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III-V족 질화물 화합물 반도체층에 전극을 형성하는 방법에 있어서,
p-GaN 층 상에 다수의 홀들이 형성된 템플레이트를 배치하는 단계;
상기 템플레이트의 상방으로부터 상기 템플레이트에 의해 노출된 상기 p-GaN 층 상에 다수의 도트를 증착하는 단계;
상기 p-GaN 층 상에서 상기 도트들을 덮는 제1전극층을 증착하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 III-V족 질화물 화합물 반도체의 전극층 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 제1전극층 위에 상기 전극층의 물질과 다른 물질로 이루어진 제2전극층을 증착하는 단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 III-V족 질화물 화합물 반도체의 전극층 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 템플레이트의 홀은 1 nm ~ 1000 nm 크기인 것을 특징으로 하는 III-V족 질화물 화합물 반도체의 전극층 제조방법
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제 2 항에 있어서,
상기 템플레이트는 애노딕 산화에 의해 상기 홀들이 형성된 애노딕 포러스 알루미나인 것을 특징으로 하는 III-V족 질화물 화합물 반도체의 전극층 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 도트는, {Au, Pd, Pt, Ru}의 금속물질과 {ITO, ZnO}의 투명 전도성 산화물(transparent conducting oxides) 중 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 III-V족 질화물 화합물 반도체의 전극층 제조방법
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제 5 항에 있어서,
상기 제1 전극층은, {Au, Pd, Pt, Ru}의 금속물질과 {ITO, ZnO}의 투명 전도성 산화물(transparent conducting oxides) 중 선택된 적어도 어느 하나의 물질이며, 상기 도트와는 다른 물질인 것을 특징으로 하는 III-V족 질화물 화합물 반도체의 전극층 제조방법
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제 2 항에 있어서,
상기 제2 전극층은, {Au, Pd, Pt, Ru}의 금속물질과 {ITO, ZnO}의 투명 전도성 산화물(transparent conducting oxides) 중 선택된 적어도 어느 하나의 물질이며, 상기 제1전극층과는 다른 물질인 것을 특징으로 하는 III-V족 질화물 화합물 반도체의 전극층 제조방법
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