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기판;상기 기판 상에 형성된 N 전극 접촉층;상기 N 전극 접촉층 상에 형성된 하부 DBR층;상기 하부 DBR층 상에 형성된 양자 우물층;상기 양자 우물층 상에 형성된 상부 DBR층;상기 상부 DBR층 상에 형성된 P 전극 접촉층;상기 P 전극 접촉층 상에 형성된 P 전극; 및상기 N 전극 접촉층 상에 형성된 N 전극을 포함하고,상기 N 전극은 상기 하부 DBR층을 둘러싸는 프레임(frame) 형태인 광 이미지 변조기
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제 1 항에 있어서,상기 P 전극과 상기 N 전극은 각각 P 본딩 패드와 N 본딩 패드에 연결되고, 상기 P 본딩 패드와 상기 N 본딩 패드는 동일한 방향으로 나란히 구비된 광 이미지 변조기
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제 1 항에 있어서,상기 P 전극은 휘시 본(fish-bone) 구조 또는 격자 구조(matrix)로 형성된 광 이미지 변조기
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제 1 항에 있어서,상기 N 전극 접촉층, 상기 하부 DBR층, 상기 양자 우물층, 상기 상부 DBR층 및 상기 P 전극 접촉층을 둘러싸는 절연층을 포함하고,상기 절연층에 상기 N 전극 접촉층이 노출되는 관통홀이 형성되어 있고,상기 관통홀을 통해 노출되는 상기 N 전극 접촉층 상에 상기 N 전극이 형성되어 있는 광 이미지 변조기
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제 1 항에 있어서,상기 N 전극은 상기 하부 DBR층의 적어도 한 변을 둘러싸도록 구비된 광 이미지 변조기
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제 2 항에 있어서,상기 N 전극에 연결되는 제2 N 본딩 패드가 더 구비되어 있고, 상기 N 본딩 패드와 상기 제2 N 본딩 패드는 상기 P 본딩 패드의 양쪽에 대칭적으로 구비된 광 이미지 변조기
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제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 N 전극의 전압이 인가되는 지점에서 멀어질수록 상기 N 전극의 폭은 증가하는 광 이미지 변조기
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제 7 항에 있어서,상기 N 전극의 폭은 연속적으로 증가하는 광 이미지 변조기
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제 7 항에 있어서,상기 N 전극의 폭은 단계적으로(불연속적으로) 증가하는 광 이미지 변조기
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제 4 항에 있어서,상기 절연층 상에 N 전극 패드와 P 전극 패드가 동일한 방향으로 나란히 구비되고, 상기 N 전극의 프레임은 상기 관통홀의 측벽을 따라 확장되어 상기 N 전극 패드에 연결되는 광 이미지 변조기
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어레이를 이루는 복수의 단위 광 변조기; 및상기 복수의 단위 광 변조기에 인가되는 구동 전압을 제어하는 복수의 구동소자를 포함하고,상기 단위 광 변조기는 청구항 1의 광 변조기인 광 변조기 어레이
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제 11 항에 있어서,상기 복수의 단위 광 변조기는 2열, Y행(Y=1,2, 3…)으로 배열된 광 변조기 어레이
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제 11 항에 있어서,상기 복수의 구동소자는 상기 복수의 단위 광 변조기와 일대 일로 대응되는 광 변조기 어레이
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제 12 항에 있어서,상기 복수의 구동소자는 상기 복수의 단위 광 변조기 양쪽에 각 1열씩, 총 2열로 배열되고, 각 열의 행의 수는 상기 복수의 단위 광 변조기의 행의 수와 동일한 광 변조기 어레이
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제 13 항에 있어서,상기 각 구동소자와 상기 각 단위 광 변조기 사이의 전기 배선 길이는 동일한 광 변조기 어레이
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제 12 항에 있어서,상기 구동소자는 MOSFET인 광 변조기 어레이
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기판 상에 N 전극 접촉층을 형성하는 단계;상기 N 전극 접촉층 상에 하부 DBR층, 양자 우물층, 상부 DBR층 및 P 전극 접촉층을 순차적으로 적층하는 단계;상기 P 전극 접촉층의 일부 영역 상에 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크 둘레의 상기 하부 DBR층, 상기 양자 우물층, 상기 상부 DBR층 및 상기 P 전극 접촉층을 역순으로 식각하되, 상기 N 전극 접촉층이 노출될 때까지 식각하는 단계;상기 마스크를 제거하는 단계;상기 기판 상에 상기 N 전극 접촉층의 노출된 부분을 덮고, 상기 식각 후의 상기 하부 DBR층, 상기 양자 우물층, 상기 상부 DBR층 및 상기 P 전극 접촉층의 측면을 덮는 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층에 상기 N 전극 접촉층이 노출되고, 상기 하부 DBR층을 둘러싸는 관통홀을 형성하는 단계; 및상기 P 전극 접촉층 상에 P 전극을 형성하고, 상기 상기 관통홀을 통해 노출되는 상기 N 전극 접촉층 상에 상기 하부 DBR층을 둘러싸는 N 전극을 형성하는 단계를 포함하는 광 이미지 변조기의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 P 전극 및 상기 N 전극을 형성할 때, 상기 절연층 상에 상기 P 전극과 연결되는 P 본딩 패드 및 상기 N 전극과 연결되는 N 본딩 패드를 형성하고,상기 P 본딩 패드와 상기 N 본딩 패드는 동일한 방향으로 나란히 형성하는 광 이미지 변조기의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 P 전극은 휘시-본 형태 또는 매트릭스 형태로 형성하는 광 이미지 변조기의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 N 전극은 상기 N 본딩 패드로부터 멀어질수록 그 폭이 증가하도록 형성하는 광 이미지 변조기의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 N 본딩 패드는 1개 또는 2개를 형성하는 광 이미지 변조기의 제조방법
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제 20 항에 있어서,상기 N 전극의 폭은 연속적으로 증가하도록 형성하는 광 이미지 변조기의 제조방법
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제 20 항에 있어서,상기 N 전극의 폭은 단계적으로(불연속적으로) 증가하도록 형성하는 광 이미지 변조기의 제조방법
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