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전도성 측정유형의 반도체 가스센서;상기 가스센서를 포함하며 가스를 유입하고 배출하는 챔버;상기 가스센서의 가열을 위한 가열기;상기 가스센서의 전도성 변화를 측정 제어하는 장치;상기 측정된 가스센서의 전도성 변화를 모니터링하는 장치;상기 측정 챔버로 측정하고자 하는 대기가스를 보내는 샘플링 펌프;상기 측정 챔버와 상기 샘플링 펌프 사이에 위치한 오존 발생기; 및상기 샘플링 펌프와 상기 오존 발생기 및 상기 오존 발생기와 상기 측정 챔버를 연결하는 가스 이동 라인을 포함하는 대기 모니터링 장치
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제1항에 있어서,상기 대기가스는 H2 또는 CO를 포함하는 대기 모니터링 장치
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제1항에 있어서,상기 반도체 가스센서는 SnO2, In2O3, ZnO, WO3, V2O4, Fe2O3, 귀금속 증감제, 유기 반도체, 금속 프탈로시아닌, 또는 안트라센을 포함하는 대기 모니터링 장치
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제1항에 있어서,상기 반도체 가스센서는 스프레이 열분해법에 의해 300~600℃에서 증착된 200~600nm 두께의 SnO2를 포함하는 대기 모니터링 장치
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제1항에 있어서,상기 오존 발생기는 UV 램프를 사용하는 대기 모니터링 장치
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제1항에 있어서,상기 가열기는 상기 가스센서의 측정파트와 격리된 것을 특징으로 하는 대기 모니터링 장치
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