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초고속 광검출기용 에피택시얼 구조

  • 기술번호 : KST2015174372
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광검출기에 있어서 속도특성을 향상시키기 위해 소자 내를 통과하는 정공의 유효질량을 감소시키는 초고속 광검출기용 에피택시얼 구조에 관한 것이다.광검출기의 속도특성을 향상시킬 수 있도록, Semi-insulating 인듐인 기판(25)과, Semi-insulating 인듐인 기판(25)위에 성장되는 In0.53Ga0.47As의 결정층인 n+형 오믹층(3)과, n+형 오믹층(3) 위에 성장되는 InxGa1-xAs(x<0.53)의 결정층인 i형 광흡수층(2)과, i형 광흡수층(2)위에 성장되는 In0.53Ga0.47As의 결정층인 p+형 오믹층(1)을 포함하는 pin형과, Semi-insulating 인듐인 기판(25)과, Semi-insulating 인듐 인 기판(25)위에 성장되는 In0.53Ga0.47As의 결정층인 n+형 오믹층(6)과, n+오믹층(6) 위에 성장되는 InxGa1-xAs(x<0.53)의 결정층인 i형 또는 n-형 광흡수층(5)과, i형 또는 n-형 광흡수층(2)위에 성장되는 In0.52Al0.48As의 결정층인 i형 또는 n-형 쇼트키층(4)을 포함하는 쇼트키형 초고속 광검출기용 에피택시얼 구조를 제시하여 광검출기의 속도특성을 향상시키는 효과가 있다.광검출기, InGaAs, 반도체, 에피택시
Int. CL H01L 31/10 (2006.01)
CPC H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01)
출원번호/일자 1020000011956 (2000.03.10)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0352816-0000 (2002.09.02)
공개번호/일자 10-2001-0088768 (2001.09.28) 문서열기
공고번호/일자 (20020916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.03.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송종인 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김익환 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층 (역삼동, 삼흥역삼빌딩)(하나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2000-0045719-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2001-0019727-98
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0361831-10
5 의견서
Written Opinion		 2002.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0055806-11
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.02.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0055808-13
7 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2002.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-5051097-92
8 등록결정서
Decision to grant		 2002.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0305338-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0563936-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

Semi-insulating 인듐인 기판(25)과, 상기 기판(25)위에 성장되는 In0

2 2

Semi-insulating 인듐인 기판(25)과, 상기 기판(25)위에 성장되는 In0

3 3

청구항 2에 있어서, 상기 i형 또는 n-형 쇼트키층은,

Supperlattice 또는 선형 그레이딩 기법을 이용한 InGaAlAs 그레이딩층이나 InGaAsP 그레이딩층을 선택적으로 사용하는 것을 특징으로 하는 쇼트키형 초고속 광검출기용 에피택시얼 구조

4 4

청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한항에 있어서, 상기 광검출기용 에피택시얼 구조는,

식각용패턴(8)을 사용하여 광검출기 에피택시얼구조(30)를 남기고 나머지 부분을 식각으로 제거하여 제작하는 것을 특징으로 하는 초고속 광검출기용 에피택시얼 구조

5 5

청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한항에 있어서, 상기 광검출기용 에피택시얼구조는,

유전체 패턴 마스크(9)를 사용하여 광검출기 에피택시얼구조(30)를 성장시킨 후 유전체(35)를 제거하여 제작하는 것을 특징으로 하는 초고속 광검출기용 에피택시얼 구조

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.