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유기 박막 포토트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014009762
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 박막 포토트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 자외선 및 가시광선 영역의 빛에 대하여 p 형 반도체 특성을 나타내는 유기물 반도체를 사용하면서 평판형 박막 트랜지스터 구조를 가지는 유기 박막 포토트랜지스터를 제작함으로써 노이즈 없이 드레인 전류를 수십 만 배 증폭할 수 있고 광감응도 및 전류 점멸비가 현저히 개선되어 다양한 분야에 응용될 수 있는 유기 박막 포토트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 유기 박막 포토트랜지스터는 고온 및 고진공 증착 공정이 불필요하여 공정 경제성이 도모되고 열에 불안정한 플라스틱, 섬유 등의 유연한 물질을 기판으로 사용할 수 있는 장점이 있고, 트랜지스터의 광감응도, 전류 점멸비 등의 특성이 우수하여 고성능의 광센서, 이미지 센서, 수광 다이오드 및 자외선 지수 측정기 등으로 활용될 수 있다. 유기 박막 포토트랜지스터, 유기물 반도체, 광감응도, 전류 점멸비
Int. CL H01L 31/101 (2006.01)
CPC H01L 51/0504(2013.01) H01L 51/0504(2013.01) H01L 51/0504(2013.01)
출원번호/일자 1020050003086 (2005.01.13)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0666524-0000 (2007.01.03)
공개번호/일자 10-2006-0082552 (2006.07.19) 문서열기
공고번호/일자 (20070109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.01.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동유 대한민국 광주 서구
2 노용영 대한민국 광주 북구
3 정병준 대한민국 부산 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0018375-36
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0023893-93
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0229278-80
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0452782-19
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0521376-82
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0598185-40
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0687945-09
8 의견서
Written Opinion		 2006.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0687946-44
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0782997-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
게이트 전극(1);상기 게이트 전극 상부에 적층된 게이트 절연체(2);상기 게이트 절연체 상부에 적층된 자외선 또는 465 nm 이하의 가시광선에 의하여 정공을 전달하는 올리고 타이오펜계 유기물 반도체(3); 및상기 유기물 반도체 상부에 적층된 소스 전극(4) 및 드레인 전극(5)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 포토트랜지스터
2 2
게이트 전극(1);상기 게이트 전극 상부에 적층된 게이트 절연체(2);상기 게이트 절연체 상부에 적층된 소스 전극(4) 및 드레인 전극(5); 및상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상부에 적층된 자외선 또는 465 nm 이하의 가시광선에 의하여 정공을 전달하는 올리고 타이오펜계 유기물 반도체(3)로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 포토트랜지스터
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 전도성 고분자 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 유기 박막 포토트랜지스터
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 게이트 전극의 하부에 플라스틱 또는 섬유 기판이 존재하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 포토트랜지스터
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자외선의 파장은 300 ∼ 400 nm인 것을 특징으로 하는 유기 박막 포토트랜지스터
6 6
삭제
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 올리고 타이오펜계 유기물 반도체는 하기 화학식 1의 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 박막 포토트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.