맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

박막 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015178176
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 요철 형상의 미세 패턴이 형성된 고분자 기판과, 기판 위에 요철층을 이루는 제1 전류 콜렉터와, 제1 전류 콜렉터 위에 요철층을 이루는 캐소드와, 캐소드 위에 요철층을 이루는 전해질과, 전해질 위에 요철층을 이루는 애노드와, 애노드 위에 평탄층을 이루는 제2 전류 콜렉터와, 제2 전류 콜렉터 위에 평탄층을 이루며 덮는 보호막을 포함하도록 구성하여 전지의 단위 면적당 유효 면적을 증가시키고, 핫 엠보싱 공정을 이용하여 요철 형상의 미세 패턴을 갖도록 고분자 기판을 가공하는 기판 성형 단계와, 상기 기판 상에 제1 전류 콜렉터, 캐소드, 전해질, 애노드, 제2 전류 콜렉터 및 보호막이 순차적으로 층을 이루도록 적층시키는 박막 형성 단계를 포함하여 보다 저가격으로 용이하게 제작할 수 있도록 한다. 박막 전지, 기판, 미세 패턴, 핫 엠보싱. 폴리에테르슬폰(Polyether Sulfon)
Int. CL H01M 10/0585 (2010.01) H01M 4/13 (2010.01)
CPC H01M 10/0436(2013.01) H01M 10/0436(2013.01) H01M 10/0436(2013.01) H01M 10/0436(2013.01) H01M 10/0436(2013.01) H01M 10/0436(2013.01) H01M 10/0436(2013.01) H01M 10/0436(2013.01) H01M 10/0436(2013.01) H01M 10/0436(2013.01) H01M 10/0436(2013.01)
출원번호/일자 1020050049264 (2005.06.09)
출원인 강원대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0666506-0000 (2007.01.03)
공개번호/일자 10-2006-0130925 (2006.12.20) 문서열기
공고번호/일자 (20070109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.09)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이성만 대한민국 강원 춘천시
2 전신욱 대한민국 경기 수원시 장안구
3 박덕식 대한민국 강원 춘천시 후
4 전봉석 대한민국 강원 원주시
5 이희원 대한민국 서울 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시 강원대학
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2005-0304948-74
2 보정요구서
Request for Amendment		 2005.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0043504-10
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0345528-17
4 선행기술조사의뢰서(내부)
Request for Prior Art Search (Inside)		 2006.05.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2006-0033491-81
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0476774-41
7 의견서
Written Opinion		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0763730-51
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0763731-07
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0758244-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5075634-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5249875-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5049179-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5230938-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막 전지에 있어서, 요철 형상의 미세 패턴이 형성된 고분자 재질의 기판; 상기 기판 위에 요철층을 이루는 제1 전류 콜렉터; 상기 기판과 상기 제1 전류 콜렉터 사이에 형성되는 접착층;상기 제1 전류 콜렉터 위에 요철층을 이루는 캐소드; 상기 캐소드 위에 요철층을 이루는 전해질; 상기 전해질 위에 요철층을 이루는 애노드; 상기 애노드 위에 평탄층을 이루는 제2 전류 콜렉터; 및 상기 제2 전류 콜렉터 위에 평탄층을 이루는 보호막을 포함하는 박막 전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 핫 엠보싱(Hot Embossing)에 의한 미세 패턴의 형성되는 박막 전지
3 3
제2항에 있어서, 상기 고분자 재질은 폴리에테르슬폰(Polyether Sulfon)를 포함하는 박막 전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 접착층은 상기 기판과 상기 제1 전류 콜렉터 사이에 적어도 하나 이상의 층으로 이루어지는 박막 전지
5 5
제4항에 있어서, 상기 접착층은 Al, Ti, Cr, Nb, Ta, W 및 이들을 포함하는 금속 산화물로 이루어지는 박막 전지
6 6
제4항에 있어서, 상기 접착층은 ITO (Indium Tin Oxide)층을 포함하는 박막 전지
7 7
고분자 재질의 기판에 핫 엠보싱 공정으로 요철 형상의 미세 패턴을 형성하는 기판 성형 단계; 및 상기 기판 위에서 요철층을 이루도록 제1 전류 콜렉터, 캐소드, 전해질, 애노드를 순차적으로 증착시키고, 상기 에노드 위에 평탄층을 이루도록 제2 전류 콜렉터 및 보호막을 순차적으로 증착시키는 박막 형성 단계를 포함하며, 상기 박막 형성 단계는 상기 기판과 상기 제1 전류 콜렉터 사이에서 접착층을 증착시키는 접착층 형성 단계를 더욱 포함하는 박막 전지 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서,상기 핫 엠보싱 공정은, 금형에 요철 형상의 미세 패턴 가공하는 금형 가공 단계; 및상기 금형을 유리전이온도 이상으로 가열된 고분자 기판 시료에 압착하여 요철 형상의 미세 패턴을 각인하는 엠보싱 가공 단계를 포함하는 박막 전지 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 금형 가공 단계는 리가(LIGA; Lithographie Galvanoformung Abformung)에 의해 이루어지는 박막 전지 제조 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 금형 가공 단계는 깊은 반응 이온 식각(Deep Reactive Ion Etching )에 의해 이루어지는 박막 전지 제조 방법
12 12
제7항에 있어서,상기 접착층은 상기 기판과 상기 제1 전류 콜렉터 사이에서 적어도 한 층 이상의 층으로 형성되는 박막 전지 제조 방법
13 13
제7항에 있어서, 상기 박막 형성 단계는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)으로 이루어지는 박막 전지 제조 방법
14 14
제7항에 있어서,상기 박막 형성 단계는 화학적 기상 증착법(Chemical vapor Deposition)으로 이루어지는 박막 전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.