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탄소구조물 주형의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015174919
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 미세접촉인쇄용 스탬프 및 나노 임프린팅 식각 공정에 사용되는 탄소구조물 주형의 제작 방법이 개시된다. 2회에 걸친 양극산화공정을 통해 규칙적인 배열을 가지는 포어 상에 양극산화물인 양극산화알루미늄을 성장시킨다. 성장된 양극산화알루미늄 표면에 탄소나노층을 형성하고, 표면에 대해 이온 밀링을 수행하여 탄소구조물 형성한다. 이어서, 양극산화알루미늄에 대해 부분 식각을 수행하여 양극산화알루미늄과 단차를 가진 탄소구조물 주형을 제작한다. 탄소구조물, 미세접촉인쇄, 나노 임프린팅
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020070098304 (2007.09.28)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0982092-0000 (2010.09.07)
공개번호/일자 10-2009-0032801 (2009.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20100913) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김원배 대한민국 광주 북구
2 정건영 대한민국 광주 북구
3 김연수 대한민국 광주 북구
4 안효진 대한민국 광주 북구
5 남상훈 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0702418-92
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0231891-65
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0464889-24
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0464949-76
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.08.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0532475-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0532474-19
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0042014-97
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0190324-71
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0190333-82
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0385210-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
기판에 제1차 양극산화공정을 수행하여, 상기 기판으로부터 함몰된 제1차 포어 및 상기 제1차 포어 표면에 형성된 제1차 양극산화알루미늄을 형성하는 단계; 상기 제1차 양극산화알루미늄을 제거하고, 상기 기판 상에 규칙적인 배열을 가지는 제2차 포어를 형성하는 단계; 상기 제2차 포어가 형성된 기판에 대해 제2차 양극산화공정을 수행하여, 상기 제2차 포어 표면으로부터 함몰된 제2차 양극산화알루미늄을 형성하는 단계; 상기 제2차 양극산화알루미늄 표면에 탄소 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 제2차 양극산화알루미늄 표면을 부분식각하여 탄소 구조물 주형을 형성하는 단계를 포함하는 탄소 구조물 주형의 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판을 알루미늄을 90% 내지 99
3 3
제1항에 있어서, 제1차 양극산화알루미늄의 형성 및 제2차 양극산화알루미늄의 형성은, 상기 기판을 황산, 크롬산, 인산 또는 옥살산 용액에 침지시키고, 0℃ 내지 100℃의 온도에서, 1분 내지 24시간 동안, 1V 내지 400V의 전압에서 실시하여 달성하는 것을 특징으로 하는 구조물 주형의 형성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1차 양극산화알루미늄의 제거는, 60℃의 인산과 크롬산의 혼합용액에 침지시키는 것에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 탄소구조물 주형의 형성방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 탄소 구조물을 형성하는 단계는, 상기 제2차 양극산화알루미늄 표면에 탄소나노층을 형성하는 단계; 및 상기 탄소나노층의 상부를 제거하여, 상기 제2차 양극산화알루미늄의 상부 표면을 노출시키는 단계를 포함하는 탄소 구조물 주형의 형성방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 탄소나노층을 형성하는 단계는, 상기 제2차 양극산화알루미늄에 아세틸렌과 암모니아를 1:9 내지 9:1의 부피비로 혼합하여 500℃ 내지 700℃의 온도에서 10 내지 100sccm으로 공급하는 것을 특징으로 하는 탄소구조물 주형의 형성방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 탄소구조물 주형을 형성하는 단계는, 상기 탄소나노층의 상부를 이온 밀링을 통해 제거하는 단계; 및 상기 제2차 양극산화알루미늄의 일부를 제거하여, 상기 제2차 양극산화알루미늄과 단차를 가지는 상기 탄소구조물 주형을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소구조물 주형의 형성방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 제2차 양극산화알루미늄의 일부를 제거하는 것은, 상기 기판을 크롬산 및 인산 혼압용액에 60℃의 온도에서 10분 내지 40분 동안 침지하는 것을 특징으로 하는 탄소구조물 주형의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.