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제1 기저층;상기 제1 기저층 상에 복수의 아일랜드 형상으로 형성되어 상기 제1 기저층 상면의 일부를 노출시키는 전위차단층;상기 제1 기저층 상에 상기 전위차단층을 덮도록 형성된 제2 기저층;상기 제2 기저층 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층; 및상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극;을 포함하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,제1 및 제2 기저층은 서로 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제2항에 있어서,상기 제1 및 제2 기저층은 언도프 질화물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 아일랜드 중 적어도 일부는 상기 제1 기저층의 전위에 대응하는 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 전위차단층은 InN로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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기저층;상기 기저층 상에 복수의 아일랜드 형상으로 형성되어 상기 기저층 상면의 일부를 노출시키는 전위차단층;상기 기저층 상에 상기 전위차단층을 덮도록 형성된 제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 순차적으로 형성된 활성층 및 제2 도전형 반도체층; 및상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극;을 포함하는 반도체 발광소자
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7
제6항에 있어서,상기 기저층은 제1 도전형 반도체층과 동일한 도전형을 갖도록 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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8
제6항에 있어서,상기 기저층은 제1 도전형 반도체층과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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9
제6항에 있어서,상기 복수의 아일랜드 중 적어도 일부는 상기 기저층의 전위에 대응하는 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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10
제6항에 있어서,상기 전위차단층은 InN로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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기판 상에 제1 기저층을 형성하는 단계;상기 제1 기저층 상에 복수의 아일랜드 형상으로 형성되어 상기 제1 기저층 상면의 일부를 노출시키는 전위차단층을 형성하는 단계;상기 제1 기저층 상에 상기 전위차단층을 덮도록 제2 기저층을 형성하는 단계;상기 제2 기저층 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 및상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결되도록 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 전위차단층의 아일랜드는 식각 공정에 의하지 아니하고 자발적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1 및 제2 기저층은 언도프 질화물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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14
제11항에 있어서,상기 복수의 아일랜드 중 적어도 일부는 상기 제1 기저층의 전위에 대응하는 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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15
제11항에 있어서,상기 전위차단층은 InN로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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기판 상에 기저층을 형성하는 단계;상기 기저층 상에 복수의 아일랜드 형상으로 형성되어 상기 기저층 상면의 일부를 노출시키는 전위차단층을 형성하는 단계;상기 기저층 상에 상기 전위차단층을 덮도록 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층 상에 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 및상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 전기적으로 연결되도록 제1 및 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
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제16항에 있어서,상기 전위차단층의 아일랜드는 식각 공정에 의하지 아니하고 자발적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제16항에 있어서,상기 기저층은 제1 도전형 반도체층과 동일한 도전형을 갖도록 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제16항에 있어서,상기 기저층은 제1 도전형 반도체층과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제16항에 있어서,상기 복수의 아일랜드 중 적어도 일부는 상기 기저층의 전위에 대응하는 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제16항에 있어서,상기 전위차단층은 InN로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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