어 있지 않은 InxGa1-xAs (x>0

6 6

청구항 5에 있어서, 상기 InxAl1-xAs 제 2장벽층은 고농도 n형으로 델타 도핑되고, 상기 InxAl1-xAs 제 3장벽층은 n형으로 균일 도핑으로 혼합된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 HEMT 구조의 MSM 광검출기 제조방법

7 7

청구항 5에 있어서, 상기 InxAl1-xAs 제 2장벽층과 상기 InxAl1-xAs 제 3장벽층이 n형으로 균일 도핑된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 HEMT 구조의 MSM 광검출기 제조방법

8 8

청구항 5 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 InP 버퍼층 대신에 In0

9 9

GaN계 델타 도핑된 HEMT 구조를 이용한 금속-반도체-금속(MSM)형 광검출기의 제조방법에 있어서,

사파이어 또는 GaN 기판 위에 성장되는 도핑되어 있지 않은 AlxGa1-xN (0<x<0

10 10

청구항 9에 있어서, 상기 AlxGa1-xN 제 2장벽층은 고농도 n형으로 델타 도핑되고, 상기 AlxGa1-xN 제 3장벽층은 n형으로 균일하게 도핑된 혼합 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 HEMT 구조의 MSM 광검출기 제조방법

11 11

청구항 9에 있어서, 상기 AlxGa1-xN 제 2장벽층과 상기 AlxGa1-xN 제 3장벽층이 균일하게 n형으로 도핑된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 HEMT 구조의 MSM 광검출기 제조방법

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1 US06586272 US 미국 FAMILY
2 US20030119223 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003119223 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6586272 US 미국 DOCDBFAMILY
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