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주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 트랜지스터의 단채널 효과 측정방법
- 기술번호 : KST2014061898
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 주사 탐침 현미경을 이용하여 소스전극과 드레인 전극에 연결된 나노선 채널을 찾는 단계, 주사 탐침 현미경의 팁을 나노선 채널 위에 접촉시키고 나노선 채널 위에서 위치를 변화시키며 팁을 드레인 전극으로 하여 소스전극 과 팁 간에 채널을 형성시키는 단계 및 반도체 파라미터 분석기를 이용하여 소스전극과 팁 간의 채널에서 나노소자의 전기적 특성을 측정하는 단계를 포함하여 주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과 측정 방법을 구성한다. 따라서, 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과를 직접적으로 측정이 가능하게 됨으로써, 단채널 효과에 의한 동작전압 및 문턱전압의 변화를 고려한 소자의 설계 및 제조가 가능해진다. |
|---|---|
| Int. CL | B82Y 35/00 (2011.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070034920 (2007.04.10) |
| 출원인 | 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1338356-0000 (2013.12.02) |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0091898 (2008.10.15) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20131206) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.04.04) |
| 심사청구항수 | 5 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 조건호 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 2 | 맹종선 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 3 | 김태욱 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 4 | 이탁희 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 광주광역시 북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.04.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0273588-93 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 3 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2012.04.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0269283-96 |
| 4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2012.04.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0269429-65 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.04.02 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.05.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0036847-26 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.05.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0366703-50 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.07.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0683222-56 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.07.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0683217-27 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0830805-15 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 주사 탐침 현미경을 이용하여 소스전극과 드레인 전극에 연결된 나노선 채널을 찾는 단계;상기 주사 탐침 현미경의 팁을 상기 나노선 채널 위에 접촉시키고 상기 나노선 채널 위에서 위치를 변화시키며 상기 팁을 드레인 전극으로 하여 상기 소스전극 과 상기 팁 간에 채널을 형성시키는 단계; 및반도체 파라미터 분석기를 이용하여 상기 소스전극과 상기 팁 간의 채널에서 흐르는 전류를 측정하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과 측정 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 나노선은 Si, SiC, SnO2, In2O3, ZnO, GaN, Ge, SiGe, InP, InN, InAs, GaP 중 하나인 나노선, 또는 그의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과 측정 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 주사 탐침 현미경은, 원자력 현미경(AFM; Atomic Force Microscope), 스캐닝 터널링 현미경(STM; Scanning Tunneling Microscope), 측면력 현미경(LFM; Lateral Force Microscope), 자기력 현미경(MFM; Magnetic Force Microscope), 전기력 현미경(EFM; Electrostatic Force Microscope), 스캐닝 커패시턴스(capacitance) 현미경, 터널링 원자력 현미경 또는 전도성 원자력 현미경(CAFM; Conducting Atomic Force Microscope)인 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과 측정 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 주사 탐침 현미경의 팁은, 금속 또는 전기 전도성을 갖는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과 측정 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 나노선 전계효과트랜지스터의 단채널 효과 측정 방법은 상기 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조에서 인-시츄(In-situ) 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과 측정 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
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- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-1338356-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070410 출원 번호 : 1020070034920 공고 연월일 : 20131206 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131128 청구범위의 항수 : 5 유별 : H01L 21/66 발명의 명칭 : 주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 트랜지스터의 단채널효과 측정방법 존속기간(예정)만료일 : 20181203 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 120,000 원 | 2013년 12월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2016년 10월 04일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2017년 09월 26일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.04.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0273588-93 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 3 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2012.04.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0269283-96 |
| 4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2012.04.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0269429-65 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.04.02 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2013.05.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0036847-26 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2013.05.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0366703-50 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.07.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0683222-56 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.07.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0683217-27 |
| 10 | 등록결정서 | 2013.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0830805-15 |
| 기술번호 | KST2014061898 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 광주과학기술원 |
| 기술명 | 주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 트랜지스터의 단채널 효과 측정방법 |
| 기술개요 |
주사 탐침 현미경을 이용하여 소스전극과 드레인 전극에 연결된 나노선 채널을 찾는 단계, 주사 탐침 현미경의 팁을 나노선 채널 위에 접촉시키고 나노선 채널 위에서 위치를 변화시키며 팁을 드레인 전극으로 하여 소스전극 과 팁 간에 채널을 형성시키는 단계 및 반도체 파라미터 분석기를 이용하여 소스전극과 팁 간의 채널에서 나노소자의 전기적 특성을 측정하는 단계를 포함하여 주사 탐침 현미경을 이용한 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과 측정 방법을 구성한다. 따라서, 나노선 전계효과 트랜지스터의 단채널 효과를 직접적으로 측정이 가능하게 됨으로써, 단채널 효과에 의한 동작전압 및 문턱전압의 변화를 고려한 소자의 설계 및 제조가 가능해진다. |
| 개발상태 | 특허만신청(등록) |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 신소재 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매 |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1355051566 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-03 |
| 연구과제명 | 첨단산업기술기초연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 199701~201712 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1355052282 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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