| 1 |
1
일 방향으로 연장되는 제1 도파로;상기 제1 도파로의 측면에 위치하고, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층들 사이에 위치하는 언도프트 반도체층을 구비하되, 상기 언도프트 반도체층의 굴절률은 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층들의 굴절률에 비해 큰 제2 도파로; 및상기 제2 도파로의 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층에 각각 접속하는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 광학 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 언도프트 반도체층의 밴드갭 에너지는 상기 광학 소자가 전파하는 광의 에너지에 비해 큰 광학 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 언도프트 반도체층과 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층들은 화합물 반도체층들인 광학 소자
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 언도프트 반도체층/ 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층들은 GaAs/AlGaAs, AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x003e#y, 0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1), InGaAs/InAlAs, InGaAsP/InP, InyGa1-yAs1-xPx/InbGa1-bAs1-aPa(x003c#a, 0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1, 0003c#a003c#1, 0003c#b003c#1), GaN/InGaN, AlInN/GaN, 또는 이들의 조합인 광학 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 제1 도파로는 제1 클래드층, 제2 클래드층, 및 이들 사이에 위치하는 코어층을 구비하고,상기 코어층의 굴절률은 상기 제1 및 제2 클래드층들에 비해 큰 광학 소자
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 제1 클래드층은 제1 도전형 반도체층이고,상기 코어층은 언도프트 반도체층이고,상기 제2 클래드층은 제2 도전형 반도체층인 광학 소자
|
| 7 |
7
제1항 또는 제6항에 있어서,상기 제1 도파로의 일단과 상기 제2 도파로의 일단은 서로 결합되고, 상기 상기 제1 도파로의 타단과 상기 제2 도파로의 타단은 서로 결합되고,상기 결합된 영역들 사이에서 상기 제1 도파로와 상기 제2 도파로 사이의 간격은 커플링이 일어나지 않을 정도로 큰 광학 소자
|
| 8 |
8
제1항 또는 제6항에 있어서,상기 광학 소자의 일부 영역에서 상기 제1 도파로와 상기 제2 도파로 사이의 간격은 커플링이 일어날 정도로 좁은 광학 소자
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 일부 영역은 제1 영역이고,상기 제1 영역에 인접한 상기 광학 소자의 제2 영역에서 상기 제1 도파로와 상기 제2 도파로 사이의 간격은 커플링이 일어나지 않을 정도로 크고,상기 제2 영역에 인접한 상기 광학 소자의 제3 영역에서 상기 제1 도파로와 상기 제2 도파로 사이의 간격은 커플링이 일어날 정도로 좁고,상기 제2 전극은 상기 제2 영역에 위치한 제2 도파로의 제2 클래드층 상에 선택적으로 접속하는 광학 소자
|
| 10 |
10
제1항 또는 제6항에 있어서,상기 제2 도파로는 폐쇄 고리 형상을 갖는 공진 링인 광학 소자
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 제1 도파로는 전송 도파로이고,상기 공진 링을 중심으로 상기 전송 도파로의 맞은 편에 배치된 추출 도파로를 더 포함하는 광학 소자
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 공진 링은 제1 공진 링이고,상기 제1 공진 링과 상기 추출 도파로 사이에 위치하는 제2 공진 링을 더 포함하는 광학 소자
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 제1 공진 링과 상기 제2 공진 링은 동일 층 구성을 갖는 광학 소자
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 전송 도파로, 상기 제1 공진 링, 상기 제2 공진 링, 및 상기 추출 도파로는 동일 층 구성을 갖는 광학 소자
|
| 15 |
15
일 방향으로 연장되는 제1 도파로; 및상기 제1 도파로의 측면에 위치하고, 제1 클래드층, 제2 클래드층, 및 이들 사이에 위치하는 코어층을 구비하고, 상기 제1 클래드층과 상기 제2 클래드층에 인가된 바이어스 전압에 따라 상기 코어층의 유효 굴절률이 변하는 제2 도파로를 구비하는 광학 소자
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 제1 도파로의 일단과 상기 제2 도파로의 일단은 서로 결합되고, 상기 제1 도파로의 타단과 상기 제2 도파로의 타단은 서로 결합되고,상기 결합된 영역들 사이에서 상기 제1 도파로와 상기 제2 도파로 사이의 간격은 커플링이 일어나지 않을 정도로 큰 광학 소자
|
| 17 |
17
제15항에 있어서,상기 광학 소자의 제1 영역에서 상기 제1 도파로와 상기 제2 도파로 사이의 간격은 커플링이 일어날 정도로 좁고, 상기 제1 영역에 인접한 상기 광학 소자의 제2 영역에서 상기 제1 도파로와 상기 제2 도파로 사이의 간격은 커플링이 일어나지 않을 정도로 크고,상기 제2 영역에 인접한 상기 광학 소자의 제3 영역에서 상기 제1 도파로와 상기 제2 도파로 사이의 간격은 커플링이 일어날 정도로 좁고,상기 제2 도파로는 상기 제1 영역과 상기 제3 영역에서 상기 코어층의 유효 굴절률이 변하지 않고, 상기 제2 영역에서 선택적으로 상기 제1 클래드층과 상기 제2 클래드층에 인가된 바이어스 전압에 따라 상기 코어층의 유효 굴절률이 변하는 광학 소자
|
| 18 |
18
제15항에 있어서,상기 제2 도파로는 폐쇄 고리 형상을 갖는 공진 링인 광학 소자
|
| 19 |
19
제18항에 있어서,상기 제1 도파로는 전송 도파로이고,상기 공진 링을 중심으로 상기 전송 도파로의 맞은 편에서 상기 기판 상으로 연장된 추출 도파로를 더 포함하는 광학 소자
|
| 20 |
20
제19항에 있어서,상기 공진 링은 제1 공진 링이고,상기 제1 공진 링과 상기 추출 도파로 사이에 위치하고 제1 클래드층, 제2 클래드층, 및 이들 사이에 위치하는 코어층을 구비하고, 상기 제1 클래드층과 상기 제2 클래드층에 인가된 바이어스 전압에 따라 상기 코어층의 유효 굴절률이 변하는 제2 공진 링을 더 포함하는 광학 소자
|
