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고주파 반도체 수동 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015184922
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인덕터 사이의 커플링 증가 및 Q값 저하를 방지하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 고주파 반도체 수동 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명의 고주파 반도체 수동 소자는 소정의 하부 구조를 갖는 반도체 기판에 형성된 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막 상에 형성된 그라운드 패턴과, 상기 그라운드 패턴이 형성된 제 1 절연막을 매립하는 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막을 관통하여 상기 그라운드 패턴의 일측에 연결되는 다수의 비아와, 상기 제 2 절연막 상에 형성되며 그 일측이 상기 비아에 각각 연결되는 다수의 인덕터용 금속 배선과, 상기 금속 배선들 사이를 수평으로 가로지르도록 형성되며 양측 단부가 그라운드 패드에 연결되는 그라운드 쉴드 및 상기 각각의 인덕터용 금속 배선의 일측에 연결되도록 상기 제 2 절연막 상에 형성되는 신호 라인을 포함하여 구성된다. 그라운드 쉴드, 인덕터, 금속 배선, 커플링
Int. CL H01L 27/00 (2006.01)
CPC H01L 23/5227(2013.01) H01L 23/5227(2013.01) H01L 23/5227(2013.01)
출원번호/일자 1020060015316 (2006.02.16)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0709782-0000 (2007.04.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최문호 대한민국 충북 청주시 흥덕구
2 김영석 대한민국 충북 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0115975-53
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0222727-24
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0001030-36
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0174027-04
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정의 하부 구조를 갖는 반도체 기판(50)에 형성된 제 1 절연막(51)과, 상기 제 1 절연막(51) 상에 형성된 그라운드 패턴(52)과,상기 그라운드 패턴(52)이 형성된 제 1 절연막(51)을 매립하는 제 2 절연막(53)과,상기 제 2 절연막(53)을 관통하여 상기 그라운드 패턴(52)의 일측에 연결되는 다수의 비아(54)와, 상기 제 2 절연막(53) 상에 형성되며 그 일측이 상기 비아(54)에 각각 연결되는 다수의 인덕터용 금속 배선(55)과,상기 금속 배선(55)들 사이를 수평으로 가로지르도록 형성되며 양측 단부가 그라운드 패드(55)에 연결되는 그라운드 쉴드(56), 및상기 각각의 인덕터용 금속 배선(55)의 일측에 연결되도록 상기 제 2 절연막(53) 상에 형성되는 신호 라인(57)을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 고주파 반도체 수동 소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속 배선(55)은 다층 구조로 형성되며,상기 그라운드 쉴드(56)는 다층 구조의 금속 배선(55) 중 적어도 하나 이상의 층에 수평하게 형성됨을 특징으로 하는 고주파 반도체 수동 소자
3 3
소정의 하부 구조를 갖는 반도체 기판에 제 1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제 1 절연막 상에 그라운드 패턴을 형성하는 단계;상기 그라운드 패턴이 형성된 제 1 절연막 상부 전면에 제 2 절연막을 형성하는 단계;상기 제 2 절연막을 관통하여 상기 그라운드 패턴 상부면을 노출시키는 비아 홀을 형성하는 단계;상기 비아홀을 매립하여 비아를 형성하는 단계;상기 비아를 포함하는 제 2 절연막 상에 금속층을 형성하고 이 금속층에 대한 패터닝 공정을 진행하여 상기 비아 상부면을 그 일측이 가로지르는 다수의 금속 배선과 상기 각각의 금속 배선들 사이를 가로지르는 그라운드 쉴드 및 상기 각각의 금속 배선의 일측에 연결되는 신호 라인을 형성하는 단계;를 포함함을 특징으로 하는 고주파 반도체 수동 소자의 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 금속 배선은 다층 구조로 형성하고,상기 다층 금속 배선의 각층을 연결하는 콘택을 형성하고,상기 그라운드 쉴드는 상기 다층 구조의 금속 배선 중 적어도 어느 하나 이상의 층에 수평하게 형성하는 것을 특징으로 하는 고주파 반도체 수동 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.