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제1 도전형의 반도체층 및 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 형성된 금속층을 포함하는 쇼트키(Schottky) 접합 태양전지; 및상기 반도체층 상에 금속층이 형성되지 않는 영역에 배치되고, 코어(core) 및 상기 코어를 감싸는 셀(shell)을 가지는 이종 접합 양자점을 포함하고,상기 이종 접합 양자점은 태양광을 흡수하여 형성된 전자-전공 쌍을 포스터 공명 에너지 전달(Forster resonance energy transfer;FRET)을 통하여 상기 쇼트키(Schottky) 접합 태양전지에 전달하고,상기 셀은:상기 코어를 감싸는 제1 베리어층;상기 제1 베리어층을 감싸는 제1 양자우물층; 상기 제1 양자우물층을 감싸는 제2 베리어층;및상기 제2 베리어층을 감싸는 제2 양자우물층을 포함하고,상기 제2 양자우물층의 밴드갭은 상기 제1 양자우물층의 밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 코어는 II-VI 족 화합물 또는 III-V 족 화합물을 포함하고,상기 셀은 적어도 한 쌍의 상기 코어를 감싸는 베리어층 및 상기 베리어층을 감싸는 양자우물층을 포함하고,상기 베리어층의 밴드갭은 상기 코어 및 양자우물층의 밴드갭보다 크고,상기 양자우물층의 밴드갭은 상기 코어의 밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 코어는 PbS이고,상기 제1 베리어층 및 제2 베리어층은 ZnS이고,상기 제1 양자우물층은 CdSe이고,상기 제2 양자우물층은 CdS인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 이종 접합 양자점을 감싸는 보호막을 더 포함하고,상기 쇼트키(Schottky) 접합 태양전지의 상기 반도체층의 밴드갭은 상기 코어의 밴드갭보다 작은 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 도전형의 반도체층 및 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 형성된 금속층을 포함하는 쇼트키(Schottky) 접합 태양전지; 및상기 금속층 상에 배치되고, 코어(core) 및 상기 코어를 감싸는 셀(shell)을 가지는 이종 접합 양자점을 포함하고,상기 이종 접합 양자점은 태양광을 흡수하여 형성된 전자-전공 쌍을 포스터 공명 에너지 전달(Forster resonance energy transfer;FRET)을 통하여 상기 쇼트키(Schottky) 접합 태양전지에 전달하고,상기 셀은:상기 코어를 감싸는 제1 베리어층;상기 제1 베리어층을 감싸는 제1 양자우물층; 상기 제1 양자우물층을 감싸는 제2 베리어층;및상기 제2 베리어층을 감싸는 제2 양자우물층을 포함하고,상기 제2 양자우물층의 밴드갭은 상기 제1 양자우물층의 밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 도전형의 반도체층, 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 형성된 절연층, 및 상기 절연층 상에 형성된 금속층을 포함하는 MIS 태양전지; 및상기 절연층 상에 금속층이 형성되지 않는 영역에 배치되고, 코어(core) 및 상기 코어를 감싸는 셀(shell)을 가지는 이종 접합 양자점을 포함하고,상기 이종 접합 양자점은 태양광을 흡수하여 형성된 전자-전공 쌍을 포스터 공명 에너지 전달(Forster resonance energy transfer;FRET)을 통하여 상기 MIS 태양전지에 전달하고
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제6 항 또는 제7 항에 있어서,상기 코어는 II-VI 족 화합물 또는 III-V 족 화합물을 포함하고,상기 셀은 적어도 한 쌍의 상기 코어를 감싸는 베리어층 및 상기 베리어층을 감싸는 양자우물층을 포함하고,상기 베리어층의 밴드갭은 상기 코어 및 양자우물층의 밴드갭보다 크고,상기 양자우물층의 밴드갭은 상기 코어의 밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지
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제6 항 또는 제7 항에 있어서,상기 코어는 PbS이고,상기 제1 베리어층 및 제2 베리어층은 ZnS이고,상기 제1 양자우물층은 CdSe이고,상기 제2 양자우물층은 CdS인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제7 항에 있어서,상기 이종 접합 양자점을 감싸는 보호막을 더 포함하고,상기 MIS 태양전지의 상기 반도체층의 밴드갭은 상기 코어의 밴드갭보다 작은 것을 특징으로 하는 태양전지
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