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다중금속 나노입자 구조물 및 그 제조방법과 다중금속 나노입자가 집적된 광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174667
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다중금속 나노입자 구조물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 적어도 두 개의 서로 다른 금속 물질을 서로 다른 온도 조건으로 열처리하여 제1 및 제2 금속 나노입자들이 형성되되, 상기 제1 금속 나노입자들은 제1 열처리에 의해 기판 상에 증착된 제1 금속박막을 결정화하여 형성되고, 상기 제2 금속 나노입자들은 제2 열처리에 의해 상기 제1 금속 나노입자들을 포함한 기판 상에 증착된 제2 금속박막을 결정화하여 형성됨으로써, 보다 넓은 파장에서 더욱 많은 빛을 흡수할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 31/03845(2013.01) H01L 31/03845(2013.01) H01L 31/03845(2013.01)
출원번호/일자 1020110007503 (2011.01.25)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1175712-0000 (2012.08.14)
공개번호/일자 10-2012-0086197 (2012.08.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.25)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 탄지령 말레이지아 광주광역시 북구
2 이용탁 대한민국 광주광역시 북구
3 송영민 대한민국 광주광역시 북구
4 장성준 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0061567-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0022459-18
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0422416-19
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번호 청구항
1 1
기판 상에 적어도 두 개의 서로 다른 금속 물질을 서로 다른 온도 조건으로 열처리하여 제1 및 제2 금속 나노입자들이 형성되되,상기 제1 금속 나노입자들은 제1 열처리에 의해 기판 상에 증착된 제1 금속박막을 결정화하여 형성되고, 상기 제2 금속 나노입자들은 제2 열처리에 의해 상기 제1 금속 나노입자들을 포함한 기판 상에 증착된 제2 금속박막을 결정화하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자 구조물
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속박막은 이종금속 비합금 물질로서, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 이용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자 구조물
3 3
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속박막은 5nm 내지 50nm 정도의 두께를 갖도록 증착되는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자 구조물
4 4
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 열처리는 오븐, 급속 열 어닐링 또는 핫 플레이트 중 어느 하나의 방법을 이용하여 수행되며, 상기 제1 열처리의 온도는 상기 제2 열처리의 온도보다 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자 구조물
5 5
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속 나노입자들의 평균 직경은 20nm 내지 200nm 정도로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자 구조물
6 6
기판 상에 제1 금속박막을 증착하는 단계;제1 열처리를 통해 상기 제1 금속박막을 결정화하여 제1 금속 나노입자들을 형성하는 단계;상기 제1 금속 나노입자들을 포함한 기판 상에 제2 금속박막을 증착하는 단계; 및제2 열처리를 통해 상기 제2 금속박막을 결정화하여 제2 금속 나노입자들을 형성하는 단계를 포함하는 다중금속 나노입자 구조물의 제조방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속박막은 이종금속 비합금 물질로서, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자 구조물의 제조방법
8 8
제6 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속박막은 5nm 내지 50nm 정도의 두께를 갖도록 증착하는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자 구조물의 제조방법
9 9
제6 항에 있어서,상기 제1 및 제2 열처리는 오븐, 급속 열 어닐링 또는 핫 플레이트 중 어느 하나의 방법을 이용하여 수행하며, 상기 제1 열처리의 온도는 상기 제2 열처리의 온도보다 높게 설정하는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자 구조물의 제조방법
10 10
제6 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속 나노입자들의 평균 직경이 20nm 내지 200nm 정도가 되도록 상기 제1 및 제2 금속박막을 결정화하는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자 구조물의 제조방법
11 11
기판 상에 형성된 후면전극;상기 후면전극 상에 n형 도핑층 및 p형 도핑층이 순차적으로 적층되어 이루어진 광 흡수층;상기 p형 도핑층의 광 흡수부를 제외한 상면에 형성된 전면전극; 및상기 p형 도핑층의 광 흡수부 상에 형성된 제1 및 제2 금속 나노입자들을 포함하되,상기 제1 금속 나노입자들은 제1 열처리에 의해 상기 p형 도핑층의 광 흡수부 상에 증착된 제1 금속박막을 결정화하여 형성되고, 상기 제2 금속 나노입자들은 제2 열처리에 의해 상기 제1 금속 나노입자들을 포함한 상기 p형 도핑층의 광 흡수부 상에 증착된 제2 금속박막을 결정화하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자
12 12
기판 상에 형성된 투명 전류확산층;상기 투명 전류확산층 상의 일부 영역에 형성된 전면전극;상기 전면전극을 제외한 상기 투명 전류확산층의 상면에 형성된 제1 및 제2 금속 나노입자들;상기 제1 및 제2 금속 나노입자들을 포함한 상기 투명 전류확산층 상에 형성된 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 형성된 후면전극을 포함하되,상기 제1 금속 나노입자들은 제1 열처리에 의해 상기 투명 전류확산층 상에 증착된 제1 금속박막을 결정화하여 형성되고, 상기 제2 금속 나노입자들은 제2 열처리에 의해 상기 제1 금속 나노입자들을 포함한 상기 투명 전류확산층 상에 증착된 제2 금속박막을 결정화하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자
13 13
제12 항에 있어서,상기 광 흡수층은 하나의 도핑형 비정질 실리콘층 또는 pn 도핑형 비정질 실리콘층으로 이루어지되,상기 pn 도핑형 비정질 실리콘층으로 이루어질 경우,상기 투명 전류확산층 상에 n형 도핑층 및 p형 도핑층이 순차적으로 적층되며, 상기 n형 도핑층 상에 상기 제1 및 제2 금속 나노입자들이 형성되는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자
14 14
제11 항 또는 제12 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속박막은 이종금속 비합금 물질로서, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 이용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자
15 15
제11 항 또는 제12 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속박막은 5nm 내지 50nm 정도의 두께를 갖도록 증착되는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자
16 16
제11 항 또는 제12 항에 있어서,상기 제1 및 제2 열처리는 오븐, 급속 열 어닐링 또는 핫 플레이트 중 어느 하나의 방법을 이용하여 수행되며, 상기 제1 열처리의 온도는 상기 제2 열처리의 온도보다 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자
17 17
제11 항 또는 제12 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속 나노입자들의 평균 직경은 20nm 내지 200nm 정도로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자
18 18
기판 상에 후면전극을 형성하는 단계;상기 후면전극 상에 n형 도핑층 및 p형 도핑층이 순차적으로 적층되어 이루어진 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 p형 도핑층의 광 흡수부를 제외한 상면에 형성된 전면전극을 형성하는 단계;상기 p형 도핑층의 광 흡수부 상에 제1 금속박막을 증착하는 단계;제1 열처리를 통해 상기 제1 금속박막을 결정화하여 제1 금속 나노입자들을 형성하는 단계;상기 제1 금속 나노입자들을 포함한 상기 p형 도핑층의 광 흡수부 상에 제2 금속박막을 증착하는 단계; 및제2 열처리를 통해 상기 제2 금속박막을 결정화하여 제2 금속 나노입자들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자의 제조방법
19 19
기판 상에 투명 전류확산층을 형성하는 단계;상기 투명 전류확산층 상의 일부 영역에 전면전극을 형성하는 단계;상기 전면전극을 제외한 상기 투명 전류확산층의 상에 제1 금속박막을 증착하는 단계;제1 열처리를 통해 상기 제1 금속박막을 결정화하여 제1 금속 나노입자들을 형성하는 단계;상기 제1 금속 나노입자들을 포함한 상기 투명 전류확산층 상에 제2 금속박막을 증착하는 단계;제2 열처리를 통해 상기 제2 금속박막을 결정화하여 제2 금속 나노입자들을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 금속 나노입자들을 포함한 상기 투명 전류확산층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 후면전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자의 제조방법
20 20
제19 항에 있어서,상기 광 흡수층은 하나의 도핑형 비정질 실리콘층 또는 pn 도핑형 비정질 실리콘층으로 형성하되,상기 pn 도핑형 비정질 실리콘층으로 형성할 경우,상기 투명 전류확산층 상에 n형 도핑층을 적층한 후, 상기 n형 도핑층 상에 상기 제1 및 제2 금속 나노입자들을 형성하고, 상기 제1 및 제2 금속 나노입자들을 포함한 n형 도핑층 상에 p형 도핑층을 적층하는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자의 제조방법
21 21
제18 항 또는 제19 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속박막은 이종금속 비합금 물질로서, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자의 제조방법
22 22
제18 항 또는 제19 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속박막은 5nm 내지 50nm 정도의 두께를 갖도록 증착하는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자의 제조방법
23 23
제18 항 또는 제19 항에 있어서,상기 제1 및 제2 열처리는 오븐, 급속 열 어닐링 또는 핫 플레이트 중 어느 하나의 방법을 이용하여 수행하며, 상기 제1 열처리의 온도는 상기 제2 열처리의 온도보다 높게 설정하는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자의 제조방법
24 24
제18 항 또는 제19 항에 있어서,상기 제1 및 제2 금속 나노입자들의 평균 직경이 20nm 내지 200nm 정도가 되도록 상기 제1 및 제2 금속박막을 결정화하는 것을 특징으로 하는 다중금속 나노입자가 집적된 광소자의 제조방법
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