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리튬 이차 전지용 음극 박막 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015177890
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 집전체와 그 상부에 형성된 음극 활물질층을 구비하고 있는 리튬 이차 전지용 음극 박막을 제공한다. 상기 음극 활물질층은 금속(M)층과 실리콘(Si)층이 교호적으로 적층된 다층 박막 또는 실리콘-금속층(Si-M)과 금속(M)층이 교호적으로 적층된 다층박막을 포함한다. 여기서 금속(M)은 리튬과 반응하지 않으면서 실리콘과 반응하는 원소로 이루어진다. 본 발명의 음극 박막은 충방전 과정에서 발생하는 실리콘의 부피팽창 및 수축을 억제하여 사이클 특성을 크게 향상시킬 수 있다. 따라서 이 박막음극을 채용하면 전극과 전해질 계면의 화학적 안정성 및 기계적 안정성이 크게 개선되어 수명 특성이 향상된 리튬 이차 전지를 제조할 수 있다. 박막전지,실리콘,마이크로,전류바이어스
Int. CL H01M 4/139 (2010.01) H01M 10/0525 (2010.01) H01M 4/13 (2010.01) H01M 4/38 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1020030026841 (2003.04.28)
출원인 강원대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0563081-0000 (2006.03.15)
공개번호/일자 10-2004-0095848 (2004.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20060327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.04.28)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성만 대한민국 강원 춘천시
2 김재범 대한민국 강원도동
3 이관수 대한민국 강원도강릉시
4 이헌영 대한민국 강원도춘천시석사동청구
5 이승주 대한민국 서울특별시강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종길 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시 강원대학
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0152566-91
2 보정통지서
Request for Amendment		 2003.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2003-0029568-12
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2003.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2003-0172911-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.12 수리 (Accepted) 4-1-2004-0010981-11
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2004-5143361-01
6 보정요구서
Request for Amendment		 2004.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0062273-13
7 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2004-5164309-73
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0019034-15
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0222535-77
11 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2005.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0384146-27
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0384145-82
13 보정요구서
Request for Amendment		 2005.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0060709-16
14 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0448662-54
15 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0448733-08
16 의견서
Written Opinion		 2005.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0448732-52
17 등록결정서
Decision to grant		 2005.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0620830-66
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5075634-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5249875-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5049179-27
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5230938-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
집전체와 그 상부에 형성된 음극 활물질층을 구비하고 있는 리튬 이차 전지용 음극 박막에 있어서, 상기 음극 활물질층은 리튬과 반응하지 않으면서 실리콘과 반응하는 금속(M)층; 및 실리콘(Si)층을 포함하고,상기 금속층과 실리콘층이 교호적으로 적층된 다층 박막인 것인 리튬 이차 전지용 음극 박막
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속은 실리콘과 금속간의 형성 엔탈피(formation enthalpy)는 음의 값을 가지는 것인 리튬 이차 전지용 음극 박막
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속은 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 니오비늄(Nb), 몰리브데늄(Mo), 탈탄늄(Ta), 텅스텐(W), 하프늄(Hf) 및 레늄(Re)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 리튬 이차 전지용 음극 박막
4 4
제1항에 있어서, 상기 집전체와 음극 활물질층 사이에 완충막이 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지용 음극박막
5 5
제4항에 있어서, 상기 완충막의 두께가 50 내지 300Å인 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지용 음극 박막
6 6
제1항에 있어서, 상기 실리콘층의 두께가 50 내지 500Å이고, 상기 금속 층의 두께가 10 내지 400Å인 리튬 이차 전지용 음극 박막
7 7
제1항에 있어서, 상기 다층 박막의 최상층이 금속(M)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지용 음극 박막
8 8
집전체와 그 상부에 형성된 음극 활물질층을 구비하고 있는 리튬 이차 전지용 음극 박막에 있어서, 상기 음극 활물질 층은 리튬과 반응하지 않으면서 실리콘과 반응하는 금속(M)으로 이루어진 매트릭스에 실리콘이 분산된 실리콘-금속(Si-M)층; 및 리튬과 반응하지 않으면서 실리콘과 반응하는 금속(M)층을 포함하고,상기 실리콘-금속(Si-M)층과 금속(M)층이 교호적으로 적층된 다층 박막인 것인 리튬 이차 전지용 음극 박막
9 9
제8항에 있어서, 상기 실리콘-금속(Si1-x-Mx)층에서의 금속 함량(x)은 0〈x〈0
10 10
제8항에 있어서, 상기 금속은 실리콘과 금속간의 형성 엔탈피(formation enthalpy)는 음의 값을 갖는 것인 리튬 이차 전지용 음극 박막
11 11
제10항에 있어서, 상기 금속은 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 니오비늄(Nb), 몰리브데늄(Mo), 탈탄늄(Ta), 텅스텐(W), 하프늄(Hf) 및 레늄(Re)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 리튬 이차 전지용 음극 박막
12 12
제8항에 있어서, 상기 집전체와 음극 활물질층 사이에 완충막이 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지용 음극박막
13 13
제12항에 있어서, 상기 완충막의 두께가 50 내지 300Å인 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지용 음극 박막
14 14
제1항에 있어서, 상기 실리콘-금속층의 두께가 50 내지 500Å이고 상기 금속층의 두께가 10 내지 400Å인 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지용 음극 박막
15 15
제1항에 있어서, 상기 다층 박막의 최상층이 금속(M)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지용 음극 박막
16 16
a) 집전체상에 리튬과 반응하지 않으면서 실리콘과 반응하는 금속을 박막으로 증착하여 금속층을 형성하는 단계; b) 상기 금속층 위에 실리콘층을 박막으로 형성하는 단계; 및 c) 상기 a) 및 b) 공정을 순차적으로 또는 역순으로 적어도 1회 이상 실시하여 다층 박막을 형성하는 단계를 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 박막의 제조방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 증착 공정은 스퍼터링, 전자선 증착방법, 이온선 보조 증착 또는 화학기상 증착법에 의해 행해지는 것인 리튬 이차 전지 음극 박막의 제조방법
18 18
제16항에 있어서, 상기 다층 박막의 제조공정 중 직류 바이어스를 인가하는 공정, 기재를 가열하는 공정, 이온빔 조사 공정 또는 플라즈마 처리공정을 추가로 포함하거나 또는 다층박막 제조 후 열처리하는 공정을 추가로 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 박막 제조방법
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
a) 집전체상에 리튬과 반응하지 않으면서 실리콘과 반응하는 금속과 실리콘을 박막 증착하여 실리콘-금속층 박막을 형성하는 단계; b) 상기 실리콘-금속층 박막 위에 리튬과 반응하지 않으면서 실리콘과 반응하는 금속을 박막으로 형성하는 단계; 및 c) 상기 a) 및 b) 공정을 순차적으로 또는 역순으로 적어도 1회 이상 실시하여 다층 박막을 형성하는 단계를 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 박막의 제조방법
23 23
제22항에 있어서, 상기 증착 공정은 스퍼터링, 전자선 증착방법, 이온선 보조 증착 또는 화학기상 증착법에 의해 행해지는 것인 리튬 이차 전지 음극 박막의 제조방법
24 24
제22항에 있어서, 상기 제조방법이 다층 박막의 제조공정 중 직류 바이어스를 인가하는 공정, 기재를 가열하는 공정, 이온빔 조사 공정 또는 플라즈마 처리공정을 추가로 포함하거나 또는 다층박막 제조 후 열처리하는 공정을 추가로 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 박막 제조방법
25 25
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26 26
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27 27
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28 28
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29 29
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30 29
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.