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제1 방향성을 갖도록 정렬되는 제1 나노와이어군; 및제2 방향성을 갖도록 정렬되는 제2 나노와이어군을 포함하며,상기 제1 나노와이어군의 제1 방향성과 제2 나노와이어군의 제2 방향성이 이루는 평균각의 차이는 75° 내지 105°이고;제1 나노와이어군이 정렬되는 제1 방향성의 평균각을 기준으로, 그리고제2 나노와이어군이 정렬되는 제2 방향성의 평균각을 기준으로, 각각-15° 내지 15° 범위의 방향성 각도차이를 갖도록 정렬된 나노와이어가 80% 이상이며,-5° 내지 5° 범위의 방향성 각도차이를 갖도록 정렬된 나노와이어가 50% 이상이고;제1 방향성을 갖도록 정렬되는 제1 나노와이어군과 제2 방향성을 갖도록 정렬되는 제2 나노와이어군은, 각 나노와이어군이 교차되는 지점에서 접합된 구조를 가지며;550 nm 파장에서의 광투과도 측정 시, 임계투과도가 90
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제 1 항에 있어서,제1 방향성을 갖도록 정렬되는 제1 나노와이어군이 형성하는 제1층; 및제2 방향성을 갖도록 정렬되는 제2 나노와이어군이 형성하는 제2층을 포함하는 나노와이어 그리드 구조
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제 1 항에 있어서,나노와이어 그리드 구조는 교차 반복되는 다층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 나노와이어 그리드 구조
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제 1 항에 있어서,나노와이어의 평균 길이는 5 μm 내지 50μm이고, 평균 직경은 10 nm 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 나노와이어 그리드 구조
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코팅 진행방향을 기준으로, 기판 및 코팅 가이드판이 둔각을 이루는 지점에 나노와이어 분산액을 주입하여 기판과 코팅 가이드판 사이에 형성된 메니스커스의 선형운동에 의해 수행되는 나노와이어군의 제1 코팅단계;상기 나노와이어군의 정렬된 방향성에 대한 평균각을 기준하여 기판의 코팅 진행방향이 75° 내지 105°가 되도록 회전하는 회전단계; 및코팅 진행방향을 기준으로, 기판 및 코팅 가이드판이 둔각을 이루는 지점에 나노와이어 분산액을 주입하여 기판과 코팅 가이드판 사이에 형성된 메니스커스의 선형운동에 의해 수행되는 나노와이어군의 제2 코팅단계;를 포함하되,상기 메니스커스의 선형운동은 3 mm/s 내지 40 mm/s의 속도로 수행되고,상기 회전단계 및 제2 코팅단계를 하기의 수학식 2를 만족하는 n으로 반복 수행하는 나노와이어 그리드 구조의 형성방법:[수학식 2]1≤n≤50
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제 8 항에 있어서,분산액의 농도는 0
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제 8 항에 있어서,분산액은 분산매로서 C1-C3의 알킬알코올, 에틸렌글라이콜 및 아세톤으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 나노와이어 그리드 구조의 형성방법
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제 8 항에 있어서,메니스커스의 선형운동은 3 mm/s 내지 40 mm/s의 속도로 수행되는 나노와이어 그리드 구조의 형성방법
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제 8 항에 있어서,분산액의 주입단계 이전에,기판 및 코팅 가이드판의 친수성 처리하는 단계; 및 나노와이어 그리드 구조를 형성한 후, 열처리하는 단계 중 어느 하나 이상의 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 그리드 구조의 형성방법
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제 12 항에 있어서,열처리는 150℃ 내지 300℃의 온도에서 10분 내지 30분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 그리드 구조의 형성방법
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