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기판 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된, 염화금(AuCl2)이 포함된 도펀트 용액을 그래핀의 계면에 화학적으로 흡착시킨, 도핑된 그래핀; 상기 도핑된 그래핀 상에 형성된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 형성된 그래핀 채널; 및상기 도핑된 그래핀의 노출면에 배치되는 페시베이션층을 포함하며,상기 그래핀 채널의 폭은 3㎛ 내지 15㎛인, 그래핀 포토디텍터
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제1항에 있어서, 상기 페시베이션층은,금속 산화물, SiNx 및 질화물 계열의 절연체 중 어느 하나로 이루어지는 것인, 그래핀 포토디텍터
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제2항에 있어서, 상기 금속 산화물은,TiO2,SnO2,ZnO,MgO,V2O5,ZrO2,B2O3,Al2O3,Fe3O4,Fe2O3,BaTiO3,WO3,Co3O4,MnO2,SiO2,NiO,RuO2,Cu2O및 HfO2중 하나 이상이 사용되는 것인, 그래핀 포토디텍터
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제1항에 있어서,상기 페시베이션층에 의해 물 또는 산소의 광탈리 및 흡착 반응이 억제되어, 상기 그래핀 포토디텍터가 적외선, 가시광선 및 자외선 영역에서 모두 동작하는 것인, 그래핀 포토디텍터
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제4항에 있어서,상기 적외선, 가시광선 및 자외선 영역에서 상기 각 영역 간의 광전류 차이는 30% 이하인 것인, 그래핀 포토디텍터
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기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 염화금(AuCl2)이 포함된 도펀트 용액을 그래핀의 계면에 화학적으로 흡착시킨, 도핑된 그래핀을 형성하는 단계;상기 도핑된 그래핀 상의 일부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 도핑된 그래핀을 선택적 제거하여 그래핀 채널을 형성하는 단계; 및상기 도핑된 그래핀의 노출된 표면에 페시베이션층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 그래핀 채널의 폭은 3㎛ 내지 15㎛인, 그래핀 포토디텍터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 도핑된 그래핀을 형성하는 단계는,상기 절연층 상에 그래핀을 형성하는 단계; 및상기 그래핀에 염화금이 포함된 도펀트 용액을 도포하여 진공 건조시키는 단계를 포함하는 것인, 그래핀 포토디텍터의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 페시베이션층은,금속 산화물, SiNx 및 질화물 계열의 절연체 중 어느 하나로 이루어지는 것인, 그래핀 포토디텍터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 금속 산화물은,TiO2,SnO2,ZnO,MgO,V2O5,ZrO2,B2O3,Al2O3,Fe3O4,Fe2O3,BaTiO3,WO3,Co3O4,MnO2,SiO2,NiO,RuO2,Cu2O및 HfO2중 하나 이상이 사용되는 것인, 그래핀 포토디텍터의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 페시베이션층에 의해 물 또는 산소의 광탈리 및 흡착 반응이 억제되어, 상기 그래핀 포토디텍터가 적외선, 가시광선 및 자외선 영역에서 모두 동작하는 것인, 그래핀 포토디텍터의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 적외선, 가시광선 및 자외선 영역에서 상기 각 영역 간의 광전류 차이는 30% 이하인 것인, 그래핀 포토디텍터의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 그래핀 표면에 페시베이션층을 형성하는 단계는,상기 그래핀 표면에서 증발증착법, 레이저증착법, 전기방전법, Ion plating법, Electron Cyclotron Resonance법, gas jet증착법, 진공증착법, 스퍼터링법, 에피택시법, 원자층증착법(Atomic Layer Deposition), CVD법, PVD법 및 스핀코팅법 중 어느 하나에 의해 상기 페시베이션층이 형성되는 것인, 그래핀 포토디텍터의 제조방법
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