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삼차원 박막 두께 형상 측정 방법

  • 기술번호 : KST2015180170
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 두께 및 형상의 신호 처리 방법을 제공한다. 이 신호 처리 방법은 주어진 박막의 굴절률과 주어진 입사각에서 박막 두께 정보 및 표면 형상 정보를 포함하는 간섭 신호를 처리하여 측정 위상 신호를 추출하는 단계, 박막 두께 및 파수에 따른 이론적 박막 위상과 측정 위상 신호를 이용하여 박막 두께 정보에 대응하는 박막 두께를 산출하는 단계, 및 측정 위상 신호와 이론적 박막 위상의 차이를 이용하여 표면 형상 정보에 대응하는 상부면 높이를 추출하는 단계를 포함한다.
Int. CL G01B 11/06 (2006.01) G01B 9/02 (2006.01)
CPC G01B 11/0625(2013.01) G01B 11/0625(2013.01) G01B 11/0625(2013.01) G01B 11/0625(2013.01) G01B 11/0625(2013.01)
출원번호/일자 1020130053536 (2013.05.13)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1486271-0000 (2015.01.20)
공개번호/일자 10-2014-0133992 (2014.11.21) 문서열기
공고번호/일자 (20150127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.13)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영식 대한민국 세종 누리로 **, *
2 이혁교 대한민국 대전 유성구
3 양호순 대한민국 대전 유성구
4 이윤우 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이평우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)(특허법인 누리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0416985-78
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0420066-84
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0524217-79
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0795991-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0795986-92
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0865741-35
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0892452-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
주어진 박막의 굴절률과 주어진 입사각에서 박막 두께 정보 및 표면 형상 정보를 포함하는 간섭 신호를 처리하여 측정 위상 신호를 추출하는 단계;박막 두께 및 파수에 따른 이론적 박막 위상과 상기 측정 위상 신호를 이용하여 박막 두께 정보에 대응하는 박막 두께를 산출하는 단계; 및 상기 측정 위상 신호와 상기 이론적 박막 위상의 차이를 이용하여 상기 표면 형상 정보에 대응하는 상부면 높이를 추출하는 단계를 포함하는 신호 처리 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 간섭 신호를 처리하여 측정 위상 신호를 생성하는 단계는:상기 간섭 신호를 푸리에 변환하여 저주파 성분을 제거하도록 필터링하는 단계;저주파 성분이 제거된 신호에서 고주파 필터를 사용하여 위상 함수를 포함하는 신호를 추출하는 단계;상기 위상 함수를 포함하는 신호를 역푸리어 변환(Inverse-Fourier Transformation)하는 단계; 및역푸리어 변환된 신호의 허수부를 추출하여 파수에 따른 측정 위상 신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 처리 방법
3 3
제1 항에 있어서,박막 두께 및 파수에 따른 이론적 박막 위상과 상기 측정 위상 신호를 이용하여 박막 두께 정보에 대응하는 박막 두께를 산출하는 단계는:상기 측정 위상 신호를 선형 측정 위상 신호 성분과 비선형 측정 위상 신호 성분으로 분리하는 단계;박막 두께 및 파수에 따른 이론적 비선형 박막 위상 성분을 생성하는 단계;및파수에 따라 상기 비선형 측정 위상 신호 성분과 상기 이론적 비선형 박막 위상 성분의 차이를 최소화하도록 상기 박막 두께를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 처리 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 측정 위상 신호와 상기 이론적 박막 위상의 차이를 이용하여 상기 표면 형상 정보에 대응하는 상부면 높이를 추출하는 단계는:결정된 박막 두께를 이용하여 파수에 따른 이론적 박막 위상을 산출하는 단계; 및 상기 측정 위상 신호와 상기 이론적 박막 위상의 차이를 이용하여 상기 표면 형상 정보에 대응하는 상부면 높이를 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 처리 방법
5 5
제1 항에 있어서,박막 두께 정보 및 표면 형상 정보를 포함하고 주파수(frequency) 또는 파수(wavenumber)에 따른 간섭 신호는 백색광, 광대역 광원, 또는 파장 가변 광원을 이용하여 얻어진 것을 특징으로 하는 신호 처리 방법
6 6
제1 항에 있어서,백색 광원을 기준면에 제공하고, 상기 백색 광원을 표면에 박막을 포함하는 시료에 제공하는 단계; 및상기 시료 및 상기 기준면에서 반사된 광을 광센서 어레이를 이용하여 주파수 또는 파수에 따른 상기 간섭 신호를 획득하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 처리 방법
7 7
제1 항에 있어서,파장 가변 광원을 기준면에 제공하고, 상기 파장 가변 광원을 표면에 박막을 포함하는 시료에 제공하는 단계;상기 시료 및 상기 기준면에서 반사된 광을 광센서 어레이를 이용하여 주파수 또는 파수에 따른 상기 간섭 신호를 획득하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 처리 방법
8 8
제1 항에 있어서,시료의 위치에 따른 상기 간섭 신호를 획득하도록 상기 시료를 공간적으로 스캔하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 처리 방법
9 9
제1 항에 있어서,주파수(frequency) 또는 파수(wavenumber)에 따른 상기 간섭 신호를 준비하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 처리 방법
10 10
제1 항에 있어서,간섭계의 기준 거울의 스캔 거리에 따른 간섭 신호를 준비하는 단계를 더 포함하고,상기 간섭 신호는 파장 적분된 신호인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 신호 처리 방법
11 11
제1 항 또는 제10 항에 있어서,상기 간섭 신호를 처리하여 측정 위상 신호를 생성하는 단계는:상기 간섭 신호를 푸리어 변환하고 필터를 사용하여 특정한 케리어 공간 주파수 성분을 추출하는 단계; 및필터링된 신호의 위상으로부터 상기 측정 위상 신호를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 처리 방법
12 12
주어진 박막의 굴절률과 주어진 입사각에서 박막 두께 정보 및 표면 형상 정보를 포함하는 간섭 신호를 처리하여 측정 위상 신호를 생성하는 단계;박막 두께 및 파수에 따른 이론적 박막 위상과 상기 측정 위상 신호를 이용하여 박막 두께 정보에 대응하는 박막 두께를 산출하는 단계; 및 상기 측정 위상 신호와 상기 이론적 박막 위상의 차이를 이용하여 상기 표면 형상 정보에 대응하는 상부면 높이를 추출하는 단계를 포함하는 방법을 수행하는 컴퓨터 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독가능한 기록 매체
13 13
광원;상기 광원의 출력광을 제공받아 기준 거울에 의한 기준 빔과 시료에 의한 물체 빔을 결합하는 간섭계;상기 간섭계의 출력 신호를 제공받아 주파수에 따라 분광하는 분광부; 상기 분광부의 출력신호를 주파수에 따라 획득하는 광감지부;및상기 광 감지부의 간섭 신호를 처리하는 처리부를 포함하고,상기 처리부는:주어진 박막의 굴절률과 주어진 입사각에서 박막 두께 정보 및 표면 형상 정보를 포함하는 상기 간섭 신호를 처리하여 측정 위상 신호를 추출하고,박막 두께 및 파수에 따른 이론적 박막 위상과 상기 측정 위상 신호를 이용하여 박막 두께 정보에 대응하는 박막 두께를 산출하고,상기 측정 위상 신호와 상기 이론적 박막 위상의 차이를 이용하여 상기 표면 형상 정보에 대응하는 상부면 높이를 추출하는 것을 특징으로 하는 두께 및 형상 측정 장치
14 14
파장 가변 광원;상기 파장 가변 광원의 출력광을 제공받아 기준 거울에 의한 기준 빔과 시료에 의한 물체 빔을 결합하는 간섭계;상기 간섭계의 출력신호를 주파수에 따라 획득하는 광감지부;및상기 광 감지부의 간섭 신호를 처리하는 처리부를 포함하고,상기 처리부는:주어진 박막의 굴절률과 주어진 입사각에서 박막 두께 정보 및 표면 형상 정보를 포함하는 상기 간섭 신호를 처리하여 측정 위상 신호를 추출하고,박막 두께 및 파수에 따른 이론적 박막 위상과 상기 측정 위상 신호를 이용하여 박막 두께 정보에 대응하는 박막 두께를 산출하고,상기 측정 위상 신호와 상기 이론적 박막 위상의 차이를 이용하여 상기 표면 형상 정보에 대응하는 상부면 높이를 추출하는 것을 특징으로 하는 두께 및 형상 측정 장치
15 15
광원;상기 광원의 출력광을 제공받아 기준 거울에 의한 기준 빔과 시료에 의한 물체 빔을 결합하는 간섭계;상기 기준 거울의 스캔 거리에 따라 상기 간섭계의 출력신호를 획득하는 광감지부;및상기 광 감지부의 간섭 신호를 처리하는 처리부를 포함하고,상기 처리부는:주어진 박막의 굴절률과 주어진 입사각에서 박막 두께 정보 및 표면 형상 정보를 포함하는 상기 간섭 신호를 처리하여 측정 위상 신호를 추출하고,박막 두께 및 파수에 따른 이론적 박막 위상과 상기 측정 위상 신호를 이용하여 박막 두께 정보에 대응하는 박막 두께를 산출하고,상기 측정 위상 신호와 상기 이론적 박막 위상의 차이를 이용하여 상기 표면 형상 정보에 대응하는 상부면 높이를 추출하는 것을 특징으로 하는 두께 및 형상 측정 장치
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1 산업통상자원부 한국생산기술연구원 산업기술혁신개발사업 회절광학소자용 700nm급 이하의 미세패턴 가공을 위한 절삭가공공정 원천기술 개발