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박막 고체 전해질 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015177632
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리튬 이온 박막 전지용 고체 전해질 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기 고체 전해질은 Li, Si, O, N으로 구성되는 원자를 함유하고, 여기서 Si이 네트워크 골격을 형성하고, N이 네트워트의 골격을 개질시켜 그물 구조를 형성하는 4원계 박막 전해질이다. 상기 전해질은 Li, Si, O를 제공할 수 있는 타겟을 형성하고, 순수한 N2 또는 N2를 포함하는 분위기 하에서 스퍼터링을 수행하여 제조하거나, Li, Si, O, N 을 제공할 수 있는 타겟을 형성하고, 순수한 N2 또는 N2를 포함하는 분위기, 불활성 가스 또는 O2 가스 분위기 하에서 스퍼터링을 수행하여 제조된다.박막 고체 전해질, 네트워크 형성제, 네트워크 개질제 , DC 기판 바이어스
Int. CL H01M 10/0525 (2010.01) H01M 10/058 (2010.01) H01M 10/0562 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1020030030320 (2003.05.13)
출원인 강원대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0098139 (2004.11.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성만 대한민국 강원 춘천시
2 이희원 대한민국 서울특별시성동구
3 이승태 대한민국 강원도평창군
4 이승주 대한민국 서울특별시강북구

대리인

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최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2003-0169761-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.12 수리 (Accepted) 4-1-2004-0010981-11
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2004-5143362-46
4 보정요구서
Request for Amendment		 2004.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0062325-99
5 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2004-5162033-20
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0019031-78
8 등록결정서
Decision to grant		 2005.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0258394-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5075634-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5249875-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5049179-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5230938-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

Li, Si, O, N으로 구성되는 원자를 함유하고, 여기서 Si이 네트워크 골격을 형성하고, N이 네트워트의 골격을 개질시켜 그물 구조를 형성하는 리튬 이차 전지용 4원계 박막 전해질

2 2

제1항에 있어서, 상기 4원계 박막 전해질이 LixSiOyNz(여기서, x는 1

3 3

제1항에 있어서, 상기 4원계 박막 전해질이 비정질 구조를 가지는 것인 리튬 이차 전지용 4원계 박막 전해질

4 4

Li, Si, O를 제공할 수 있는 타겟을 형성하고,

순수한 N2 또는 N2를 포함하는 분위기 하에서 스퍼터링을 수행하여 Li, Si, O 및 N의 4개의 원소 함유하는 4원계 전해질을 제조하는 공정

을 포함하는 리튬 이차 전지용 4원계 박막 전해질의 제조방법

5 5

제4항에 있어서, 상기 Li, Si, O를 제공할 수 있는 타겟은 Li2SiO3, Li4SiO4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 리튬 이차 전지용 4원계 박막 전해질의 제조방법

6 6

Li, Si, O, N 을 제공할 수 있는 타겟을 형성하고;

순수한 N2 또는 N2를 포함하는 분위기, 불활성 가스 또는 O2 가스 분위기 하에서 스퍼터링을 수행하여 Li, Si, O 및 N의 4개의 원소 함유하는 4원계 전해질을 제조하는 공정

을 포함하는 리튬 이차 전지용 4원계 박막 전해질의 제조방법

7 7

제6항에 있어서, 상기 Li, Si, O, N을 제공할 수 있는 타겟은 Li, Si, O를 제공할 수 있는 물질에 N을 제공할 수 있는 물질을 첨가하여 제조되는 것인 리튬 이차 전지용 4원계 박막 전해질의 제조방법

8 8

제7항에 있어서, 상기 N을 제공할 수 있는 물질은 Li3N 및 Si3N4로 이루어진 군에서 선택되는 것인 리튬 이차 전지용 4원계 박막 전해질의 제조방법

9 9

제1항 내지 제3항중 어느 하나의 항에 따른 전해질을 포함하는 박막 전지

10 10

제1항 내지 제3항중 어느 하나의 항에 따른 전해질을 포함하는 초소형 센서

11 11

제4항 내지 제8항중 어느 하나의 항에 따라 제조된 전해질을 포함하는 박막 전지

12 12

제4항 내지 제8항중 어느 하나의 항에 따라 제조된 전해질을 초소형 센서

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.