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다공성 실리콘계 화합물 또는 다공성 실리콘, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 활물질 및 리튬 이차 전지

  • 기술번호 : KST2015177914
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하기 화학식 1로 표시되는 다공성 실리콘계 화합물, 이의 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 활물질, 음극 및 리튬 이차 전지가 제공된다. [화학식 1] MySi (상기 화학식 1에서, M은 1족 내지 16족의 원소 중 적어도 하나의 원소를 포함하고, y는 0.001 내지 0.4 이다.)
Int. CL H01M 4/38 (2006.01.01) C22C 14/00 (2006.01.01) C01B 33/02 (2006.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01)
CPC H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01) H01M 4/386(2013.01)
출원번호/일자 1020110073276 (2011.07.22)
출원인 강원대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0010211 (2012.02.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100071672   |   2010.07.23
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.22)
심사청구항수 33

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성만 대한민국 강원도 춘천시 춘주로 ***, 퇴계 현대
2 이관희 대한민국 강원도 춘천시 백령로
3 함준식 대한민국 경기도 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0569522-27
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0582210-48
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5249875-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5049179-27
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.07 수리 (Accepted) 9-1-2012-0070606-93
7 [출원에 대한 정보(특허)]정보제출서
[Information about Application (Patent)]Submission of Information		 2013.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0064855-39
8 안내문(정보제출서)
Notification (Written Submission of Information)		 2013.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0008541-00
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0243625-91
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0513633-10
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0513634-66
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0749954-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5025978-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081047-64
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5137260-09
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5230938-29
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.13 수리 (Accepted) 4-1-2020-5156201-09
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5203688-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 다공성 실리콘계 화합물
2 2
제1항에 있어서,상기 화학식 1에서의 M은 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Mg, Ca, B, P, Al, Ge, Sn, Sb, Bi, Li, C, O 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 다공성 실리콘계 화합물
3 3
제1항에 있어서,상기 화학식 1에서의 M은 Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, C 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 다공성 실리콘계 화합물
4 4
제1항에 있어서,상기 다공성 실리콘계 화합물은 2 ㎚ 내지 3 ㎛의 평균 공극 크기 및 2 내지 90 부피%의 공극율을 가지는 것인 다공성 실리콘계 화합물
5 5
제1항에 있어서,상기 다공성 실리콘계 화합물은 2 ㎚ 내지 1 ㎛의 평균 공극 크기 및 40 내지 80 부피%의 공극율을 가지는 것인 다공성 실리콘계 화합물
6 6
제1항에 있어서,상기 다공성 실리콘계 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금을 에칭(etching)하여 얻어지는 것인 다공성 실리콘계 화합물
7 7
제6항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금은 Si상, Si 및 M' 함유 화합물상, 및 M'상을 포함하는 것인 다공성 실리콘계 화합물
8 8
제1항에 있어서,상기 다공성 실리콘계 화합물은 10 nm 내지 100 ㎛의 평균 입경을 가지는 것인 다공성 실리콘계 화합물
9 9
하기 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금을 에칭(etching)하여 얻어지는 다공성 실리콘
10 10
제9항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금은 Si상, Si 및 M' 함유 화합물상, 및 M'상을 포함하는 것인 다공성 실리콘
11 11
제9항에 있어서,상기 다공성 실리콘은 10 nm 내지 100 ㎛의 평균 입경을 가지는 것인 다공성 실리콘
12 12
제9항에 있어서,상기 다공성 실리콘은 2 ㎚ 내지 3 ㎛의 평균 공극 크기 및 2 내지 90 부피%의 공극율을 가지는 것인 다공성 실리콘
13 13
제9항에 있어서,상기 다공성 실리콘은 2 ㎚ 내지 1 ㎛의 평균 공극 크기 및 40 내지 80 부피%의 공극율을 가지는 것인 다공성 실리콘
14 14
하기 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금을 제조하는 단계; 및상기 실리콘계 합금을 에칭(etching)하는 단계를 포함하고, 하기 화학식 1로 표시되는 다공성 실리콘계 화합물의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금은 원자화(atomization)법, 회전 전극법, 용융방사(melt-spinning)법, 기계적 분쇄(mechanical grinding)법, 또는 기계적 합금화(mechanical allying)법에 의해 제조되는 것인 다공성 실리콘계 화합물의 제조 방법
16 16
제14항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금은 Si상, Si 및 M' 함유 화합물상, 및 M'상을 포함하는 것인 다공성 실리콘계 화합물의 제조 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 다공성 실리콘계 화합물은 상기 Si 및 M' 함유 화합물상, 및 상기 M'상 중 적어도 하나를 에칭하여 제조되는 것인 다공성 실리콘계 화합물의 제조 방법
18 18
제14항에 있어서,상기 에칭은 염산, 황산, 질산, 불산, 초산, 인산 또는 이들의 조합을 포함하는 산 용액을 이용하여 수행되는 것인 다공성 실리콘계 화합물의 제조 방법
19 19
제14항에 있어서,상기 다공성 실리콘계 화합물의 제조 방법은, 상기 제조된 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금을 상기 에칭하는 단계 전에 열처리하는 단계를 더 포함하는 것인 다공성 실리콘계 화합물의 제조 방법
20 20
제19항에 있어서,상기 열처리는 200 내지 1000℃의 온도에서 수행되는 것인 다공성 실리콘계 화합물의 제조 방법
21 21
하기 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금을 제조하는 단계; 및상기 실리콘계 합금을 에칭(etching)하는 단계를 포함하는 다공성 실리콘의 제조 방법
22 22
제21항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금은 원자화(atomization)법, 회전 전극법, 용융방사(melt-spinning)법, 기계적 분쇄(mechanical grinding)법, 또는 기계적 합금화(mechanical allying)법에 의해 제조되는 것인 다공성 실리콘의 제조 방법
23 23
제21항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금은 Si상, Si 및 M' 함유 화합물상, 및 M'상을 포함하는 것인 다공성 실리콘의 제조 방법
24 24
제23항에 있어서,상기 다공성 실리콘은 상기 Si 및 M' 함유 화합물상, 및 상기 M'상 중 적어도 하나를 에칭하여 제조되는 것인 다공성 실리콘의 제조 방법
25 25
제21항에 있어서,상기 에칭은 염산, 황산, 질산, 불산, 초산, 인산 또는 이들의 조합을 포함하는 산 용액을 이용하여 수행되는 것인 다공성 실리콘의 제조 방법
26 26
제21항에 있어서,상기 다공성 실리콘의 제조 방법은, 상기 제조된 화학식 2로 표시되는 실리콘계 합금을 상기 에칭하는 단계 전에 열처리하는 단계를 더 포함하는 것인 다공성 실리콘의 제조 방법
27 27
제26항에 있어서,상기 열처리는 200 내지 1000℃의 온도에서 수행되는 것인 다공성 실리콘의 제조 방법
28 28
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 다공성 실리콘계 화합물 또는 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 다공성 실리콘을 포함하는 리튬 이차 전지용 음극 활물질
29 29
제28항의 음극 활물질을 포함하는 리튬 이차 전지용 음극
30 30
제29항에 있어서,상기 음극은 도전재를 더 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 음극
31 31
제30항에 있어서,상기 도전재는 결정질 흑연, 비정질 카본, 소프트 카본, 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙, 카본 섬유 또는 이들의 조합을 포함하는 카본 재료; 또는 구리, 니켈, 알루미늄, 은 또는 이들의 조합을 포함하는 금속을 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 음극
32 32
제30항에 있어서,상기 음극 활물질 및 상기 도전재는 98:2 내지 20:80의 중량비로 포함되는 것인 리튬 이차 전지용 음극
33 33
제32항의 음극;양극; 및전해액을 포함하는 리튬 이차 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 강원대학교 기후변화대응 기초원천기술개발사업 탄소재 및 실리콘-탄소복합계 음극활물질의 열적안전성 향상