요약 | 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터가 개시된다. 전반사소자는 전면으로 입력된 입사광을 전반사한다. 금속박막은 전면이 전반사소자의 후면에 접하여 배치되며, 전반사소자의 전면에 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 후면에 표면 플라즈몬 공명파를 형성한다. 제1입사도파로는 전반사소자의 전면에 수직한 법선과 플라즈몬 공명각을 이루도록 배치되며, 일단으로 입력된 입사광을 전반사소자의 전면으로 입사시킨다. 출사도파로는 전반사소자의 전면에 수직한 법선에 대해 제1입사도파로와 대칭되도록 배치되며, 전반사소자로부터 반사된 입사광이 출력된다. 제2입사도파로는 금속박막의 후면으로 제1교란광을 입사시켜 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 형성된 표면 플라즈몬 공명 조건을 변경하여 입사광이 출사도파로로 출력되도록 한다. 제3입사도파로는 금속박막의 후면으로 제2교란광을 입사시켜 전반사소자의 전면에 입사된 입사광과 반대방향으로 진행하는 반사광에 대한 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시켜 반사광을 제거한다.본 발명에 따르면, 빛을 이용하여 광경로 내에서 역방향으로 흐르는 반사광을 억제할 수 있고, 광소자만으로 광집적회로를 구현할 수 있다. 광 아이솔레이터, 표면 플라즈몬 공명, 금속박막, 전반사소자 |
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Int. CL | G02B 6/10 (2006.01) |
CPC | G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01) G02B 6/1226(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080018945 (2008.02.29) |
출원인 | 중앙대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0960078-0000 (2010.05.19) |
공개번호/일자 | 10-2009-0093430 (2009.09.02) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20100531) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.02.29) |
심사청구항수 | 23 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 중앙대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 최영완 | 대한민국 | 서울 동작구 |
2 | 김두근 | 대한민국 | 서울 동작구 |
3 | 오금윤 | 대한민국 | 서울 동작구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 송경근 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 중앙대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울 동작구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.02.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0151357-60 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.03.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0022926-35 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.09.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0405829-25 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0737044-08 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.11.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0737069-38 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0126722-41 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.07.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5148883-62 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.07.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5148879-89 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000494-54 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.10.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5123944-33 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.07.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5125629-51 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.07.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5151122-15 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5153932-16 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 전면으로 입력된 입사광을 전반사시키는 전반사소자; 전면이 상기 전반사소자의 후면에 접하여 배치되며, 상기 전반사소자의 전면에 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 후면에 표면 플라즈몬 공명파를 형성하는 금속박막; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선과 상기 플라즈몬 공명각을 이루도록 배치되며, 일단으로 입력된 상기 입사광을 상기 전반사소자의 전면으로 입사시키는 제1입사도파로; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선에 대해 상기 제1입사도파로와 대칭되도록 배치되며, 상기 전반사소자로부터 반사된 상기 입사광이 출력되는 출사도파로; 상기 금속박막의 후면으로 제1교란광을 입사시켜 상기 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 형성된 표면 플라즈몬 공명 조건을 변경하여 상기 입사광이 상기 출사도파로로 출력되도록 하는 제2입사도파로; 및 상기 금속박막의 후면으로 제2교란광을 입사시켜 상기 전반사소자의 전면에 입사된 입사광과 반대방향으로 진행하는 반사광에 대한 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시켜 상기 반사광을 제거하는 제3입사도파로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
2 |
2 전면에 입력된 입사광을 전반사시키는 전반사소자; 상기 전반사소자의 후면과 소정 간격 이격되어 배치되며, 상기 전반사소자의 전면에 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 상기 전반사소자의 후면과 대향하는 전면에 표면 플라즈몬 공명파를 형성하는 금속박막; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선과 상기 플라즈몬 공명각을 이루도록 배치되며, 일단으로 입력된 상기 입사광을 상기 전반사소자의 전면으로 입사시키는 제1입사도파로; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선에 대해 상기 제1입사도파로와 대칭되도록 배치되며, 상기 전반사소자로부터 반사된 상기 입사광이 출력되는 출사도파로; 상기 금속박막의 후면으로 제1교란광을 입사시켜 상기 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 형성된 표면 플라즈몬 공명 조건을 변경하여 상기 입사광이 상기 출사도파로로 출력되도록 하는 제2입사도파로; 및 상기 금속박막의 후면으로 제2교란광을 입사시켜 상기 전반사소자의 전면에 입사된 입사광과 반대방향으로 진행하는 반사광에 대한 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시켜 상기 반사광을 제거하는 제3입사도파로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
3 |
3 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 일단으로 상기 입사광이 입력되고 타단으로 상기 입사광이 출력되며, 상기 일단과 타단 사이에 상기 입사광의 적어도 일부가 분기되는 광결합영역을 가지는 주도파로; 및 상기 주도파로의 광결합영역과 광결합되어 상기 주도파로로부터 분기된 분기광신호를 입력받는 광결합영역을 가지며, 복수의 광도파로가 다각형상으로 배치되어 구성되는 공진도파로;를 더 포함하며, 상기 제1입사도파로와 상기 출사도파로는 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 서로 이웃하는 두 개의 제1광도파로와 각각 일체로 형성되고, 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 상기 제1광도파로를 제외한 나머지 광도파로가 접하는 꼭지점 영역에는 상기 공진도파로로 입력된 상기 분기광신호를 전반사시켜 상기 분기광신호가 상기 공진도파로 내를 주회하도록 하는 전반사소자가 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
4 |
4 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 일단으로 상기 입사광이 입력되고 타단으로 상기 입사광이 출력되며, 상기 일단과 타단 사이에 상기 입사광의 적어도 일부가 분기되는 광결합영역을 가지는 주도파로; 상기 주도파로와 평행하게 배치고, 일단은 상기 주도파로의 일단에 광결합되며, 타단은 상기 주도파로의 타단에 광결합되는 보조도파로; 및 상기 주도파로의 광결합영역과 광결합되어 상기 주도파로로부터 분기된 분기광신호를 입력받는 광결합영역을 가지며, 복수의 광도파로가 다각형상으로 배치되어 구성되는 공진도파로;를 더 포함하며, 상기 제1입사도파로와 상기 출사도파로는 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 서로 이웃하는 두 개의 제1광도파로와 각각 일체로 형성되고, 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 상기 제1광도파로를 제외한 나머지 광도파로가 접하는 꼭지점 영역에는 상기 공진도파로로 입력된 상기 분기광신호를 전반사시켜 상기 분기광신호가 상기 공진도파로 내를 주회하도록 하는 전반사소자가 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
5 |
5 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 일단으로 상기 입사광이 입력되고 타단으로 상기 입사광이 출력되며, 상기 일단과 타단 사이에 상기 입사광의 적어도 일부가 분기되는 광결합영역을 가지는 주도파로; 상기 주도파로의 광결합영역과 광결합되어 상기 주도파로로부터 분기된 분기광신호를 입력받는 광결합영역을 가지며, 복수의 광도파로가 다각형상으로 배치되어 구성되는 공진도파로; 및 상기 주도파로와 상기 공진도파로의 광결합영역에 배치되며, 상기 주도파로의 일단으로 입력된 상기 입사광을 상기 주도파로의 타단 및 상기 공진도파로로 분배하는 광결합부;를 더 포함하며, 상기 제1입사도파로와 상기 출사도파로는 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 서로 이웃하는 두 개의 제1광도파로와 각각 일체로 형성되고, 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 상기 제1광도파로를 제외한 나머지 광도파로가 접하는 꼭지점 영역에는 상기 공진도파로로 입력된 상기 분기광신호를 전반사시켜 상기 분기광신호가 상기 공진도파로 내를 주회하도록 하는 전반사소자가 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
6 |
6 제 2항에 있어서, 상기 전반사소자와 상기 금속박막 사이에는 상기 제1입사도파로의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가진 유전물질이 위치하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
7 |
7 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제2입사도파로는 상기 제1교란광의 입사방향이 상기 전반사소자로의 상기 입사광의 입사방향과 일치하도록 상기 제1입사도파로와 상기 출사도파로 사이의 각을 이등분하는 평면에 대해 상기 제1입사도파로 쪽으로 각도를 이루며 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
8 |
8 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제3입사도파로는 상기 제2교란광의 입사방향이 상기 전반사소자로의 상기 반사광의 입사방향과 일치하도록 상기 제1입사도파로와 상기 출사도파로 사이의 각을 이등분하는 평면에 대해 상기 출사도파로 쪽으로 각도를 이루며 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
9 |
9 전면으로 입력된 입사광을 전반사시키는 전반사소자; 전면이 상기 전반사소자의 후면에 접하여 배치되며, 상기 전반사소자의 전면에 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 후면에 표면 플라즈몬 공명파를 형성하는 금속박막; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선과 상기 플라즈몬 공명각에 대해 소정 각도 이탈되도록 배치되며, 일단으로 입력된 상기 입사광을 상기 전반사소자의 전면으로 입사시키는 제1입사도파로; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선에 대해 상기 제1입사도파로와 대칭되도록 배치되며, 상기 전반사소자로부터 반사된 상기 입사광이 출력되는 출사도파로; 및 상기 금속박막의 후면으로 교란광을 입사시켜 상기 전반사소자의 전면에 입사된 입사광과 반대방향으로 진행하는 반사광에 대한 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시켜 상기 반사광을 제거하는 제2입사도파로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
10 |
10 전면으로 입력된 입사광을 전반사시키는 전반사소자; 상기 전반사소자의 후면과 소정 간격 이격되어 배치되며, 상기 전반사소자의 전면에 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 상기 전반사소자의 후면과 대향하는 전면에 표면 플라즈몬 공명파를 형성하는 금속박막; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선과 상기 플라즈몬 공명각에 대해 소정 각도 이탈되도록 배치되며, 일단으로 입력된 상기 입사광을 상기 전반사소자의 전면으로 입사시키는 제1입사도파로; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선에 대해 상기 제1입사도파로와 대칭되도록 배치되며, 상기 전반사소자로부터 반사된 상기 입사광이 출력되는 출사도파로; 및 상기 금속박막의 후면으로 교란광을 입사시켜 상기 전반사소자의 전면에 입사된 입사광과 반대방향으로 진행하는 반사광에 대한 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시켜 상기 반사광을 제거하는 제2입사도파로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
11 |
11 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 일단으로 상기 입사광이 입력되고 타단으로 상기 입사광이 출력되며, 상기 일단과 타단 사이에 상기 입사광의 적어도 일부가 분기되는 광결합영역을 가지는 주도파로; 및 상기 주도파로의 광결합영역과 광결합되어 상기 주도파로로부터 분기된 분기광신호를 입력받는 광결합영역을 가지며, 복수의 광도파로가 다각형상으로 배치되어 구성되는 공진도파로;를 더 포함하며, 상기 제1입사도파로와 상기 출사도파로는 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 서로 이웃하는 두 개의 제1광도파로와 각각 일체로 형성되고, 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 상기 제1광도파로를 제외한 나머지 광도파로가 접하는 꼭지점 영역에는 상기 공진도파로로 입력된 상기 분기광신호를 전반사시켜 상기 분기광신호가 상기 공진도파로 내를 주회하도록 하는 전반사소자가 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
12 |
12 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 일단으로 상기 입사광이 입력되고 타단으로 상기 입사광이 출력되며, 상기 일단과 타단 사이에 상기 입사광의 적어도 일부가 분기되는 광결합영역을 가지는 주도파로; 상기 주도파로와 평행하게 배치고, 일단은 상기 주도파로의 일단에 광결합되며, 타단은 상기 주도파로의 타단에 광결합되는 보조도파로; 및 상기 주도파로의 광결합영역과 광결합되어 상기 주도파로로부터 분기된 분기광신호를 입력받는 광결합영역을 가지며, 복수의 광도파로가 다각형상으로 배치되어 구성되는 공진도파로;를 더 포함하며, 상기 제1입사도파로와 상기 출사도파로는 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 서로 이웃하는 두 개의 제1광도파로와 각각 일체로 형성되고, 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 상기 제1광도파로를 제외한 나머지 광도파로가 접하는 꼭지점 영역에는 상기 공진도파로로 입력된 상기 분기광신호를 전반사시켜 상기 분기광신호가 상기 공진도파로 내를 주회하도록 하는 전반사소자가 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
13 |
13 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 일단으로 상기 입사광이 입력되고 타단으로 상기 입사광이 출력되며, 상기 일단과 타단 사이에 상기 입사광의 적어도 일부가 분기되는 광결합영역을 가지는 주도파로; 상기 주도파로로부터 분기된 분기광신호를 입력받는 광결합영역을 가지며, 복수의 광도파로가 다각형상으로 배치되어 구성되는 공진도파로; 및 상기 주도파로의 광결합영역 및 상기 공진도파로의 광결합영역과 각각 광결합되어, 상기 주도파로의 일단으로 입력된 상기 입사광을 상기 주도파로의 타단 및 상기 공진도파로로 분배하는 광결합부;를 더 포함하며, 상기 제1입사도파로와 상기 출사도파로는 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 서로 이웃하는 두 개의 제1광도파로와 각각 일체로 형성되고, 상기 공진도파로를 구성하는 복수의 광도파로 중에서 상기 제1광도파로를 제외한 나머지 광도파로가 접하는 꼭지점 영역에는 상기 공진도파로로 입력된 상기 분기광신호를 반사시켜 상기 분기광신호가 상기 공진도파로 내를 주회하도록 하는 전반사소자가 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
14 |
14 제 10항에 있어서, 상기 전반사소자와 상기 금속박막 사이에는 상기 제1입사도파로의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가진 유전물질이 위치하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
15 |
15 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 제2입사도파로는 상기 교란광의 입사방향이 상기 전반사소자로의 상기 반사광의 입사방향과 일치하도록 상기 제1입사도파로와 상기 출사도파로 사이의 각을 이등분하는 평면에 대해 상기 출사도파로 쪽으로 각도를 이루며 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
16 |
16 제1면에 입력된 입사광을 전반사시키는 전반사소자; 전면이 상기 전반사소자의 제1면에 접하여 배치되며, 상기 전반사소자의 전면에 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 후면에 표면 플라즈몬 공명파를 형성하는 금속박막; 일단으로 입력된 상기 입사광을 상기 전반사소자의 제2면으로 입사시키고, 상기 전반사소자의 제2면으로 입사된 상기 입사광이 상기 전반사소자의 내부를 진행하여 상기 전반사소자의 제1면에 수직한 법선과 상기 플라즈몬 공명각을 이루면서 상기 전반사소자의 제2면에 입사되도록 배치되는 제1광입력부; 상기 전반사소자의 제1면에 수직한 법선에 대해 상기 제1광입력부와 대칭되도록 배치되며, 상기 전반사소자의 제1면에 의해 반사되어 상기 전반사소자의 제3면을 통해 출사된 상기 입사광을 일단으로 입력받아 타단을 통해 출력하는 광출력부; 상기 금속박막의 후면으로 제1교란광을 입사시켜 상기 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 형성된 표면 플라즈몬 공명 조건을 변경하여 상기 입사광이 상기 광출력부로 출력되도록 하는 제2광입력부; 및 상기 금속박막의 후면으로 제2교란광을 입사시켜 상기 전반사소자의 전면에 입사된 입사광과 반대방향으로 진행하는 반사광에 대한 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시켜 상기 반사광을 제거하는 제3광입력부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
17 |
17 제1면에 입력된 입사광을 전반사시키는 전반사소자; 상기 전반사소자의 제1면과 소정 간격 이격되어 배치되며, 상기 전반사소자의 전면에 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 상기 전반사소자의 제1면과 대향하는 제1면에 표면 플라즈몬 공명파를 형성하는 금속박막; 일단으로 입력된 상기 입사광을 상기 전반사소자의 제2면으로 입사시키고, 상기 전반사소자의 제2면으로 입사된 상기 입사광이 상기 전반사소자의 내부를 진행하여 상기 전반사소자의 제1면에 수직한 법선과 상기 플라즈몬 공명각을 이루면서 상기 전반사소자의 제2면에 입사되도록 배치되는 제1광입력부; 상기 전반사소자의 제1면에 수직한 법선에 대해 상기 제1광입력부와 대칭되도록 배치되며, 상기 전반사소자의 제1면에 의해 반사되어 상기 전반사소자의 제3면을 통해 출사된 상기 입사광을 일단으로 입력받아 타단을 통해 출력하는 광출력부; 상기 금속박막의 후면으로 제1교란광을 입사시켜 상기 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 형성된 표면 플라즈몬 공명 조건을 변경하여 상기 입사광이 상기 광출력부로 출력되도록 하는 제2광입력부; 및 상기 금속박막의 후면으로 제2교란광을 입사시켜 상기 전반사소자의 전면에 입사된 입사광과 반대방향으로 진행하는 반사광에 대한 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시켜 상기 반사광을 제거하는 제3광입력부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
18 |
18 제1면에 입력된 입사광을 전반사시키는 전반사소자; 전면이 상기 전반사소자의 제1면에 접하여 배치되며, 상기 전반사소자의 전면에 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 후면에 표면 플라즈몬 공명파를 형성하는 금속박막; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선과 상기 플라즈몬 공명각에 대해 소정 각도 이탈되도록 배치되며, 일단으로 입력된 상기 입사광을 상기 전반사소자의 전면으로 입사시키는 제1광입력부; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선에 대해 상기 제1광입력부와 대칭되도록 배치되며, 상기 전반사소자로부터 반사된 상기 입사광이 출력되는 광출력부; 및 상기 금속박막의 후면으로 교란광을 입사시켜 상기 전반사소자의 전면에 입사된 입사광과 반대방향으로 진행하는 반사광에 대한 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시켜 상기 반사광을 제거하는 제2광입력부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
19 |
19 제1면에 입력된 입사광을 전반사시키는 전반사소자; 상기 전반사소자의 제1면과 소정 간격 이격되어 배치되며, 상기 전반사소자의 전면에 표면 플라즈몬 공명각으로 입력된 입사광에 의해 상기 전반사소자의 제1면과 대향하는 제1면에 표면 플라즈몬 공명파를 형성하는 금속박막; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선과 상기 플라즈몬 공명각에 대해 소정 각도 이탈되도록 배치되며, 일단으로 입력된 상기 입사광을 상기 전반사소자의 전면으로 입사시키는 제1광입력부; 상기 전반사소자의 전면에 수직한 법선에 대해 상기 제1광입력부와 대칭되도록 배치되며, 상기 전반사소자로부터 반사된 상기 입사광이 출력되는 광출력부; 및 상기 금속박막의 후면으로 교란광을 입사시켜 상기 전반사소자의 전면에 입사된 입사광과 반대방향으로 진행하는 반사광에 대한 표면 플라즈몬 공명 조건을 만족시켜 상기 반사광을 제거하는 제2광입력부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
20 |
20 제 16항 또는 제 17항에 있어서, 상기 제2광입력부는 상기 제1교란광의 입사방향이 상기 전반사소자로의 상기 입사광의 입사방향과 일치하도록 상기 제1광입력부와 상기 광출력부 사이의 각을 이등분하는 평면에 대해 상기 제1광입력부 쪽으로 각도를 이루며 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
21 |
21 제 16항 또는 제 17항에 있어서, 상기 제3광입력부는 상기 제2교란광의 입사방향이 상기 전반사소자로의 상기 반사광의 입사방향과 일치하도록 상기 제1광입력부와 상기 광출력부 사이의 각을 이등분하는 평면에 대해 상기 광출력부 쪽으로 각도를 이루며 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
22 |
22 제 18항 또는 제 19항에 있어서, 상기 제2광입력부는 상기 교란광의 입사방향이 상기 전반사소자로의 상기 반사광의 입사방향과 일치하도록 상기 제1광입력부와 상기 광출력부 사이의 각을 이등분하는 평면에 대해 상기 광출력부 쪽으로 각도를 이루며 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
23 |
23 제 16항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전반사소자는 프리즘인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
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특허 등록번호 | 10-0960078-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20080229 출원 번호 : 1020080018945 공고 연월일 : 20100531 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100326 청구범위의 항수 : 23 유별 : G02B 6/10 발명의 명칭 : 표면 플라즈몬 공명을 이용한 광 아이솔레이터 존속기간(예정)만료일 : 20170520 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 중앙대학교 산학협력단 서울 동작구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 471,000 원 | 2010년 05월 19일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 546,000 원 | 2013년 04월 29일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 546,000 원 | 2014년 03월 26일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 382,200 원 | 2015년 04월 17일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 974,000 원 | 2016년 03월 25일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.02.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0151357-60 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.03.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2009.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0022926-35 |
4 | 의견제출통지서 | 2009.09.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0405829-25 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0737044-08 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.11.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0737069-38 |
7 | 등록결정서 | 2010.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0126722-41 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.07.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5148883-62 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.07.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5148879-89 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000494-54 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.10.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5123944-33 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.07.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5125629-51 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.07.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5151122-15 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5153932-16 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345071531 |
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세부과제번호 | 핵C6A1716 |
연구과제명 | 차세대이동통신을위한트랜시버핵심기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 중앙대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345121892 |
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세부과제번호 | 2010-0014612 |
연구과제명 | 무표지 단분자 검출을 위한 Mach-Zehnder 간섭계와 표면 플라즈몬 공명이 적용된 초고감도 삼각형 링 공진기 센서 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 중앙대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 201005~201304 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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