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실리콘 기판 상에 금속산화물을 형성하는 단계와, 상기 금속산화물에 질소성분을 함유시키는 질화처리 단계와, 상기 질소성분이 함유된 금속산화물을 산화시키는 재산화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속산화물이 ZrO2인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속산화물이 HfO2, La2O3, Al2O3 및 Ta2O5 으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속산화물이 ZrSixOy, HfSixOy, LaSixOy, AlSixOy 및 TaSixOy로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 질화처리 단계가 상기 금속산화물이 형성된 결과물을 질소함유기체 분위기에서 열처리함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 질소함유기체가 N2O, NO 또는 NH3 기체 인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 열처리가 300~1000℃의 온도범위에서 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 열처리가 10초 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 질화처리 단계가 상기 금속산화물을 질소함유 플라즈마 분위기에 노출시켜 플라즈마 처리함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 질소함유 플라즈마가 N2 또는 NH3 플라즈마인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 질화 처리단계가 상기 금속산화물에 질소성분을 이온주입함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 재산화 단계가 O2, O3 또는 H2O(g) 분위기에서 열처리함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 재산화 단계가 300~1000℃의 온도범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 재산화 단계가 10초 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트절연막 제조방법
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