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탄소나노튜브 양을 조절하는 방법 및 이를 이용한 탄소나노튜브 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015122113
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 구조물 상에 탄소나노튜브 입자를 흡착하고, 흡착된 탄소나노튜브 입자에 산소 플라즈마 처리를 수행함으로써 흡착된 탄소나노튜브 중 일부를 제거시키는 단계를 포함하여 탄소나노튜브 소자에서 탄소나노튜브 양을 조절하는 방법을 제공한다.
Int. CL B01J 19/08 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110044490 (2011.05.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1310866-0000 (2013.09.13)
공개번호/일자 10-2012-0126586 (2012.11.21) 문서열기
공고번호/일자 (20130925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.12)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전영민 대한민국 서울특별시 강남구
2 변영태 대한민국 경기도 구리시
3 장지웅 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김경헌 대한민국 서울특별시 강동구
5 이석 대한민국 서울특별시 서초구
6 우덕하 대한민국 서울특별시 서대문구
7 김선호 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진수정 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
4 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0350667-69
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0153112-47
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0397926-04
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0397924-13
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0618375-66
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 구조물 상에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계;상기 흡착된 탄소나노튜브 입자에 산소 플라즈마 처리를 수행함으로써 흡착된 탄소나노튜브 중 일부를 제거시키는 단계를 포함하되,산소 플라즈마 처리시, 탄소나노튜브의 저항값을 사용자가 원하는 값으로 조절하기 위해 산소 플라즈마 처리 시간을 조절하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 흡착량을 조절하는 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 입자를 흡착시키는 단계는 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 디클로로벤젠에 탄소나노튜브가 분산된 용액에 일정시간 동안 담가서 흡착시키는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 흡착량을 조절하는 방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 사용된 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브이고, 직경은 4 ~ 5 nm 이고, 길이가 500 ~ 1500 nm이며, 상기 용액은 디클로로벤젠에 단일벽 탄소나노튜브가 0
4 4
제1 항에 있어서,상기 산소플라즈마 처리 단계는 5 내지 30초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 흡착량을 조절하는 방법
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 단계는, 플라즈마 처리 시간에 따른 전류값 또는 저항값의 변화를 미리 저장하여 데이터베이스화한 다음, 상기 데이터베이스를 이용하여 산소플라즈마 처리 시간을 조절함으로써 탄소나노튜브 흡착량을 조절하는 방법
7 7
기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 마스크 패턴 중 오픈된 영역에 사용자가 원하는 목표값 보다 많은 탄소나노튜브 입자를 흡착시키는 단계;상기 흡착된 탄소나노튜브 입자에 산소 플라즈마 처리를 수행함으로써 흡착된 탄소나노튜브 중 일부를 제거시켜, 상기 사용자가 원하는 목표값 정도의 탄소나노튜브 입자가 소자에서 활용되도록 하는 탄소나노튜브 소자 제조방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 입자를 활성층으로 이용하기 위해 전극을 형성하는 단계를 더 구비하는 탄소나노튜브 소자 제조방법
9 9
제8 항에 있어서,상기 산소플라즈마 처리 단계는, 상기 전극을 이용하여 흡착된 탄소나노튜브의 저항 또는 전류를 모니터링하면서 수행하는 탄소나노튜브 소자 제조방법
10 10
제7 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 단계는, 플라즈마 처리 시간에 따른 전류값 또는 저항값의 변화를 미리 저장하여 데이터베이스화한 다음, 상기 데이터베이스를 이용하여 산소플라즈마 처리 시간을 조절함으로써 탄소나노튜브 흡착량을 조절하는 탄소나노튜브 소자 제조방법
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08741745 US 미국 FAMILY
2 US20120289029 US 미국 FAMILY

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1 US2012289029 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8741745 US 미국 DOCDBFAMILY
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