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태양전지용 광흡수층 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015176694
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 CIS 또는 CIGS화합물로 이루어진 박막에 SiO2 또는 SiNx화합물을 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)를 통하여 상기 박막에 증착함으로써, 셀렌(Se)조성을 일정하게 조절하여 높은 수율을 갖는 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 태양전지, 광흡수층, CIS, CIGS, 셀레나이제이션(Selenization), Se(Selenium)
Int. CL	H01L 31/04 (2014.01)
CPC	H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자	1020090015444 (2009.02.24)
출원인	전남대학교산학협력단
등록번호/일자	10-0994830-0000 (2010.11.10)
공개번호/일자	10-2010-0096533 (2010.09.02) 문서열기
공고번호/일자	(20101117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.02.24)
심사청구항수	6

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	전남대학교산학협력단	대한민국	광주광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김진혁	대한민국	광주광역시 북구
2	김태언	대한민국	전라남도 나주시 세지
3	문종하	대한민국	광주광역시 북구
4	김선훈	대한민국	광주광역시 서구
5	김회종	대한민국	광주광역시 광산구
6	고항주	대한민국	광주광역시 북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인아이엠	대한민국	서울특별시 강남구 봉은사로 *, *호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	주식회사 부경		전라남도 함평군

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.02.24	수리 (Accepted)	1-1-2009-0114807-37
2	등록결정서 Decision to grant	2010.11.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0497500-13
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2012-5157698-67
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.01.02	수리 (Accepted)	4-1-2014-0000058-61
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.06.08	수리 (Accepted)	4-1-2015-5076218-57
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.07.07	수리 (Accepted)	4-1-2016-5093177-51
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.03.30	수리 (Accepted)	4-1-2018-5056463-72

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번호	청구항
1	1 태양전지용 광흡수층 제조방법에 있어서, 삼원계 박막의 조성비를 측정하고, 상기 조성비에 따라 일정량의 Se를 상기 박막에 증착하는 제 1 단계; 증착된 상기 Se위에 보호층을 형성하는 제 2 단계; 상기 박막을 열처리하는 제 3 단계; 및 상기 보호층을 식각하여 제거하는 제 4 단계;를 포함하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 삼원계 박막은 CIS 또는 CIGS로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 보호층은 SiO2 또는 SiNx가 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 제 4 단계는 BOE(Buffered Oxide Echant)를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광흡수층 제조방법
6	6 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 태양전지용 광흡수층 제조방법을 이용하여 제조되는 태양전지용 광흡수층

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0994830-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20090224 출원 번호 : 1020090015444 공고 연월일 : 20101117 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20101102 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 태양전지용 광흡수층 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구...
2	(권리자) 주식회사 부경 전라남도 함평군...
2	(의무자) 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	139,500 원	2010년 11월 11일	납입
제 4 년분	금 액	172,000 원	2013년 11월 08일	납입
제 5 년분	금 액	120,400 원	2014년 10월 24일	납입
제 6 년분	금 액	120,400 원	2015년 10월 29일	납입
제 7 년분	금 액	229,600 원	2016년 09월 30일	납입
제 8 년분	금 액	229,600 원	2017년 10월 31일	납입
제 9 년분	금 액	164,000 원	2018년 10월 26일	납입
제 10 년분	금 액	336,300 원	2020년 04월 23일	납입
제 11 년분	금 액	285,000 원	2020년 11월 11일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.02.24	수리 (Accepted)	1-1-2009-0114807-37
2	등록결정서	2010.11.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0497500-13
3	출원인정보변경(경정)신고서	2012.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2012-5157698-67
4	출원인정보변경(경정)신고서	2014.01.02	수리 (Accepted)	4-1-2014-0000058-61
5	출원인정보변경(경정)신고서	2015.06.08	수리 (Accepted)	4-1-2015-5076218-57
6	출원인정보변경(경정)신고서	2016.07.07	수리 (Accepted)	4-1-2016-5093177-51
7	출원인정보변경(경정)신고서	2018.03.30	수리 (Accepted)	4-1-2018-5056463-72

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