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다중 접합 ＣＩＧＳ 태양 전지

기술번호 : KST2015181219
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 다중 접합 ＣＩＧＳ 태양 전지에 관한 것으로서, 결정질 실리콘 기판에 의하여 pn 접합 구조를 갖도록 형성되는 실리콘 접합층과, 상기 실리콘 접합층의 하면에 위치하는 게르마늄 버퍼층과, 상기 게르마늄 버퍼층의 하면에 pn 접합 구조를 갖도록 형성되는 게르마늄 접합층 및 상기 실리콘 접합층의 상면에 pn 접합 구조를 갖도록 형성되는 CIGS층을 포함하는 다중 접합 CIGS 태양 전지를 개시한다.
Int. CL	H01L 31/0749 (2012.01)
CPC	H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자	1020140180273 (2014.12.15)
출원인	충남대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1549393-0000 (2015.08.27)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20150914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.12.15)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	장효식	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김호종	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 -, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2014.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2014-1215942-70
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2015.06.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.08.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2015-0063799-96
4	등록결정서 Decision to grant	2015.08.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0546004-01
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116888-44
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116889-90

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 결정질 실리콘 기판에 의하여 pn 접합 구조를 갖도록 형성되는 실리콘 접합층과, 상기 실리콘 접합층의 하면에 위치하는 게르마늄 버퍼층과, 상기 게르마늄 버퍼층의 하면에 pn 접합 구조를 갖도록 형성되는 게르마늄 접합층 및상기 실리콘 접합층의 상면에 pn 접합 구조를 갖도록 형성되는 CIGS층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 CIGS 태양 전지
2	2 제 1 항에 있어서,상기 게르마늄 버퍼층은 SiGe층으로 형성되며, pn 접합 구조를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 접합 CIGS 태양전지
3	3 제 1 항에 있어서,상기 게르마늄 버퍼층은 10 ∼ 100nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 접합 CIGS 태양전지
4	4 제 1 항에 있어서,상기 CIGS층은상기 실리콘 접합층의 상면에 형성되는 아연 버퍼층 및 상기 아연 버퍼층의 상면에 형성되는 CIGS층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 CIGS 태양 전지
5	5 제 4 항에 있어서,상기 CIGS층은 상기 실리콘 접합층보다 밴드 갭이 큰 것을 특징으로 하는 다중 접합 CIGS 태양 전지
6	6 제 4 항에 있어서,상기 아연 버퍼층은 n형 물질인 ZnOS 또는 ZnS로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 접합 CIGS 태양 전지
7	7 제 4 항에 있어서,상기 아연 버퍼층은 30 ∼ 100nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 접합 CIGS 태양 전지
8	8 제 4 항에 있어서,상기 CIGS층은 밴드 갭이 1
9	9 제 1 항에 있어서,상기 게르마늄 접합층의 하면에 형성되는 후면 전극층 및상기 CIGS층의 상면에 순차로 형성되는 전면 전극층 및 전극 그리드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 접합 CIGS 태양 전지

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1549393-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20141215 출원 번호 : 1020140180273 공고 연월일 : 20150914 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150813 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 31/0749 발명의 명칭 : 다중 접합 ＣＩＧＳ 태양 전지 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	198,000 원	2015년 08월 28일	납입
제 4 년분	금 액	119,000 원	2018년 07월 23일	납입
제 5 년분	금 액	119,000 원	2019년 07월 30일	납입
제 6 년분	금 액	119,000 원	2020년 08월 03일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2014.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2014-1215942-70
2	선행기술조사의뢰서	2015.06.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2015.08.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2015-0063799-96
4	등록결정서	2015.08.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0546004-01
5	출원인정보변경(경정)신고서	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116888-44
6	출원인정보변경(경정)신고서	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116889-90

중요키워드

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[KST2015087836][기술보증기금(신탁)]	ＣＩＧＳ 태양전지 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015012204][기술보증기금(신탁)]	CIGS 박막태양전지의 제조 방법	새창보기

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