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기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 트랜지스터가 형성된 반도체 장치에 시간-도메인 반사 측정(time-domain reflectometry, TDR) 장치를 연결시키기 위한 TDR 프로브를 포함하고,상기 TDR 프로브는상기 게이트 전극을 상기 TDR 장치의 신호 라인에 연결시키기 위한 제1 프로브 팁; 및상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 기판의 벌크 영역을 상기 TDR 장치의 접지 라인들에 각각 연결시키기 위한 제2 내지 제4 프로브 팁들을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로빙 어셈블리
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 프로브 팁은 상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제1 콘택 패드에 접촉 가능하고, 상기 제2 내지 제4 프로브 팁들은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 기판의 상기 벌크 영역에 전기적으로 각각 연결된 제2 내지 제4 콘택 패드들과 각각 접촉 가능한 것을 특징으로 하는 프로빙 어셈블리
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 프로브 팁은 상기 TDR 장치의 상기 신호 라인에 연결되고, 상기 제2 내지 제4 프로브 팁들은 상기 TDR 장치의 상기 접지 라인들에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 프로빙 어셈블리
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제 1 항에 있어서, 상기 TDR 장치는 상기 TDR 프로브를 이용하여 상기 반도체 장치에 DC 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 프로빙 어셈블리
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제 4 항에 있어서, 상기 반도체 장치로부터 상기 DC 전압에 따른 반사 파형을 획득하여 상기 트랜지스터의 커패시턴스 값을 측정하는 것을 특징으로 하는 프로빙 어셈블리
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 장치는 웨이퍼의 스크라이브 레인 영역 또는 다이 영역에 형성된 테스트 구조물인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 프로빙 어셈블리
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제 1 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 기판의 액티브 영역에 형성된 소스 영역 및 드레인 영역인 것을 특징으로 하는 프로빙 어셈블리
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기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 트랜지스터가 형성된 반도체 장치를 마련하는 단계;상기 반도체 장치에 시간-도메인 반사 측정(time-domain reflectometry, TDR) 장치를 연결시키되, 상기 게이트 전극을 상기 TDR 장치의 신호 라인에 연결시키고 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 기판의 벌크 영역을 상기 TDR 장치의 접지 라인에 연결시키는 단계; 및상기 TDR 장치를 이용하여 상기 반도체 장치의 전기적 특성을 측정하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 검사 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 반도체 장치는 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 기판의 상기 벌크 영역에 전기적으로 각각 연결된 제1 콘택 패드, 제2 콘택 패드, 제3 콘택 패드 및 제4 콘택 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 검사 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 반도체 장치에 상기 TDR 장치를 연결시키는 단계는,상기 TDR 장치의 상기 신호 라인에 연결된 제1 프로브 팁 및 상기 TDR 장치의 상기 접지 라인들에 각각 연결된 제2 내지 제4 프로브 팁들을 갖는 프로빙 어셈블리를 마련하는 단계; 및상기 제1 내지 제4 프로브 팁들을 상기 제1 내지 제4 콘택 패드들에 각각 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 검사 방법
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