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실리콘 박막; 및상기 실리콘 박막의 상부에 규칙적으로 배열 또는 형성되며, 상기 실리콘 박막과 일체로 구비되는 실리콘 나노구조체를 포함하는 전지용 전극
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제1항에 있어서,상기 실리콘 나노구조체는 규칙적으로 배열된 복수개의 실리콘 필러(pillar) 또는 규칙적으로 형성된 복수개의 실리콘 웰(well)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전지용 전극
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제2항에 있어서,상기 실리콘 나노구조체는 규칙적으로 배열된 복수개의 실리콘 필러(pillar) 또는 규칙적으로 형성된 복수개의 실리콘 웰(well)의 직경과, 인접하는 실리콘 필러(pillar) 또는 실리콘 웰(well)의 간격이 서로 동일한 4-폴드 대칭 어레이 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 전지용 전극
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제2항에 있어서,상기 인접하는 실리콘 필러(pillar) 또는 실리콘 웰(well)의 간격은 10nm 내지 300nm 인 것을 특징으로 하는 전지용 전극
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제2항에 있어서,상기 실리콘 필러(pillar) 또는 실리콘 웰(well)의 직경은 10nm 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 전지용 전극
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제2항에 있어서,상기 실리콘 필러(pillar)의 높이 또는 실리콘 웰(well)의 깊이는 50nm 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 전지용 전극
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제1항에 있어서,상기 전지용 전극을 포함하는 리튬 이차 전지
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기판 상에 형성된 실리콘 박막 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;빛의 간섭 패턴을 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계;상기 노광된 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 식각함으로써 실리콘 박막 상에 나노구조체를 형성하는 단계를 포함하는 전지용 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 실리콘 박막 상에 포토레지스트층을 형성하기 전에 점착증가막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전지용 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 빛의 간섭 패턴을 이용하여 포토레지스트층을 노광하는 단계는 레이저 간섭 리소그래피를 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전지용 전극의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 노광은 두 차례에 걸쳐 수행되어 상기 포토레지스트층은 4-폴드 어레이 구조의 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 전지용 전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 식각은 건식 식각을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 전지용 전극의 제조방법
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