| 1 |
1
고분자 매트릭스; 및상기 고분자 매트릭스 내에 분산된 친수성 고분자로 그라프트된 나노입자를 포함하며,상기 친수성 고분자로 그라프트된 나노입자는,나노입자와 염기성 용액을 반응시켜, 나노입자 표면에 히드록시기를 형성시키고;상기 히드록시기가 형성된 나노입자에 불포화 실란을 반응시켜, 상기 나노입자의 표면에 비닐기를 형성시키고; 및,상기 비닐기가 형성된 나노입자에 친수성 고분자의 단량체를 반응시켜 제조된 것인,여과막
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스는 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 폴리아크릴로니트릴, 폴리이미드, 폴리아크릴로니트릴, 셀룰로스아세테이트, 셀룰로스프로피오네이트 및 셀룰로스부티레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 여과막
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 친수성 고분자는 폴리에틸렌 옥시드, 폴리(에틸렌 글리콜), 폴리(히드록시에틸 메타크릴레이트), 폴리(히드록시에틸아크릴레이트), 가수분해된 폴리(t-부틸 메타크릴레이트), 가수분해된 폴리(t-부틸 아크릴레이트), 폴리아크릴아미드, 폴리(N-비닐 피롤리돈), 폴리비닐아세테이트, 폴리(아미노스티렌), 폴리(메틸 술포닐 에틸 메타크릴레이트) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 여과막
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 나노입자는 무기계 나노입자 및 탄소계 나노입자로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 여과막
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 친수성 고분자로 그라프트된 나노입자의 평균입자크기는, 4 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 여과막
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 친수성 고분자로 그라프트된 나노입자의 함량은, 고분자 매트릭스 100 중량부를 기준으로, 0
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 여과막은 한외여과막인 것을 특징으로 하는 여과막
|
| 8 |
8
매트릭스 형성용 고분자와, 친수성 고분자로 그라프트된 나노입자를 포함하는 캐스팅 용액을 제조하는 단계; 및상기 캐스팅 용액을 이용하여 여과막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 친수성 고분자로 그라프트된 나노입자는,나노입자와 염기성 용액을 반응시켜, 나노입자 표면에 히드록시기를 형성시키는 단계; 상기 히드록시기가 형성된 나노입자에 불포화 실란을 반응시켜, 상기 나노입자의 표면에 비닐기를 형성시키는 단계; 및, 상기 비닐기가 형성된 나노입자에 친수성 고분자의 단량체를 반응시켜 제조된 것인, 여과막 제조 방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서, 상기 캐스팅 용액을 이용하여 여과막을 형성하는 단계에서,캐스팅 용액을 50 내지 200 ㎛ 두께로 캐스팅하여 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 여과막 제조 방법
|
| 11 |
11
제 8 항에 있어서, 상기 캐스팅 용액을 이용하여 여과막을 형성하는 단계는,캐스팅 용액을 이용하여 박막을 형성하는 단계;형성된 박막을 비용매에 침지하여 고형화시키는 상전이 단계; 및상기 상전이 단계 후 건조하는 건조 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것인, 여과막 제조 방법
|
