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하부 전극;상기 하부 전극 상에 1차원 나노구조들과 상기 1차원 나노구조들 사이의 빈 공간을 채우는 하부 전하수송 보조층을 구비하는 하부 전하수송층;상기 하부 전하수송층 상에 배치되고 전자 도너 물질과 전자 억셉터 물질을 함유하는 광활성층; 및상기 광활성층 상에 배치된 상부 전극을 포함하는 유기태양전지
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제1항에 있어서,상기 1차원 나노구조들은 금속 산화물 또는 화합물 반도체인 유기태양전지
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제2항에 있어서,상기 1차원 나노구조들은 주석 산화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물, 텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물, 바나듐 산화물, 또는 구리 산화물인 유기태양전지
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제2항에 있어서,상기 1차원 나노구조들은 CdSe, CdTe, ZnSe 또는 ZnTe인 유기태양전지
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제2항에 있어서,상기 1차원 나노구조들은 도펀트가 도핑된 금속 산화물인 유기태양전지
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제5항에 있어서,상기 1차원 나노구조들은 안티몬이 도핑된 주석 산화물인 유기태양전지
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제1항에 있어서,상기 하부 전하수송 보조층은 상기 1차원 나노구조들의 상부를 덮는 유기태양전지
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제1항에 있어서,상기 하부 전하수송층이 전자수송층인 경우에,상기 하부 전하수송 보조층의 전도대는 상기 전자 억셉터 물질의 전도대와 상기 1차원 나노구조의 전도대의 사이에 위치하는 유기태양전지
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제1항에 있어서,상기 하부 전하수송층이 정공수송층인 경우에,상기 하부 전하수송 보조층의 가전자대는 상기 전자 억셉터 물질의 가전자대와 상기 1차원 나노구조의 가전자대의 사이에 위치하는 유기태양전지
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제1항에 있어서,상기 하부 전하수송 보조층은 아연 산화물층 또는 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate))층인 유기태양전지
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제1항에 있어서,상기 하부 전하수송층이 전자수송층인 경우에,상기 1차원 나노구조는 주석 산화물이고, 상기 하부 전하수송 보조층은 아연 산화물층인 유기태양전지
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제1항에 있어서,상기 하부 전하수송층이 정공수송층인 경우에,상기 1차원 나노구조는 몰리브덴 산화물, 텅스텐 산화물층, 바나듐 산화물, 구리 산화물, CdTe 또는 ZnTe이고, 상기 하부 전하수송 보조층은 PEDOT:PSS층인 유기태양전지
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하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치된 하부 전하수송 보조층 및 상기 하부 전하수송 보조층 상에 배치된 1차원 나노구조들을 구비하는 하부 전하수송층;상기 하부 전하수송층 상에 배치되고 전자 도너 물질과 전자 억셉터 물질을 함유하는 광활성층; 및상기 광활성층 상에 배치된 상부 전극을 포함하는 유기태양전지
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제13항에 있어서,상기 하부 전하수송 보조층은 아연 산화물층 또는 PEDOT:PSS층인 유기태양전지
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제13항에 있어서,상기 하부 전하수송층이 전자수송층인 경우에,상기 1차원 나노구조는 주석 산화물이고, 상기 하부 전하수송 보조층은 아연 산화물층인 유기태양전지
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제13항에 있어서,상기 하부 전하수송층이 정공수송층인 경우에,상기 1차원 나노구조는 몰리브덴 산화물, 텅스텐 산화물층, 바나듐 산화물, 구리 산화물, CdTe 또는 ZnTe이고, 상기 하부 전하수송 보조층은 PEDOT:PSS층인 유기태양전지
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하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 1차원 나노구조들과 상기 1차원 나노구조들 사이의 빈 공간을 채우는 하부 전하수송 보조층을 구비하는 하부 전하수송층을 형성하는 단계;상기 하부 전하수송층 상에 배치되고 전자 도너 물질과 전자 억셉터 물질을 함유하는 광활성층을 형성하는 단계; 및상기 광활성층 상에 배치된 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기태양전지 제조방법
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제17항에 있어서,상기 1차원 나노구조들은 전기방사법을 사용하여 형성된 유기태양전지 제조방법
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